プロフィール

太田 裕道 OHTA, Hiromichi

hiromichi.ohta(at)es.hokudai.ac.jp
photo_ohta

教授室: 北キャンパス電子科学研究所 3F 03-108-2
TEL & FAX : 011-706-9428
趣味: ドライブ、フライフィッシング、スノーボード
特徴: 綺麗好き。綿密に計画を立てるけど、どこか抜けている・・・
特技: 酸化物薄膜を高速で作ること、装置を修理すること、掃除
使用言語: 日本語(標準語)、英語(少し)、名古屋弁(ネイティブ)
最近気になること: 細かい作業をするときにぼやけること(老眼)
目指していること: 世の中で役に立つ薄膜・デバイスを作り出すこと

orcid

生年月日 1971年9月21日
血液型 O型
出身地 名古屋市
趣味 ドライブ
フライフィッシング
スノーボード

略歴

1990年 愛知県立明和高等学校卒業、’94年 埼玉大学工学部応用化学科卒業、’96年 名古屋大学大学院工学研究科応用化学専攻修了、同年 三洋電機㈱入社、’98年 HOYA㈱入社、’99年 科学技術振興機構細野透明電子活性プロジェクトにHOYA㈱から出向、’01年 東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻修了(博士・工学)’02年 同電子伝導性制御グループリーダー、’03年 名古屋大学大学院工学研究科 助教授/准教授、’08年 科学技術振興機構さきがけ研究員(兼務)、’12年 北海道大学電子科学研究所 教授、現在に至る。 専門は、酸化物薄膜成長・デバイス化、熱電材料など。所属学会は、応用物理学会、米国材料学会(MRS)、電気化学会、日本セラミックス協会、固体イオニクス学会、日本熱電学会

自己紹介

小学生だった頃はとにかく昆虫が大好きで、家の中は見渡す限り飼育ケースが並んでいて、中にはいろんな昆虫がいました。トンボ、蝶、セミなどの幼虫を捕まえてきては、羽化する様子を記録したりすることが日課でした。
高校のときに「化学」がとても好きになって、化学を専門に勉強できる大学に入学しました。大学4年生になると「研究室」に配属されますが、その時はセラミックを専門に勉強できるところに入りました。子供のころに読んでいた漫画「よろしくメカドック」でセラミックを使うと夢のようなエンジンができると書いてあったのがきっかけです。
大学・大学院でセラミックを研究して面白くなったので、就職してからは自動車に関係するセラミックの研究をしようと思い、某自動車メーカーの就職試験を受けたのですが残念ながら不採用でした。困って大学研究室の技官さんに相談したところ三洋電機を勧められ、三洋電機の就職試験を受けて入社しました(1996年)。このときの仕事は、今では当たり前のように使われているリチウムイオン電池の研究開発で、その中でもセラミックに深く関わる仕事をしていましたが、どちらかというと開発に近い業務でした。
もっと研究がしたいと思い始めた時に、学生時代の私の研究発表を知っているHOYA R&Dセンターの研究者から一緒に研究をしようと誘われて、1998年1月にHOYAに転職しました。また、同年10月に東京工業大学の社会人博士課程(指導教員:細野秀雄 教授)に入学し、翌1999年には細野先生が始めた科学技術振興機構の研究プロジェクト(JST-ERATOプロジェクト)に出向することになりました。プロジェクトでは光電子デバイスに関する基礎研究を行いましたが、これがとても面白くて、プロジェクトメンバーで力を合わせて斬新なデバイスをいくつか作ることができました(そのうちのひとつがイグゾーと呼ばれる酸化物半導体薄膜トランジスタです)。
2003年には、縁があって名古屋大学の助教授(准教授)になり、2012年には北海道大学電子科学研究所で教授として研究ができることになりました。

小学生の頃から研究は好きだったので、研究対象が昆虫から固体材料に変わっただけのような気がします。また、父が家具職人(特注品専門)で小さい頃から家具製作プロセスをすぐ近くで見てきた影響なのか、自分しかできない仕事がしたい(目立ちたい)という気持ちを強く持って研究に取り組んでいます。

ちなみに、趣味は、ドライブ、フライフィッシング、スノーボードです。

drive on

主要研究成果

窓ガラスをメモリーに変えるデバイス (北大電子研、名大)
T. Katase, T. Onozato, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “A transparent electrochromic metal-insulator switching device with three-terminal transistor geometry”, Scientific Reports 6, 25819 (2016).

情報記憶容量を大幅に向上できるデバイス (北大電子研)
T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device with leakage-free electrolyte”, Advanced Electronic Materials 2, 1600044 (2016)

オンデマンド赤外線&導電率制御デバイス (北大電子研、東大)
T. Katase, K. Endo, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Room-temperature-protonation-driven on-demand metal-insulator conversion of a transition metal oxide”, Advanced Electronic Materials 1, 1500063 (2015)

まるでスポンジのように酸素を脱挿入することができる酸化物薄膜を作製 (オークリッジ国立研究所、アルゴンヌ国立研究所、ノースウエスタン大、北大電子研)
H. Jeen,W-S. Choi, M. D. Biegalski, C. M. Folkman, I-C. Tung, D. D. Fong, J. W. Freeland, D. Shin, H. Ohta, M. F. Chisholm and H-N. Lee, “Reversible redox reactions in an epitaxially stabilized SrCoOx oxygen sponge”, Nature Materials 12, 1057 (2013)

試料1個で熱電材料の性能を最適化(熱電能電界変調法) (JSTさきがけ、名大、JFCC、東大、東工大)
H. Ohta, T. Mizuno, S. Zheng, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, H. Hosono, “Unusually Large Enhancement of Thermopower in an Electric Field Induced Two-Dimensional Electron Gas”, Advanced Materials 24, 740-744 (2012)

水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作ることに成功 (JSTさきがけ、名大、JFCC、東大、東工大)
H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal”, Nature Communications 1, 118 (2010)

人工宝石SrTiO3の極薄(厚さ0.4ナノ㍍)層に局在化した電子が巨大な熱起電力を発生することを発見 (JST-CREST、JST-ERATO細野プロジェクト、名大、東大、東工大)
H. Ohta, S-W. Kim, Y. Mune, T. Mizoguchi, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, Y. Nakanishi, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Thermoelectric Seebeck coefficient of a Two-dimensional Electron Gas in SrTiO3“, Nature Materials 6, 129 (2007)

1cm2のエピ膜を剥がして張り替え (JST-ERATO細野プロジェクト、東工大)
H. Ohta, A. Mizutani, K. Sugiura, M. Hirano, H. Hosono, K. Koumoto, “Surface Modification of Glass Substrates for Oxide Heteroepitaxy: Pasteable Three-Dimensionally Oriented Layered Oxide Thin Films”, Advanced Materials 18, 1649 (2006)

透明な有機薄膜トランジスタを実現 (JST-ERATO細野プロジェクト、東工大)
H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, “Transparent Organic Thin-Film Transistor with a Laterally Grown Non-Planar Phthalocyanine Channel”, Advanced Materials 16, 312 (2004)

透明で曲げられる高性能薄膜トランジスタを実現 (JST-ERATO細野プロジェクト、東工大)
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T, Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors”, Nature 432, 488 (2004)

高性能透明薄膜トランジスタを実現 (JST-ERATO細野プロジェクト、東工大)
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor”, Science 300, 1269 (2003)

複雑な結晶構造を有する層状酸化物を簡単に単結晶薄膜化できる「反応性固相エピタキシャル成長法」を開発 (JST-ERATO細野プロジェクト、東大、JFCC、東工大)
H. Ohta, K. Nomura, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, T. Suzuki, Y. Ikuhara, H. Hosono, “Single-crystalline films of InGaO3(ZnO)m (m=integer) homologous phase grown by reactive solid-phase epitaxy”, Advanced Functional Materials 13, 139 (2003)

透明酸化物半導体pnヘテロ接合で初の電流注入紫外発光ダイオードを実現 (JST-ERATO細野プロジェクト、分子研、東工大)
H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, H. Hosono, “Current injection emission from a transparent p-n junction composed of p-SrCu2O2 / n-ZnO”, Applied Physics Letters 77, 475 (2000)

