プロフィール

山ノ内 路彦 YAMANOUCHI, Michihiko

m-yama(at)es.hokudai.ac.jp
山ノ内160217

TEL : 011-706-9430
FAX : 011-706-9433
准教授室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-107
研究キーワード:パルスレーザー堆積、エピタキシャル成長、スピントロニクス

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生年月日 1978年8月31日
血液型 A型
出身地 埼玉県
趣味 植物栽培

略歴

2002年 東北大学工学部電気・電子・情報・応物系卒業、’03年 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了、’06年 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程修了(博士・工学)‘06年 独立行政法人科学技術振興機構 ERATO大野半導体スピントロニクスプロジェクト 研究員 ’07年 日立製作所(株)基礎研究所 研究員 ’10年 東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 助教 ’12年 東北大学電気通信研究所 助教、’14年 北海道大学電子科学研究所 薄膜機能材料研究分野 准教授、現在に至る。 専門は、スピントロニクス。所属学会は、応用物理学会。

主要研究成果

配線材料をベースとしたスピントロニクス素子の実現(東北大 CSIS,東北大 RIEC,NIMS,東北大 WPI-AIMR)
M.yamanouchi,L.Chen,J.Kim,M.hayashi,S.fukami,S.Ikeda,F.Matsukura,and H.Ohno,”Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper,” Applied Physics Letters 102, 212408 (2013).

垂直磁化容易Ta/CoFeB/MgO積層構造における消磁状態の磁区構造の観測(東北大 CSIS, オレゴン州立大, 東北大RIEC)
M. Yamanouchi, A. Jander, P. Dhagat, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Domain Structure in CoFeB Thin Films With Perpendicular Magnetic Anisotropy,” IEEE Magnetics Letters 2, 3000304 (2011).

電流による磁壁クリープ速度のスケーリング(JST ERATO, 東北大 RIEC, 東北大 金研, JST CREST, マイアミ大)
M. Yamanouchi, J. Ieda, F. Matsukura, S. E. Barnes, S. Maekawa, and H. Ohno, “Universality classes for domain wall motion in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As,” Science 317, 1726 (2007).

強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける電流誘起磁壁移動速度の観測(東北大 RIEC, JST ERATO, ポーランド科学アカデミー)
M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, “Velocity of domain-wall motion induced by electrical current in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As,” Physical Review Letters 96, 096601 (2006).

単一磁壁の電流誘起磁壁移動の観測(東北大 RIEC, JST ERATO)
M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, “Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure,” Nature 428, 539 (2004).

研究費獲得実績

若手研究(A) 15H05517「酸化物ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク」、研究代表者、
2015年4月1日~2017年3月31日

若手研究(B) 24760249 「面内磁化膜における内因性ピニング」、研究代表者、2012年4月1日-2014年3月31日

基盤研究(A) 23246002 「半導体・磁性体ハイブリッド構造におけるスピン制御とスピンダイナミクスの光検出」、研究分担者(研究代表者: 大野裕三教授)、2012年4月1日-2013年3月31日

挑戦的萌芽研究 24656003 「GaAs/AlGaAs量子細線構造におけるスピン永久旋回状態の形成とスピン輸送」、研究分担者(研究代表者: 大野裕三教授)、2012年4月1日-2013年3月31日

賞 罰

2007年3月 東北大学大学院工学研究科・「電気・情報優秀賞」(博士) 受賞

2006年9月 第20回応用物理学会 講演奨励賞 受賞

2005年12月 財団法人青葉工学振興会第11回研究奨励賞 受賞

原著論文

44. S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Sato, F. Matsukura, and H. Ohno, “Magnetization switching in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction by combining spintransfer torque and electric field-effect”, Applied Physics Letters 104, 212406 (2014).

43. J. Kim, J. Sinha, S. Mitani, M. Hayashi, S. Takahashi, S. Maekawa, M. Yamanouchi, and H. Ohno, “Anomalous temperature dependence of current-induced torques in CoFeB/MgO heterostructures with Ta-based underlayers”, Physical Review B 89, 174424 (2014).

42. M. Hayashi, J. Kim, M. Yamanouchi, and H. Ohno, “Quantitative characterization of the spin-orbit torque using harmonic Hall voltage measurements”, Physical Review B 89, 144425 (2014).

41. Y. Yoshimura, T. Koyama, D. Chiba, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, K. J. Kim, T. Moriyama, and T. Ono, “Effect of spin Hall torque on current-induced precessional domain wall motion”, Applied Physics Express 7, 033005 (2014).