原著論文

  1. Amit Khare, Dongwon Shin, Taesup Yoo, Minu Kim, Tae Dong Kang, Jaekwang Lee, Seulki Roh, Jungseek Hwang, Sung Wng Kim, Tae Won Noh, Hiromichi Ohta, and Woo Seok Choi, “Topotactic Metal-Insulator Transition in Epitaxial SrFeOx Thin Films”, Adv. Mater. in press.
  2. Yuqiao Zhang, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Tetsuya Tohei, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermoelectric phase diagram of the SrTiO3-SrNbO3 solid solution system”, J. Appl. Phys. 121, 185102-1-7(2017). (doi: 10.10631/1.4983359)
  3. Takayoshi Katase, Kenji Endo, and Hiromichi Ohta, “Infrared-transmittance tunable metal-insulator conversion device with thin-film-transistor-type structure on a glass substrate”, APL Mater. 5, 056105 (2017). (doi: 10.1061/1.4983276)
  4. Shota Katayama, Takayoshi Katase, Tetsuya Tohei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Reactive solid-phase epitaxy and electrical conductivity of layered sodium manganese oxide films”, Cryst. Growth Des. 17, 1849-1853 (2017).(doi: 10.1021/acs.cgd.6b01810)
  5. Kazuma Funahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Naoki Imazu, Ko Nakayama, Kaito Kanahashi, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Remarkably air- and moisture-stable hole-doped carbon nanotube films by a boron-based oxidant”, Appl. Phys. Express 10, 035101 (2017). (DOI:10.7567/APEX.10.035101).
  6. Eun Sung Kim, Jae-Yeol Hwang, Kyu Hyoung Lee, Hiromichi Ohta, Young Hee Lee, and Sung Wng Kim, “Graphene Substrate for Van der Waals Epitaxy of Layer Structured Bismuth Antimony Telluride Thermoelectric Film”, Adv. Mater. 29, 1604899 (2017) (DOI: 10.1002/adma.201604899).
  7. Ning Li, Takayoshi Katase, Yanbei Zhu, Takao Matsumoto, Tomonari Umemura, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Solid-liquid phase epitaxial growth of Li4Ti5O12 thin film”, Appl. Phys. Express 9, 125501 (2016).(doi:10.7567/APEX.9.125501)
  8. J. Pu, K. Kanahashi, N. T. Cuong, C-H. Chen, L-J. Li, S. Okada, H. Ohta, and T. Takenobu, “Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers”, Phys. Rev. B 94, 014312 (2016).
  9. T. Katase, T. Onozato, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “A transparent electrochromic metal-insulator switching device with three-terminal transistor geometry”, Sci. Rep. 6, 25819 (2016).
  10. K. Yokoyama, S. Yokoyama, Y. Sato, K. Hirano, S. Hashiguchi, K. Motomiya, H. Ohta, H. Takahashi, K. Tohji, and Y. Sato, “Efficiency and long-term durability of nitrogen-doped single-walled carbon nanotube electrocatalyst synthesized by defluorination-assisted nanotube-substitution for oxygen reduction reaction”, J. Mater. Chem. A 4, 9184 (2016).(doi:10.1039/C6TA02722A )
  11. T. Onozato, T. Katase, A. Yamamoto, S. Katayama, K. Matsushima, N. Itagaki, H. Yoshida, and H. Ohta, “Optoelectronic properties of valence-state-controlled amorphous niobium oxide”, J. Phys. Condens. Mater. 28, 255001 (2016).(doi:10.1088/0953-8984/28/25/255001)
  12. T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device with leakage-free electrolyte”, Adv. Electron. Mater. 2, 1600044 (2016).(doi:10.1002/aelm.201600044)
  13. B. Feng, I. Sugiyama, H. Hojo, H. Ohta, N. Shibata, and Y. Ikuhara, “Atomic structures and oxygen dynamics of CeO2 grain boundaries”, Sci. Rep. 6, 20288 (2016).(doi:10.1038/srep20288)
  14. T. Katase, H. Takahashi, T. Tohei, Y. Suzuki, M. Yamanouchi, Y. Ikuhara, I. Terasaki, and H. Ohta, “Solid-phase epitaxial growth of A-site-ordered perovskite Sr4-xErxCo4O12-d“, Adv. Electron. Mater. 1, 201500199 (2015). (DOI: 10.1002/aelm.201500199)
  15. K. Yokoyama, Y. Sato, K. Hirano, H. Ohta, M. Kenichi, K. Tohji, Y. Sato, “Defluorination-assisted nanotube-substitution reaction with ammonia gas for synthesis of nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes”, Carbon 94, 1052-1060 (2015).
  16. T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Thermopower analysis of metal-insulator transition temperature modulations in vanadium dioxide thin films with lattice distortion”, Phys. Rev. B 92, 035302 (2015).(DOI: 10.1103/PhysRevB.92.035302)
  17. T. Katase, K. Endo, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Room-temperature-protonation-driven on-demand metal-insulator conversion of a transition metal oxide”, Adv. Electron. Mater. (2015).(DOI: 10.1002/aelm.201500063)
  18. T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Characterization of electronic structure around metal-insulator transition in V1-xWxO2 thin films by thermopower measurement “, J. Ceram. Soc. Jpn. 123, 307-311 (2015).(DOI: 10.2109/jcersj2.123.P5-1)
  19. W. S. Choi, H. K. Yoo, and H. Ohta, “Polaron transport and thermoelectric behavior in La-doped SrTiO3 thin films with elemental vacancies”, Adv. Funct. Mater. in press.(DOI: 10.1002/adfm.201403023)
  20. T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Thermopower analysis of the electronic structure around metal-insulator transition in V1-xWxO2“,Phys. Rev. B 90, 161105(R) (2014). (DOI: 10.1103/PhysRevB.90.161105)
  21. W-S. Choi, H. Ohta, and H-N. Lee, “Thermopower enhancement by fractional layer control in 2D oxide superlattices”, Adv. Mater. 26, 6701-6705 (2014).(DOI: 10.1002/adma.201401676)
    Inside Back Cover
  22. H. Jeen,W-S. Choi, M. D. Biegalski, C. M. Folkman, I-C. Tung, D. D. Fong, J. W. Freeland, D. Shin, H. Ohta, M. F. Chisholm and H-N. Lee, “Reversible redox reactions in an epitaxially stabilized SrCoOx oxygen sponge”, Nature Mater. 12, 1057 (2013).(DOI:10.1038/nmat3736)
  23. H. Jeen, W. S. Choi, J. W. Freeland, H. Ohta, C. U. Jung, H. N. Lee, “Topotactic phase transformation of the brownmillerite SrCoO2.5 to the perovskite SrCoO3–δ“, Adv. Mater. 25, 3651-3656 (2013). (DOI: 10.1002/adma.201300531)
  24. S. Zheng, C. A. J. Fisher, T. Kato, Y. Nagao, H. Ohta, and Y. Ikuhara, “Domain formation in anatase TiO2 thin films on LaAlO3substrates”, Appl. Phys. Lett. 101, 191602 (2012).
  25. H. Ohta, T. Mizoguchi, N. Aoki, T. Yamamoto, A. Sabarudin, and T. Umemura, “Lithium-ion conducting La2/3–xLi3xTiO3 solid electrolyte thin films with stepped and terraced surfaces”, Appl. Phys. Lett. 100, 173107 (2012). [Retraction] “We retract the above mentioned letter that reported on the single crystalline film growth and the Li-ion conductivity of La2/3-xLi3xTiO3 (LLT). Our impedance measurement system of ion onductivity is not applicable for bi-layer conducting material, LLT/SrTiO3. As a result of various measurements, we found that the conductivity of the LLT film as shown in Fig. 4 is not related to the LLT film itself, but related to the SrTiO3 single crystal substrate. We apologize for any confusion that may have caused for the readers of Applied Physics Letters.”
  26. B. Feng, H. Hojo, T. Mizoguchi, H. Ohta, S. D. Findlay, Y. Sato, N. Shibata, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic structure of a sigma3 [110]/(111) grain boundary in CeO2“, Appl. Phys. Lett. 100, 073109 (2012).
  27. H. Ohta, T. Mizuno, S. Zheng, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, and H. Hosono, “Unusually large enhancement of thermopower in an electric field induced two-dimensional electron gas”, Adv. Mater. 24, 740-744 (2012). (arXiv:1112.2030) Hlighted in Advanced Materials (7 Feb. 2012 issue)
  28. M. Seki, H. Tabata, H. Ohta, K. Inaba, and S. Kobayashi, “Epitaxial thin films of p-type spinel ferrite grown by pulsed laser deposition”,Appl. Phys. Lett. 99, 242504 (2011).
  29. T. Mizuno, Y. Nagao, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Electric field thermopower modulation analysis of an interfacial conducting layer formed between Y2O3 and rutile TiO2”, J. Appl. Phys. 110, 063719 (2011).
  30. H. Hojo, E. Tochigi, T. Mizoguchi, H. Ohta, N. Shibata, B. Feng, and Y. Ikuhara, Atomic structure and strain field of threading dislocations in CeO2 thin films on yttria-stabilized ZrO2, Appl. Phys. Lett. 98, 153104 (2011).
  31. T. Mizoguchi, H. Ohta, H-S. Lee, N. Takahashi, and Y. Ikuhara, “Controlling interface intermixing and properties of SrTiO3-based superlattices”, Adv. Funct. Mater. 21, 2258–2263 (2011).
  32. Y. Kozuka, M. Kim, H. Ohta, Y. Hikita, C. Bell, and H. Y. Hwang, “Enhancing the electron mobility via delta-doping in SrTiO3”, Appl. Phys. Lett. 97, 222115 (2010).
  33. H. Hojo, T. Mizoguchi, H. Ohta, S. D. Findlay, N. Shibata, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic Structure of a CeO2 Grain Boundary: The Role of Oxygen Vacancies”, Nano Lett. 10, 4668–4672 (2010).
  34. H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal”, Nature Communications 1:118 (2010).
  35. H. Koide, Y. Nagao, K. Koumoto, Y. Takasaki, T. Umemura, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Electric field modulation of thermopower for transparent amorphous oxide thin film transistors”, Appl. Phys. Lett. 97, 182105 (2010).
  36. Y. Nagao, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Experimental characterization of the electronic structure of anatase TiO2: Thermopower modulation”, Appl. Phys. Lett. 97, 172112 (2010).
  37. Y. Ishida, A. Mizutani, K. Sugiura,H. Ohta, and K. Koumoto, “Metal-nonmetal transition in LixCoO2thin films and thermopower enhancement at high Li concentration”, Phys. Rev. B 82, 075325 (2010).
  38. W-S. Choi, H. Ohta, S-J. Moon, Y-S. Lee, and T-W. Noh, “Dimensional crossover of the polaron dynamics in thermoelectric Nb:SrTiO3/SrTiO3 superlattices: Possible mechanism of thermopower enhancement”, Phys. Rev. B 82, 024301 (2010).
  39. K. Uchida, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, andH. Ohta, “A single crystalline strontium titanate thin film transistor”,J. Appl. Phys. 107, 096103 (2010).
  40. T. Katase, K. Nomura,H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Fabrication of atomically flat ScAlMgO4epitaxial buffer layer and low-temperature growth of high-mobility ZnO films”, Cryst. Growth Des. 10, 1084–1089 (2010).
  41. A. Yoshikawa, K. Uchida, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, andH. Ohta, “Electric-Field Modulation of Thermopower for the KTaO3Field Effect Transistors”, Appl. Phys. Express 2, 121103 (2009).
  42. H. Ohta, Y. Masuoka, R. Asahi, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Nomura, and H. Hosono, “Field-modulated thermopower in a SrTiO3-based field-effect transistor with amorphous 12CaO·7Al2O3glass gate insulator”, Appl. Phys. Lett. 95, 113505 (2009).
  43. S-W. Kim, Y. Tarumi, H. Iwasaki, H. Ohta, M. Hirano, and H.Hosono, “Thermal conductivity and Seebeck coefficient of 12CaO·7Al2O3electride with a cage structure”, Phys. Rev. B 80, 075201 (2009).
  44. T. Katase, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Large domain growth of GaN epitaxial films on lattice-matched buffer layer ScAlMgO4”, Mater. Sci. Eng. B 161, 66–70 (2009).
  45. Y. Wang, K-H. Lee,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of electron doped SrO(SrTiO3)n(n = 1, 2) ceramics”, J. Appl. Phys. 105, 103701 (2009).
  46. K. Sugiura,H. Ohta, S. Nakagawa, R. Huang, Y. Ikuhara, K. Nomura, H. Hosono, and K. Koumoto, “Anisotropic carrier transport properties in layered cobaltate epitaxial films grown by reactive solid-phase epitaxy”,Appl. Phys. Lett. 94, 152105 (2009).
  47. K. Sugiura,H. Ohta, Y. Ishida, R. Huang, T. Saito, Y. Ikuhara, K. Nomura, H. Hosono, and K. Koumoto, “Structural Transformation of Ca-Arrangements and Carrier Transport Properties in Ca0.33CoO2Epitaxial Films”, Appl. Phys. Express 2, 035503 (2009).
  48. R. Huang, T. Mizoguchi, K. Sugiura, S. Nakagawa,H. Ohta, T. Saito, K. Koumoto, T. Hirayama, and Y. Ikuhara, “Microstructure evolution of Ca0.33CoO2thin films investigated by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy”, J. Mater. Res. 24, 279–287 (2009).
  49. K. Nomura, T. Kamiya,H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2annealing”, Appl. Phys. Lett. 93, 192107 (2008).
  50. R. Huang, T. Mizoguchi, K. Sugiura,H. Ohta, K. Koumoto, T. Hirayama and Y. Ikuhara, “Direct observations of Ca ordering in Ca0.33CoO2thin films with different superstructures”,Appl. Phys. Lett. 93, 181907 (2008).
  51. K. Nomura, T. Kamiya,H. Ohta, K. Shimizu, M. Hirano, and H. Hosono, “Relationship between non-localized tail states and carrier transport in amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O”,Phys. Stat. Sol. (a) 205, 1910–1914 (2008).
  52. H. Ohta, R. Huang, and Y. Ikuhara, “Large enhancement of the thermoelectric Seebeck coefficient for amorphous oxide semiconductor superlattices with extremely thin conductive layers”,Phys. Stat. Sol. (Rapid Research Letter) 2, 105–107 (2008).
  53. Y. Ishida, R. Eguchi, M. Matsunami, K. Horiba, M. Taguchi, A. Chainani, Y. Senba, H. Ohashi,H. Ohta, and S. Shin, “Coherent and Incoherent States of Electron-doped SrTiO3”,Phys. Rev. Lett. 100, 056401 (2008).
  54. K-H. Lee, Y. Mune,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermal stability of giant thermoelectric Seebeck coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3superlattices at high temperature”,Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008).
  55. Y. Wang, K-H. Lee,H. Ohta, and K. Koumoto, “Fabrication and thermoelectric properties of heavily rare-earth metal-doped SrO(SrTiO3)n(n= 1, 2) ceramics”, Ceram. Int. 34, 849–852 (2008).
  56. A. Mizutani, K. Sugiura,H. Ohta, and K. Koumoto, “Epitaxial film growth of LixCoO2(0.6 < x < 0.9) via topotactic ion exchange of Na0.8CoO2”, Cryst. Growth Des. 8, 755–758 (2008).
  57. K. Sugiura,H. Ohta, K. Nomura, T. Saito, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of the layered cobaltite Ca3Co4O9epitaxial films fabricated by topotactic ion-exchange method”, Mater. Trans. 48, 2104–2107 (2007).
  58. Y. Wang, K-H. Lee, H. Hyuga, H. Kita, K. Inaba,H. Ohta, and K. Koumoto, “Enhancement of Seebeck coefficient for SrO(SrTiO3)2by Sm-substitution: Crystal symmetry restoration of disordered TiO6 octahedra”, Appl. Phys. Lett. 91, 242102 (2007).
  59. K. Kato, M. Yamamoto, S. Ohta, H. Muta, K. Kurosaki, S. Yamanaka, H. Iwasaki,H. Ohta, and K. Koumoto, “The effect of Eu-substitution on thermoelectric properties of SrTi0.8Nb0.2O3”,J. Appl. Phys. 102, 116107 (2007).
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21. 太田裕道、「熱電現象の新発見-2DEGが発生する巨大熱起電力」、セラミックデータブック2007(工業製品技術協会)35, 84–87 (2007).