40. H. Sato, S. Ikeda, S. Fukami, H. Honjo, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, K. Mizunuma, F. Matsukura, and H. Ohno, “Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs”, Japanese Jounal of Applied Physics 53, 04EM02 (2014).

39. C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO,” Applied Physics Letters 103, 262407 (2013).

38. S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, and H. Ohno, “Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents,” Nature Communications 4, 2293 (2013).

37. S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, “In-plane magnetic field dependence of electric field-induced magnetization switching,” Applied Physics Letters 103, 072408 (2013).

36. S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, and H. Ohno, “CoNi Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy Prepared by Alternate Monoatomic Layer Deposition,” Applied Physics Express6, 073010 (2013).

35. K. Kim, R. Hiramatsu, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Kobayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, H. Kohno, G. Tatara, and T. Ono, “Two-barrier stability that allows low-power operation in current-induced domain-wall motion,” Nature Communications 4, 2011 (2013).

34. J. Sinha, M. Hayashi, A. J. Kellock, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Mitani, S. Yang, S. S. P. Parkin, and H. Ohno, “Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers,” Applied Physics Letters 102, 242405 (2013).

33. S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, and H. Ohno, “Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device,” Applied Physics Letters 102, 222410 (2013).

32. M. Yamanouchi, L. Chen, J. Kim, M. Hayashi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper,” Applied Physics Letters 102, 212408 (2013).

31. K. Mizunuma, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Kanai, F. Matsukura, and H. Ohno, “Size Dependence of Magnetic Properties of Nanoscale CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Magnetic Easy Axis Observed by Ferromagnetic Resonance,” Applied Physics Express6, 063002 (2013).

30. J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, and H. Ohno, “Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta/CoFeB/MgO,” Nature Materials 12, 240 (2013)

29. S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, .F. Matsukura, N. Kasai, and H. Ohno, “Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI,” SPIN 2, 1240003 (2012).

28. S. Ikeda, R. Koizumi, H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, K. Mizunuma, H. Gan, F. Matsukura, and H. Ohno, “Boron composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in MgO/CoFe(B) based stack structures,” IEEE Transactions on Magnetics 48, 3829 (2012).

27. S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, and H. Ohno,”Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction,”Applied Physics Letters 101, 122403 (2012).

26. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, “Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure,” Applied Physics Letters 101, 022414 (2012).

25. K. J. Kim, D. Chiba, K. Kobayashi, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, J. S. Je, S. B. Choe, and T. Ono, “Observation of magnetic domain-wall dynamics transition in Co/Ni multilayered nanowires,” Applied Physics Letters 101, 022407 (2012).

24. S. Fukami, N. Ishiwata, N. Kasai, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, and H. Ohno, “Scalability prospect of three-terminal magnetic domain-wall motion device,” IEEE Transactions on Magnetics48, 2152 (2012).

23. Y. Yoshimura, T. Koyama, D. Chiba, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, and T. Ono, “Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire under in-plane magnetic fields,” Applied Physics Express 5, 063001 (2012).

22. M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, J. Sinha, S. Mitani, and H. Ohno, “Spatial control of magnetic anisotropy for current induced domain wall injection in perpendicularly magnetized CoFeB/MgO nanostructures,” Applied Physics Letters 100, 192411 (2012).

21. H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, “CoFeB thickness dependence of thermal stability factor in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions,” IEEE Magnetics Letters 3, 3000204 (2012).

20. M. Hayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Mitani, and H. Ohno, “Domain wall dynamics driven by spin transfer torque and the spin–orbit field,” Journal of Physics Condensed Material 24, 024221 (2011).

19. H. D. Gan, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, K. Miura, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, “Origin of the collapse of tunnel magnetoresistance at high annealing temperature in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions,” Applied Physics Letters 99, 252507 (2011).

18. M. Yamanouchi, A. Jander, P. Dhagat, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Domain Structure in CoFeB Thin Films With Perpendicular Magnetic Anisotropy,” IEEE Magnetics Letters 2, 3000304 (2011).

17. H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. D. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, “Junction size effect on switching current and thermal stability in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions,” Applied Physics Letters 99, 042501 (2011).

16. H. D. Gan, S. Ikeda, M. Yamanouchi, K. Miura, K. Mizunuma, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, “Tunnel Magnetoresistance Properties of Double MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions With Different Free-Layer Alloy Compositions and Structures,” IEEE Transactions on Magnetics 47, 1567 (2011).