20. 太田裕道、「脱・重金属!!ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える」、化学 62, 31–34 (2007).

19. 太田裕道、「誘電体チタン酸ストロンチウム結晶に閉じ込めた電子の巨大熱起電力」、機能材料 27, 69–74 (2007).

18. 太田裕道、「酸化物熱電変換材料-誘電体中に閉じ込められた二次元電子の巨大熱起電力-」、セラミックス 42, 592–595 (2007).

17. 太田裕道、「毒性物質を使わない高性能酸化物熱電材料の開発」、熱電学会誌 3, 2–4 (2007).

16. H. Ohta, “Reactive Solid-Phase Epitaxy: A powerful method for epitaxial film growth of complex layered oxides”, J. Ceram. Soc. Jpn. 114, 147 (2006).

15. 野村研二、太田裕道、神谷利夫、細野秀雄、「自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用」、材料開発のための顕微鏡法と応用写真集、日本金属学会、222 (2006).

14. 太田裕道、野村研二、平松秀典、平野正浩、細野秀雄、「反応性固相エピタキシャル成長法」、リガクジャーナル、37、3–10 (2006).

13. 太田裕道、太田慎吾、河本邦仁、特集 世界の熱電変換研究 「n型酸化物熱電変換材料の設計指針~ペロブスカイト型SrTiO3~」、マテリアルインテグレーション 18, 2–6 (2005).

12. 野村研二、太田裕道、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体を用いた透明電界効果トランジスタ」、マテリアルインテグレーション、18巻2号 (2005).

11. 太田裕道、第3章 「透明酸化物半導体の高品質薄膜成長」、機能材料、25、22–29 (2005).

10. H. Ohta and H. Hosono, “Transparent Oxide Optoelectronics”, Mater. Today 7, 42–51 (2004).

9. 神谷利夫、太田裕道、平松秀典、上岡隼人、野村研二、「透明酸化物半導体とデバイスへの展開」、オプトロニクス 2004年10月号, 128–139 (2004).

8. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “High-Quality Epitaxial Film Growth of Trasparent Oxide Semiconductors”, J. Ceram. Soc. Jpn. 112[S], S602–S609 (2004).

7. 平松秀典、太田裕道、植田和茂、平野正浩、細野秀雄、「自然超格子構造を有する透明半導体―エピタキシャル成長と光・電子物性―」、月刊ディスプレイ、2003年5月号,78–83 (2003).

6. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, and H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Journal of Modern Physics B 16, 173–181 (2002).

5. H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, and M. Hirano, “Frontier of transparent conductive oxide thin films”, Vacuum 66, 419–425 (2002).

4. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Frontier of transparent oxide semiconductors”, Solid State Electron. 47, 2261–2267 (2003).

3. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「p-SrCu2O2/n-ZnOヘテロ接合LEDの作製と近紫外発光」、表面科学 22, 419–424 (2001).

2. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発」、セラミックス、36, 4, 285–288 (2001).

1. 折田政寛、太田裕道、細野秀雄、「透明酸化物半導体の新しい展開」、表面、38, 28–36 (2000).

著 書

14. Hiromichi Ohta, Chapter 4.3 Thermoelectrics in “Metal Oxide-Based Thin Film Structures (1st Edition) Formation, Characterization and Application of Interface-based Phenomena”, Ed. Nini Pryds, Vicenzo Esposito (ISBN 9780128111666), ELSEVIER (to be published September 2017)

13. 太田裕道、透明導電膜の技術(改訂3版) 6章5節 「パルスレーザー堆積法」(2014)(ISBN 978-4-274-21522-3)

12. 太田裕道、サーマルマネジメント 第4章 各分野における熱制御事例「電界効果を利用した熱電材料評価手法の開発」、エヌ・ティー・エス (2011).

11. H. Ohta and K. Koumoto, Chapter 10 Thermoelectric oxides: films and heterostructures, Multifunctional Oxide Heterostructures, (Eds.) E. Y. Tsymbal, E. R. A. Dagotto, C-B. Eom, and R. Ramesh, Oxford (2012).

10. 太田裕道、セラミック機能化ハンドブック 第3章 電子・磁性材料 第2節 熱電材料、エヌ・ティー・エス (2011).

9. H. Ohta, Chapter 14 Junctions, Handbook of Transparent Conductors, 1st Edition, (Eds.) D. S. Ginley, H. Hosono, and D. C. Paine, Springer-Verlag (2010).

8. 太田裕道、「核生成、結晶成長、スピノーダル分解、エピタキシャル成長、導電性材料、固体撮像材料」、無機材料必須300-原理・物性・応用、守吉佑介 編、三共出版 (2008).

7. 太田裕道、「第2章第4節3 酸化物超格子」、熱電変換技術ハンドブック、梶川武信 監修、エヌ・ティ・エス (2008)

6. 太田裕道、透明導電膜の技術(改訂2版) 6章5節 「パルスレーザー堆積法」(2007).

5. 太田裕道、「2.3.1 核生成・成長」、名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシング」、三共出版 (2007).

4. 太田裕道、透明酸化物機能材料とその応用 第2章 「透明p型導電性酸化物とpn接合デバイス」、シーエムシー出版 (2006).

3. 太田裕道、環境調和型新材料シリーズ「熱電変換材料の技術戦略」 3章3節 構造・形態制御 「エピタキシャル薄膜」、日本セラミックス協会・日本熱電学会編 (2005).

2. 太田裕道、細野秀雄、「第3章 p型透明酸化物半導体とpnヘテロ接合発光ダイオード」、エレクトロニクス材料・技術シリーズ 透明導電膜の新展開II、シーエムシー出版,41–50 (2002).

1. 太田裕道、細野秀雄、「透明導電膜~ITOを中心に~」、新訂判・薄膜作製応用ハンドブック、3, 4 (2002).

招待講演

87. H. Ohta and A. Sanchela, “Thermopower of oxide heterostructure”, ICAMD2017 (The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices), Jeju, Korea, 5-8 December, 2017 (Invited)

86. 太田裕道, “薄膜トランジスタの熱電能で電子状態を調べる(仮題)”, 第14回 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2017年10月20日-21日(招待講演)

85. 太田裕道, “未定”, 日本金属学会 2017年 秋期講演大会, 北海道大学, 札幌, 2017年9月6日―8日(基調講演)

84. H. Ohta, “Electric Field Modulation of Thermopower in Two-dimensional Electron Gas”, IUMRS-ICAM 2017, Kyoto University, Kyoto, Japan, 27th August – 1st September, 2017 (Invited)

83. H. Ohta, “Electrochemical function modulation of oxides using three-terminal thin film transistor structure with water infiltrated insulator”, 3rd Functional Oxide Thin Films for Advanced Energy and Information Technology Conference, Rome, Italy, July 05-08, 2017 (Invited)

82. 太田裕道, “導電性酸化物薄膜の物性改質方法”, 第64回応用物理学会春季学術講演会(合同セッションK, シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」), パシフィコ横浜, 神奈川, 2017年3月14日-17日(招待講演)

81. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of two dimensional electron gas in SrTiO3”, International conference on Advances in Functional Materials (ICAFM2017),  Anna University, Chennai, India, 6-8, January 2017 (Invited)

80. H. Ohta and W. S. Choi, “Unusually large thermopower of nanostructured oxides”, ENGE 2016 (International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment), Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, South Korea, Nov. 6-9, 2016 (Invited) 国際共同研究・ 物質デバイス領域共同研究拠点

79. 太田裕道, 金木奨太, 橋詰 保, “熱電能電界変調法:AlGaN/GaN-MOSHEMT”, 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ(新潟県新潟市), 2016年9月13日-16日(分科内招待講演) 専攻内共同研究

78. H. Ohta, T. Katase, “Electro-chemical redox switching of functional oxide thin films using water-infiltrated nanoporous glass”, International Workshop on Oxide Surfaces (IWOX-X), Dalian, China, 10-15 January, 2016 Keynote

77. H. Ohta, T. Katase, K. Endo, Y. Suzuki, “Electro-chemical modulation of functional properties for oxide thin films using water-infiltrated nanoporous glass”, CEMS Topical Meeting on Oxide Interfaces 2015, RIKEN, Wako, 5 November, 2015 Invited

76. H. Ohta, “Water electrolysis induced modification of functional oxides −Thermoelectric properties−”, IUMRS-ICAM 2015, Jeju island, Korea, 2015年10月25日-29日

75. 太田裕道, “熱電変換材料って何?”, 日本化学会秋季事業 第5回CSJ化学フェスタ2015, タワーホール船橋, 東京, 2015年10月13日-15日

74. 太田裕道, “水の電気分解を利用した機能性酸化物ナノ層創製”, 日本金属学会 2015年秋期講演大会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 2015年9月16日-18日(公募シンポジウムの基調講演)

73. H. Ohta, “Development of oxide-based nanostructured thermoelectric materials”, 4th International Symposium on Energy Challenges and Mechanics -working on small scales”, Scotland, UK, 2015年8月11日-13日 (Invited)

72. H. Ohta, “Two-dimensional giant thermopower –SrTiO3-based superlattices and transistors-“, The American Ceramic Society’s 11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications (CMCEE-11), Vancouver, Canada, 2015年6月14日-19日

71. H. Ohta, “Thermoelectric effect of extremely thin electron doped SrTiO3“, The 1st IOP-RIES Joint Workshop, Hokkaido Univ., 2015年3月23日

70. H. Ohta, “Thermopower enhancement of two-dimensional electron gas in oxide semiconductors”, The American Ceramic Society’s Electronic Materials and Applications 2015 (EMA2015), Orlando, Florida USA, 2015年1月21日-23日

69. 太田裕道、「酸化物薄膜作製におけるパルスレーザー堆積法とその応用」、3次元造形&薄膜実践セミナー、東京工業大学、 東京、2014年9月26日

68. 太田裕道、片瀬貴義、「水電気分解を利用した酸化物の熱電能変調」、第75回 応用物理学会秋季学術講演会(シンポジウム:固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス:化学とデバイスの融合)、北海道大学、札幌、2014年9月17日-20日

67. H. Ohta, “Epitaxial Film Growth and Application of Functional Oxides”, HOKUDAI-NCTU Joint Symposium on Nano, Photo and Bio Sciences, RIES, Hokkaido University, Japan, 10-11 September 2014

66. 太田裕道、「 酸化物半導体に蓄積された二次元電子ガス -熱電能を中心に-」、統合物質創製化学推進事業第5回若手研究会、休暇村支笏湖、2014年6月20日~21日

65. H. Ohta, “Electric Field Modulation of a Thermoelectric Material”, Thermec 2013, Las Vegas, USA, 2013年12月2日-6日

64. 太田裕道、「 酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長」、酸化物アライアンス第11回研究会(第5回公開講演会)「透明導電膜のサイエンス」、産総研つくば中央、2013年5月24日

63. H. Ohta, “Two dimensional thermoelectric effect”, Distinguished Lecture Series for 2012 fall semester in Sungkyunkwan University, Korea, 2012年12月12日

62. H. Ohta, “Electric field thermopower modulation of 2DEG in oxide semiconductor based field effect transistors”, MRS 2012 Fall Meeting, Boston, MA, 2012年11月26日~11月30日

61. H. Ohta, “Unusually large thermopower enhancement in an electric field induced two-dimensional electron gas”, E-MRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg, France, 2012年5月14日-18日

60. H. Ohta, “Electric-Field Thermopower Modulation Method”, Japan-Finland March Meeting for the future in thermoelectrics, Nagoya University, 2012年3月13日-14日

59. 太田裕道、「高分解能X線回折法による金属酸化物薄膜の分析」、第240回X線分析研究懇談会、名古屋大学、2011年12月2日

58. 太田裕道、「温度差で発電する熱電材料-酸化物の挑戦」、超精密加工専門委員会第62回研究会(高度エネルギー変換材料)、大阪ガーデンパレス(大阪)、2011年7月13日

57. 太田裕道、「水の電気分解を利用したSrTiO3の金属化と熱電能」、第55回固体イオニクス研究会「遷移金属複合酸化物:新しい合成法、物質、物性」、京都国際会館(京都)、2011年1月26日

56. 太田裕道、「酸化物半導体における熱電能のゲート電界変調」、第5回KEK連携研究会「熱電変換材料と新規機能物質」、筑波大学(つくば)、2010年12月18日

55. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電能」、第19回強相関コアセミナー、産総研つくば中央(つくば)、2010年12月17日

54. Kyu Hyoung Lee、宗 頼子、太田裕道、河本邦仁、「優秀論文賞受賞記念講演」 Thermoelectric Seebeck Effect of SrTiO3、第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、9月17日

53. H. Ohta, “Electric Field Modulation of Thermopower for SrTiO3“, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日~9日

52. Hiromichi Ohta, Kenji Sugiura, Kunihito Koumoto, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano and Hideo Hosono, “Heteroepitaxy of Complex Oxides With Natural Superlattice Structure”, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日~9日

51. 太田裕道、「酸化物の熱電現象」、(社)日本磁気学会 第36回化合物新磁性材料研究会「熱電材料と場の理論」、東京大学物性研究所本館6階、2月24日

50. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電特性-バルク、人工超格子、トランジスタ-」、応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会研究例会 エネルギーハーベスト技術-熱電変換、振動発電の実力と展望-、機械振興会館(東京)、12月21日

49. 太田裕道、「熱電変換 -薄膜によるアプローチ」、日本表面科学会主催 第30回表面科学セミナー「グリーンテクノロジー、表面科学の新たな挑戦」、東京理科大学 森戸記念館(東京)、2009年11月12日

48. 太田裕道、「SrTiO3結晶中に閉じ込められた極薄電子層の巨大熱起電力」、粉体粉末冶金協会平成21年度秋季大会、名古屋国際会議場(名古屋)、2009年10月27日

47. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of SrTiO3 – Electron doped bulks, superlattices and field effect transistors”, The 16th Workshop on Oxide Electronics, Tarragona (Spain), 2009年10月6日

46. 太田裕道、「金属酸化物による熱電変換 -エピタキシャル薄膜によるアプローチ-」、第70回応用物理学会学術講演会(『機能性酸化物研究グループ・合同セッション:ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス・応用電子物性分科会』企画「社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来」)、2009年9月8日、富山大学(富山)

45. 太田裕道、「SrTiO3の熱電特性」、日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 第45回研究会、2009年7月17日、アイビーホール青学会館

44. 太田裕道、「熱電変換:極薄チタン酸ストロンチウム二次元電子の魅力」、フィラー研究会 第147回フィラー研究会、2009年7月9日、エル大阪

43. Hiromichi Ohta, Akira Yoshikawa, Daisuke Kurita, Kunihito Koumoto, Ryoji Asahi, Yumi Masuoka, Kenji Nomura, and Hideo Hosono, “Electric Field Induced Giant Thermopower of Two-dimensional Electron Gas at the Gate Insulator/SrTiO3 Heterointerface”, 2009 MRS spring meeting, San Francisco, CA, 2009年4月13日~17日

42. 太田裕道、「SrTiO3結晶に閉じ込められた二次元電子の巨大熱電効果」、日本化学会第89春季年会、平成21年3月27日~30日、日本大学理工学部船橋キャンパス

41. 太田裕道、「人工宝石チタン酸ストロンチウムによる熱電変換の可能性」、日本ファインセラミックス協会主催 第23回JFCAテクノフェスタ、メルパルク東京(東京)、2009年1月26日

40. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck coefficient of two-dimensional electron layer in SrTiO3 crystal”, Villa Conference on Complex Oxide Heterostructures, Orange Tree Villa, Clermont, FL, 2008年11月2日~6日

39. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウム超格子の作製と熱電変換材料への応用」、東海ものづくり創生協議会主催 平成20年度第2回技術シーズ発表会、ミッドランドスクエア会議室(名古屋)、2008年10月23日

38. H. Ohta, “Enhancement of thermoelectric performance using 2DEG”, Shandong University Seminar (organized by Prof. Wang Chunlei), Shandong University(山東大学・中国), 2008年10月22日

37. Kunihito Koumoto and Hiromichi Ohta, “SrTiO3-based superlattices for thermoelectric energy conversion”, Materials Science & Technology 2008 Conference and Exhibition, David Lawrence Convention Center, Pittsburgh, Pennsylvania, 2008年10月5日~9日

36. H. Ohta, “Giant Thermopower of Two Dimensionally Confined Electrons in Dielectric Oxides”, Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp. Joint Symposium, 名古屋大学(名古屋)、2008年9月10日~12日

35. H. Ohta, “Two-dimensional thermoelectric Seebeck coefficient of electron doped SrTiO3”, The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity, チェジュ大学 (韓国), 2008年8月6日~9日

34. 太田裕道、「熱電変換材料としての金属酸化物の可能性」、応用物理学会東海支部第12回基礎セミナー、名古屋大学(名古屋)、2008年3月7日

33. 太田裕道、杉浦健二、「層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性」、平成19年度 東京工業大学応用セラミックス研究所ワークショップ「酸化物エピタキシーの表面界面制御と機能開発」、東京工業大学(横浜)、2008年1月28日~29日

32. 太田裕道、「ありふれた酸化物を使った熱電変換材料の開発」、東海化学工業会セミナー「元素を駆使した光・電子材料の研究開発」、栄ガスビル(名古屋)、2007年12月6日

31. H. Ohta, “Two-dimensional Seebeck Effect in SrTiO3 Superlattices”, 7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology, Shanghai (China), 2007年11月13日

30. Hiromichi Ohta and Kunihito Koumoto, “Development of thermoelectric oxide based on SrTiO3”, 1st International Forum on Advanced Materials, Shanghai (China), 2007年11月10日

29. H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Mune, Y. Ikuhara, K. Koumoto, “Enhanced Seebeck coefficient of quantum confined electrons in the SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, The 7th France-Japan Workshop on Nanomaterials, Strasbourg (France), 2007年10月24日

28. H. Ohta, “Development of SrTiO3-based thermoelectric thin film with two dimensional electrons”, The 14th International Workshop on Oxide Electronics, Jeju (Korea), 2007年10月8日

27. 太田裕道、金 聖雄、宗 頼子、溝口照康、野村研二、太田慎吾、野村隆史、中西由貴、幾原雄一、平野正浩、細野秀雄、河本邦仁、「熱電変換材料としての誘電体チタン酸ストロンチウム-誘電体超格子に閉じ込められた二次元電子ガスの巨大熱起電力-」、第4回日本熱電学会学術講演会、2007年8月29日-30日、大阪大学(吹田)

26. H. Ohta, “Enhanced Seebeck coefficient of two-dimensionally confined electrons in a SrTiO3 unit cell layer”, International Symposium on Nano-Thermoelectrics, Osaka (Japan), 2007年6月11日-12日

25. H. Ohta, “Giant thermoelectric response of two-dimensional electrons confined within a unit cell layer of SrTiO3”, The 5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-5), 湘南国際村(神奈川)、2008年5月21日~22日

24. 太田裕道、「熱電変換材料としてのチタン酸ストロンチウムの可能性」、平成18年度第3回熱電変換材料研究会、広島市産業振興センター(広島)、2008年3月23日

23. 太田裕道、「金属酸化物の薄膜作製技術・熱電特性」、北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科セミナー、北陸先端科学技術大学院大学(石川)、2006年11月21日

22. 太田裕道、河本邦仁、「熱を電気に変える石ころ:原子レベルの制御技術によって作られた金属酸化物薄膜」、テクノフェア名大2006、名古屋大学、2006年10月27日

21. 太田裕道、「透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発」、日本セラミックス協会2006年年会、東京大学駒場キャンパス(東京)、(進歩賞受賞記念講演)

20. H. Ohta, S-W. Kim, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Seebeck effect originating from 2DEG at the TiO2/SrTiO3 heterointerface”, the 2005 MRS Fall Meeting, Boston (USA), 2005年11月27日~12月2日

19. H. Ohta, S. Ohta, and K. Koumoto, “Large Thermoelectric Response of Ti-containing Perovskite Oxides”, SSTE-1; a special symposium on the 4th China International Conference on High-Performance Ceramics, China, 2005年10月23日~26日

18. 太田裕道、「高分解能薄膜X線回折によるエピタキシャル薄膜の結晶性評価」、平成17年度応用物理学会東海支部第7回基礎セミナー「薄膜の評価技術」、2005年9月29日~30日

17. 太田裕道、太田慎吾、杉浦健二、河本邦仁、「酸化物熱電変換材料のエピタキシャル薄膜成長」、日本セラミックス協会第18回秋季シンポジウム、大阪府立大学(大阪)、2005年9月27日~29日

16. 太田裕道、「透明酸化物半導体の高品質エピタキシャル薄膜成長と光電子デバイス」、日本セラミックス協会東海支部第31回東海若手セラミスト懇話会、犬山(愛知)、2005年6月16日~17日

15. 太田裕道、「反応性固相エピタキシャル成長法-デバイス品質の酸化物自然超格子を作るための必殺技-」、第9回ガラス表面研究討論会、東京工業大学(東京)、2005年2月8日

14. 太田裕道、「透明酸化物半導体エピタキシャル薄膜成長とデバイス開発」、人工結晶工学会新材料・新技術分科会平成15年度第1回講演会、2004年3月3日

13. 太田裕道、「透明酸化物半導体の光・電子デバイス」、平成15年度東北大学金属材料研究所ワークショップ「コンビナトリアル固体化学の新展開と酸化物半導体」、2004年1月23日~24日

12. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Epitaxial Growth and Application of Transparent Oxide Semiconductors”, 204th Meeting of the Electrochemical Society, Olando, USA, 2003年10月12日~16日

11. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Single-crystalline film growth techniques of transparent oxide semiconductors” 、PacRim 2003、名古屋国際会議場(名古屋)、2003年9月29日~10月2日

10. H. Ohta, H. Hiramatsu, M. Orita, M. Hirano, K. Nomura, K. Ueda, H. Hosono, T. Suzuki, Y. Ikuhara, “Reactive Solid-Phase Epitaxy – A magical way to fabricate single-crystalline thin films of complex oxides with superlattice structure ?”, 2002 MRS Fall Meeting, Boston, USA, 2002年12月2日~6日

9. H. Ohta, K. Nomura, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Single crystal films of In2O3(ZnO)m (m=integer) natural super lattice grown by novel solid-state diffusion technique”, The International Conference On Metallurgical Coatings And Thin Films ICMCTF 2002, San Diego, California, USA , 2002年4月22日~26日

8. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長」、2002年電気化学秋季大会、東京、2002年9月12日~13日

7. 太田裕道、「透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発」、第7回セラミックス・プラザ8 (日本セラミックス協会中国四国支部主催), 岡山, 2002年11月15日

6. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル成長と光・電子デバイスへの応用」、産総研・セラミックス研究部門講演会、名古屋、2002年12月16日

5. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Improvement of UV-light emission for P-N heterojunction LED composed of p-SrCu2O2 and n-ZnO”, MRS 2001 spring meeting, San Francisco, California, USA, 2001年4月16日~20日

4. H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT 2001 MRS-Singapore, Singapore, Singapore, 2001年7月1日~6日

3. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体のヘテロp-n接合による紫外発光ダイオード」、日本セラミックス協会第12回フォトニクス討論会, 東京, 2001年8月24日

2. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、「透明酸化物ヘテロp-n接合への電流注入による室温紫外発光」、2001年春季第48回応用物理学関連連合講演会、東京、2001年3月28日~31日

1. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「初めて実現した酸化物紫外発光ダイオード:p-SrCu2O2/n-ZnO」、第285回蛍光体同学会、2000年

プロシーディングス

23. T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Electrolysis-induced protonation of VO2 thin film transistor for the metal-insulator phase modulation”, Proc. SPIE 9749, Oxide-based Materials and Devices VII, 974916, 974916 (2016).(doi:10.1117/12.2222255)

22. H. Ohta, Y. Mune, K. Koumoto, T. Mizoguchi, and Y. Ikuhara, “Critical thickness for giant thermoelectric Seebeck coefficient of 2DEG confined in SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, Thin Solid Films 516, 5916 (2008). 

21. T, Katase, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Fabrication of ScAlMgO4 epitaxial thin films using ScGaO3(ZnO)m buffer layers and its application to lattice-matched buffer layer for ZnO epitaxial growth”, Thin Solid Films 516, 5842 (2008). 

20. Y. Mune, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-05 (2008). 

19. Y. Nakanishi, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-06 (2008). 

18. K. Sugiura, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric performance of epitaxial thin films of layered cobalt oxides grown by reactive solid-phase epitaxy with topotactic ion-exchange methods”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 308 (2007). 

17. K-H. Lee, Y-F. Wang, S-W. Kim, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of Ruddlesden-Popper phase n-type semiconducting oxides: La-, Nd-, and Nb-doped Sr3Ti2O7”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 326 (2007). 

16. Y. Ogo, K. Nomura, H. Yanagi, H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth and structure of heteroepitaxial thin films of homologous compounds RAO3(MO)m by reactive solid-phase epitaxy: Applicability to a variety of materials and epitaxial template layers”, Thin Solid Films 496, 64 (2006). 

15. Y. Takeda, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth of epitaxial ZnO films on lattice-matched buffer layer: Application of InGaO3(ZnO)6 single-crystalline thin film”, Thin Solid Films 486, 28 (2005). 

14. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Tanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Carrier transport and electronic structure in amorphous oxide semiconductor, a-InGaZnO4”, Thin Solid Films 486, 38 (2005). 

13. T. Kamiya, K. Ueda, H. Hiramatsu, H. Kamioka, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Two-dimensional electronic structure and multiple excitonic states in layered oxychalcogenide semiconductors, LaCuOCh (Ch = S, Se, Te): Optical properties and relativistic ab intio study”, Thin Solid Films 486, 98 (2005). 

12. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe”,Thin Solid Films 445, 304 (2003). 

11. H. Ohta, M. Kamiya, T. kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, Thin Solid Films 445, 317 (2003). 

10. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiy, M. Hirano, and H. Hosono, “Electron transport in InGaO3(ZnO)m (m=integer) studied using single-crystalline thin films and transparent MISFETs”, Thin Solid Films 445, 322 (2003). 

9. H. Ohta, K. Nomura. H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 747, 257 (2003).

8. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of transparent p-type (La1-xSrxO)CuS thin films by an rf sputtering technique”, Thin Solid Films 411, 125 (2002).

7. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Novel film growth technique of single crystalline In2O3(ZnO)m(m=integer) homologous compound”, Thin Solid Films 411, 147 (2002). 

6. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono, Key Eng. Mater. 214-215, 75 (2002). 

5. M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of highly conductive deep ultraviolet transparent β-Ga2O3 thin film”, Thin Solid Films 411, 134 (2002). 

4. H. Ohta, M. Orita, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, Proceedings of CIMTEC 2002 10th International Ceramics Congress and 3rd Forum on New Materials, Ed. By P. Vincenzini Part D, 983 (2002). 

3. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 666, F3.15.1 (2001). 

2. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, H. Kawazoe and H. Tanji, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 623, 253 (2000). 

1. H. Ohta, H. Tanji, M. Orita, H. Hosono and H. Kawazoe, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 570, 309 (1999).

特 許

30. 特許5910072号 “固体電解質、固体電解質の製造方法および電気化学デバイス”、太田裕道、青木則之(2015年1月16日登録)ソニー株式会社(特願2011-282589)

29. 特許5680916号 “電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法”、太田裕道、小出浩貴、高木利哉、藤本隆史(2015年1月16日登録)名古屋大学、東京応化工業(特願2010-206380)

28. 特許5429661号 “電磁気素子用絶縁膜の製造方法”、旭 良司、佐伯優美、太田裕道(2013年12月13日登録)豊田中央研究所、名古屋大学(特開2011-35274)

27. 特許5035857号 “低抵抗ITO薄膜及びその製造方法”、太田裕道、折田政寛(2012年7月13日登録) HOYA株式会社(特開2009-108420)

26. 特許4998897号 “熱電変換材料及びその製造方法”、太田裕道、河本邦仁、宗 頼子(2012年5月25日登録) 名古屋大学(WO2007/059766)

25. 特許4872050号 “熱電素子”、旭 良司、増岡優美、太田裕道、栗田大佑(2011年12月2日登録)株式会社豊田中央研究所、名古屋大学(特開2009-117430)

24. 特許4762911号 “熱電変換材料及び熱電変換材料の製造方法”、細野秀雄、平野正浩、太田裕道、河本邦仁(2011年6月17日登録) 科学技術振興機構、名古屋大学(WO2006/054550)

23. 特許4755770号 “基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置”、折田政寛、太田裕道、平野正浩、細野秀雄、田 昭治、片桐俊郎、三村 宗(2011年6月3日登録) 科学技術振興機構(特開2002-280306)

22. 特許第4620046号 “薄膜トランジスタ及びその製造方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年11月5日登録) 科学技術振興機構(WO2005/088726)

21. 特許第4568828号 “アモルファス酸化物薄膜”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年8月20日登録) 科学技術振興機構(特開2010-219538)

20. 特許第4568827号 “アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年8月20日登録) 科学技術振興機構(特開2010-212696)

19. 特許第4480809号 “酸化インジウム薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 (2010年3月26日登録)HOYA株式会社(特開2000-286410)

18. 特許第4397511号 “低抵抗ITO薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 (2009年10月30日登録)HOYA株式会社(特開2001-089846)

17. 特許第4397451号 “透明導電性薄膜及びその製造方法”, 折田政寛、太田裕道 (2009年10月30日登録)HOYA株式会社(特開2000-285737)

16. 特許第4298194号 “自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法”, 細野秀雄、植田和茂、折田政寛、太田裕道、平野正浩 (2009年4月24日登録) 科学技術振興機構(特開2003-137692)

15. 特許第4237861号 “高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法”, 太田裕道, 折田政寛, 細野秀雄, 川副博司(2008年12月26日登録) HOYA株式会社(特開2000-281495)

14. 特許第4170454号 “透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法”, 森田 清, 太田裕道, 細野秀雄, 川副博司(2008年8月15日登録) HOYA株式会社 (特開2000-044236)

13. 特許第4164563号 “酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩, (2008年8月8日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2004-119525)

12. 特許第4164562号 “ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩(2008年8月8日登録) 独立行政法人科学技術振興機構, HOYA株式会社(特開2004-103957)

11. 特許第4083486号 “LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 平野正浩, 折田政寛, 太田裕道, 平松秀典, 植田和茂 (2008年2月22日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2003-318201)

10. 特許第4083396号 “紫外透明導電膜とその製造方法”, 折田政寛, 太田裕道, 平野正浩, 細野秀雄(2008年2月22日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-093243)

9. 特許第4014473号 “超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩(2007年9月21日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2004-091253)

8. 特許第3969959号 “透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法”, 細野秀雄, 植田和茂, 太田裕道, 平野正浩(2007年6月15日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-261294)

7. 特許第3824289号 “透明導電性薄膜”, 折田政寛, 太田裕道 (2006年7月7日登録) HOYA株式会社(特開2000-090745)

6. 特許第3717632号 “電池の製造方法”, 藤井孝則, 前田紫織, 太田裕道, 中川 弘, 児玉康伸, 西本好宏, 園崎 勉, 中根育朗, 寺司和生, 生川 訓 (2005年9月9日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-308240)

5. 特許第3588225号 “薄型密閉電池”, 西本好宏、太田裕道、前田紫織、中川 弘、児玉康伸、山崎幹也、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2004年8月20日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-289698)

4. 特許第3531865号 “超平坦透明導電膜およびその製造方法”, 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄 (2004年3月12日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-025349)

3. 特許第3398638号 “発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法”, 細野秀雄、太田裕道、折田政寛、河村賢一、猿倉信彦、平野正浩 (2003年2月14日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2001-210864)

2. 特許第3378761号 “ポリマー電解質電池”, 山崎幹也、前田紫織、太田裕道、中川 弘、児玉康伸、西本好宏、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2002年12月6日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-284125)

1. 特許第3354430号 “固体電解質電池及びその製造方法”, 中川 弘、太田裕道、前田紫織、児玉康伸、山崎幹也、西本好宏、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2002年9月27日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-284126)

報 道

79. “Double memory storage with magnetic and electric signals”, COSMOS Magazine, 12 July, 2016

78. “磁電雙穩態材料倍增儲存容量”, EET Taiwan, 12 July, 2016

77. “New Device Could Double USB Storage Capacity”, Electronics 360, 11 July, 2016

76. “Hitting The Magnetic Switches”, Tom’s Hardware, July 9, 2016

75. “The switch that could double USB memory”, Space Daily, 6 July 2016

74. “The switch that could double USB memory”, RtoZ.org, July 3, 2016 Youtube

73. “The Switch That Could Double USB Memory”, Technobahn, 2 July, 2016

72. “The Switch That Could Double USB Memory”, Science Newsline Technology, 2 July, 2016

71. “A New Method to Double USB Memory”, Iscanews, July 2, 2016

70. “The switch that could double USB memory”, News Dog, July 2, 2016

69. “Switching States To Deliver Double USB Memory”, Crazy Engineers, July 2, 2016

68. “The switch that could double USB memory”, new electronics, 1 July, 2016

67. “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, truemag, 28 June, 2016

66. “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, gizmag, June 28, 2016

65. “The switch that could double USB memory”, Science Daily, June 24, 2016

64. “The switch that could double USB memory”, Phys.org, 24 June, 2016

63. 「窓ガラスがメモリーに? 新しい情報表示・記憶装置開発」、科学新聞(2016年5月27日)

62. 「北大、新しい記憶装置を開発-窓ガラスに文字や絵の表示・記憶が可能に」、日刊工業新聞(2016年6月1日)

61. 「北大,エレクトロクロミック表示・記憶装置を開発」、月刊OPTRONICS online(2016年5月24日)

60. 「窓ガラスがメモリーに?北海道大学、記憶装置を開発」、大学ジャーナルオンライン(2016年5月21日)

59. 「記憶媒体 容量2倍に 北大教授ら開発 スマホに応用可」、読売新聞(2016年4月16日 朝刊 26面 北海道版)PDF

58. 「絶縁体の酸化物 電気流れる磁石に 北大電子研が成果」、科学新聞(2016年4月8日 6面)

57. 「北大、レーザー堆積法で電気/磁気メモリーを開発」、月刊OPTRONICS online(2016年3月31日)

56. 「電気・磁化の両方で記憶 北大・新メモリーを開発」、化学工業日報(2016年3月30日)

55. 「北大が新しい記憶装置を開発」、北海道放送HBCニュース(2016年3月30日)PDF

54. 「北大,赤外線のみをスイッチングする薄膜を開発」、月刊OPTRONICS online(2015年6月30日)

53. 「熱電材料 名大などが新評価法 電界効果トランジスタ活用」、日刊工業新聞(2012年 1月 9日)

52. 「温度差使う熱電効果 名大、起電力を5倍に 薄膜トランジスタ型で」、日経産業新聞(2012年 1月 5日)

51. 「名古屋大大学院 熱電材料の性能1試料で最適化 電界効果利用 新評価手法を開発」、電波新聞(2012年 1月 4日)

50. 「JST・名大、排熱を電気エネルギーに変換する熱電材料の評価手法を開発」、環境ビジネス(2011年12月29日)

49. 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、Yahoo! ニュース(2011年12月28日)

48. 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、マイナビニュース(2011年12月28日)

47. 「工場や車の廃熱→電気に変換材料低コスト製造-名大など、水を使う技術開発」、中日新聞(2010年11月17日)

46. 「絶縁体から高熱電性能-名大、金属シート作製」、日刊工業新聞(2010年11月17日)

45. 「熱を電気に。新材料」、NHKおはよう日本(2010年11月17日)

44. 「熱を電気に変換する金属材料を開発」、NHKおはよう東海(2010年11月17日)

43. 「名大など、水の電気分解利用し絶縁体から熱電材料を作製–JST課題解決型基礎研究の一環として実施」、Tech-On !(2010年11月17日)

42. 「JSTと名古屋大学 新熱電材料実用化へ 希少金属使わずに特性発現」、鉄鋼新聞(2010年11月24日)

41. 「簡単・安価に熱電材料 水を利用し絶縁体から作製 名大・太田准教授ら」、科学新聞(2010年12月3日)

40. 「水の電気分解を利用して大きな熱電効果を示す材料を作ることに成功! 希少・毒性金属を含まない、安価・簡便な熱電材料の創製へ」、JSTニュース 2011年1月号

39. 「水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作製」、名大トピックス (印刷中)

38. 「絶縁体からの高熱電性能 名大、金属シート作製」、セラミックス 2011年4月号(トピックス欄)

37. 「熱電材料の結晶構造解明」、日経産業新聞(2009年2月4日)

36. 「チタン酸ストロンチウム 伝導しない電子 仕組み解明 理研がSpring-8で」、日刊工業新聞(2008年2月5日)

35. 「伝導/非伝導の2面性・・・ 酸化物半導体のナゾ解明 理研 共鳴光電子分光法で」、化学工業日報(2008年2月4日)

34. 「酸化物半導体 伝導制御 仕組み解明 理研、新材料開発に」、日経産業新聞(2008年2月9日)

33. 「発電の仕組み 熱電材料で解明 東大など 設計・開発に一役」、日経産業新聞(2007年11月2日)

32. 「人工ダイヤの原料+熱=発電、名大などのグループ発見」、朝日新聞(2007年1月22日)

31. 「普及材料から熱電変換素子、発電性能2倍、名大など研究チーム開発」、読売新聞(2007年1月22日)

30. 「排ガスの熱から発電」に道、高効率の熱電変換材料、名大、東工大グループ開発」、毎日新聞(2007年1月22日)

29. 「身近な物質から熱電変換材料」、日本経済新聞(2007年1月22日)

28. 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物から作成」、日経産業新聞(2007年1月22日)

27. 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物結晶で開発」、日刊工業新聞(2007年1月22日)

26. 「「熱電変換」で新材料を開発 高効率、無害化を実現 可能性幅広く 体温で携帯充電も 名古屋大研究チーム」、電気新聞(2007年1月23日)

25. 「高効率熱電変換材を開発 チタン酸ストロンチウム使用 1度C差で800マイクロボルト 名大-東工大―東大」、化学工業日報(2007年1月22日)

24. 「人工宝石の原料に熱を加えて発電!」、月刊化学2007年3月号化学掲示板

23. 「安価なSrTiO3で従来材を上回る熱電変換効率を実現」、日経マイクロデバイス2007年3月号

22. 「温度差発電の性能を大幅に向上させる新材料」、企業実務2007年4月号

21. 「世界初、人と地球にやさしい材料で熱電変換材料を開発」、学士会報U7 2007年3月号

20. 「ベールを脱いだ最強の熱電材料、SrTiO3ナノ結晶」、週刊ナノテク2007年4月2日号

19. 「“熱を電気に変える”-廃エネルギーの再資源化で注目されている熱電変換材料。ありふれた酸化物である「チタン酸ストロンチウム」を使って高い効率を示す熱電変換材料の開発に成功」、JSTニュース2007年5月号

18. 「ありふれた酸化物を使った高効率熱電変換材料の開発に成功」、科研費NEWS 2007年Vol. 1(創刊号)

17. 「身近な物質で電気を作ろう ナノテク人工宝石で熱電発電」、コスモ石油TERRE 11号 2007 SUMMER WIND

16. 「Oxide put waste heat to work」, Materials Today (Research News) 10, 15 (2007). 

15. 「廃エネルギーの再資源化へ向け実用化に大きく前進する熱電変換材料」、OHM 2007年9月号

14. 日経BP net ECOマネジメント「熱を電気に変える高効率材料の発見」2007年10月4日(前編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/03/,後編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/04/index.shtml)

13. 「脱・重金属!! ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える」、化学2007年12月号

12. 「熱で発電する宝石」、学研 大人の科学マガジン Vol. 18

11. 「人工宝石の熱電発電」、青森テレビ 正直先生のエネルギー講座 2008年2月10日放送

10. 「温度差で発電、材料は人工ダイヤ」、JAF Mate 2007年4月号

9. NHKワールド(ラジオ)17ヵ国の言語(アラビア語、ベンガル語、ビルマ語、中国語、英語、フランス語、ヒンディー語、インドネシア語、ハングル、ペルシャ語、ポルトガル語、ロシア語、スペイン語、スワヒリ語、タイ語、ウルドゥー語、ベトナム語)で紹介 2008年5月12日放送

8. 高橋タクミ、”CO2や廃熱から新資源を実現に向けて進む技術研究”、「ナノちゃんのまんがサイエンスルーム」、朝日小学生新聞(2009年2月4日)

7. 「透明で曲がるトランジスタ 東工大チームが開発」、朝日新聞(2004年11月25日)

6. 「ペットボトル素材に透明トランジスター 東工大チーム開発」、読売新聞(2004年11月25日)

5. 「曲げられるディスプレー材料 プラスチックを基板に」、毎日新聞(2004年11月25日)

4. 「透明で曲がるトランジスタ 科技機構と東工大 ディスプレーに応用」、日本経済新聞(2004年11月25日)

3. 熱気球欄 「酸化物半導体を使って透明で高速なトランジスタを開発 科学技術振興事業団プロジェクト」、東京新聞(2003年5月23日)

2. 「紫外線の発光ダイオード-セラミックスを使用-」、日本経済新聞(2000年3月27日)

1. 「超低抵抗性、超平たん性 ITO膜で両立 科技振興事業団・細野プロ」、日刊工業新聞(2000年10月24日)

研究費獲得実績

13. 三菱財団 平成29年度 自然科学部門 助成金「色・導電率を切替え可能な三端子型WO3薄膜トランジスタの低電圧・高速動作に向けた材料改質」 2017年10月~2018年9月

12. 科学研究費補助金 基盤研究(A) 17H01314 熱電材料の高ZT化に向けたナノ周期平行平板構造の熱伝導率解明(研究代表者) 2017年4月1日~2021年3月31日

11. 旭硝子財団 2017年度 ステップアップ助成「半導体界面に蓄積された二次元電子ガスの熱電能電界変調」 2017年度~2019年度

10. 旭硝子財団 平成26年度研究助成金「超微細熱電材料用汎用熱電能計測装置の開発」平成26年度~平成27年度 (成果発表資料

9. 科学研究費補助金 新学術領域研究(研究領域提案型)領域番号2505 「ナノ構造情報のフロンティア開拓-材料科学の新展開」(領域代表者:田中 功 教授・京都大学)25106007 原子層制御による新しい材料機能探索(研究代表者) 平成25年度~平成29年度(実績報告書

8. 科学研究費補助金 基盤研究(B) 26287064 光ドープされた伝導体の電子輸送特性(研究代表者:寺崎一郎・名古屋大学・教授) 平成26年4月1日~平成30年3月31日(研究分担者)

7. 科学研究費補助金 基盤研究(A) 25246023 酸化物半導体一次元電子ガスの電界誘起と超巨大熱電能変調(研究代表者) 平成25年4月1日~平成29年3月31日(実績報告書

6. 科学研究費補助金 基盤研究(B)22360271 酸化物薄膜トランジスタにおける巨大熱電能の電界変調と赤外線センサー応用(研究代表者) 平成22年4月1日~平成25年3月31日 (実績報告書

5. 科学研究費補助金 特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」 公募研究 22015009 電界誘起二次元電子層の可視化(研究代表者) 平成22年4月1日~平成24年3月31日(実績報告書

4. 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」 電界誘起二次元伝導層の熱起電力と制御(研究代表者) 平成20年10月1日~平成24年3月31日 (事後評価

3. 科学研究費補助金 特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」 公募研究 20047007 誘電体ヘテロ界面に蓄積された二次元電子ガスの電子状態と量子サイズ効果の起源(研究代表者) 平成20年4月1日~平成22年3月31日(実績報告書

2. 科学研究費補助金 若手研究(A) 18686054 二次元電子ガスを有する酸化物超格子の作製と熱電変換物性 (研究代表者) 平成18年4月1日~平成21年3月31日 (実績報告書

1. NEDO産業技術研究助成事業費助成金(ID 05A23509d) 局在化した二次元電子ガスを有する誘電体人工超格子の作製と熱電変換材料への応用(研究代表者) 平成18年1月1日~平成20年12月31日(成果報告書
 

受 賞

 

  1. 平成26年度北海道大学研究総長賞-優秀賞
  2. 第1回新化学技術研究奨励賞, 太田裕道, “大きな熱電効果を示す極薄酸化物半導体の開発”
  3. 第32回(2010年度)応用物理学会優秀論文賞 K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, K. Koumoto, “Thermal Stability of Giant Thermoelectric Seebeck Coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 Superlattices at 900 K”, Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008)
  4. 第1回(2007年)日本熱電学会欧文論文賞, P. Zhu, T. Takeuchi, H. Ohta, W-S. Seo and K. Koumoto, Preparation and Thermoelectric Properties of NaxCoO2/Co3O4 Layered Nano-Composite, Mater. Trans. Vol.46, No.7, pp.1453-1455 (2005).
  5. Best Oral Paper Award, 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-3), Hiromichi Ohta, Masao Kamiya, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, 10-11 April 2003
  6. 第8回(2000年春季)応用物理学会講演奨励賞, 太田裕道, “p-SrCu2O2/n-ZnOワイドバンドギャップp-n接合ダイオードの試作とEL発光”, (科技団1,分子研2,東工大3)折田政寛1),河村賢一1),猿倉信彦1)2),平野正浩1),細野秀雄1)3)