15. T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, and H. Ohno, “Current-induced effective field in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO wire,” Applied Physics Letters98, 142502 (2011).

14. K. Mizunuma, S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. D. Gan, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, “Tunnel magnetoresistance properties and annealing stability in perpendicular anisotropy MgO-based magnetic tunnel junctions with different stack structures,”Journal of Applied Physics 109, 07C711 (2011).

13. S. Fukami, T. Suzuki, Y. Nakatani, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, and H. Ohno, “Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized CoFeB nanowire,” Applied Physics Letters 98, 082504 (2011).

12. K. Mizunuma, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Sato, H. Yamamoto, H. D. Gan, K. Miura, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, “Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers,” Applied Physics Express 4, 023002 (2011).

11. R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, and H. Ohno, “A 32-Mb SPRAM With 2T1R Memory Cell, Localized Bi-Directional Write Driver and ‘1’/’0′ Dual-Array Equalized Reference Scheme,” IEEE Journal of Solid-State Circuits 45, 869 (2010).

10. J. Hayakawa, S. Ikeda, K. Miura, M. Yamanouchi, Y. M. Lee, R. Sasaki, M. Ichimura, K. Ito, T. Kawahara, R. Takemura, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno, “Current-induced magnetization switching in MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers,” IEEE Transactions on Magnetics 44, 1962 (2008).

9. M. Yamanouchi, J. Ieda, F. Matsukura, S. E. Barnes, S. Maekawa, and H. Ohno, “Universality classes for domain wall motion in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As,” Science 317, 1726 (2007).

8. M. Fukuda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno, “Switching of tunnel magnetoresistance by domain wall motion in (Ga, Mn)As-based magnetic tunnel junctions,” Applied Physics Letters 91, 052503 (2007).

7. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, “Domain wall resistance in perpendicularly magnetized (Ga, Mn)As,” Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310, 2078 (2007).

6. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, “Current-assisted domain wall motion in ferromagnetic semiconductors,” Japanese Journal of Applied Physics 45, 3854 (2006).

5. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, “Domain-wall resistance in ferromagnetic (Ga, Mn)As,” Physical Review Letters 96, 096602 (2006).

4. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, “Velocity of domain-wall motion induced by electrical current in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As,” Physical Review Letters 96, 096601 (2006).

3. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno, “Control of magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors by electrical means,” Journal of Physics: Condensed Matter 16, S5693 (2004).

2. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, “Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure,” Nature 428, 539 (2004).

1. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, K. Ohtani, and H. Ohno, “Electric field effect on the magnetic properties of III-V ferromagnetic semiconductor (In, Mn)As and (Al, Ga, Mn)As,” Journal of Superconductivity 16, 179 (2003).

プロシーディングス

10. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, “MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability”, Journal of the Magnetics Society of Japan 38, 56 (2014).

9. D. Kobayashi, Y. Kakehashi, K. Hirose, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, S. Ikeda, M. Yamanouchi, H. Sato, E. C. Enobio, T. Endoh, and H. Ohno, Infuence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions”, IEEE Transactions on Nuclear Science, (2014).

8. S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, and H. Ohno, “Electric Field-Induced Magnetization Switching in CoFeB-MgO.Static Magnetic Field Angle Dependence,” IEEE Transactions on Magnetics 50, 4200103 (2014).

7. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, “MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO Recording Structure in Magnetic Tunnel Junctions With Perpendicular Easy Axis,” IEEE Transactions on Magnetics 49, 4437 (2013).

6. S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, “Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer,” Journal of Applied Physics 113, 17C721 (2013).

5. S. Fukami, M. Yamanouchi, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, K. J. Kim, D. Chiba, H. Honjo, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Kato, Y. Tsujii, A. Morioka, K. Kinoshita, S. Miura, T. Suzuki, H. Tanigawa, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, and H. Ohno, “High-speed and Reliable Domain Wall Motion Device: Material Design for Embedded Memory and Logic Application,” IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, Honolulu, U.S.A., (2012).

4. M. Yamanouchi, R. Koizumi, S. Ikeda, H. Sato, K. Mizunuma, K. Miura, H. D. Gan, F. Matsukura, and H. Ohno, “Dependence of magnetic anisotropy on MgO thickness and buffer layer in Co20Fe60B20-MgO structure,” Journal of Applied Physics 109, 07C712 (March 2011).

3. K. Miura, S. Ikeda, M. Yamanouchi, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, J. Hayakawa, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno, “CoFeB/MgO based perpendicular magnetic tunnel junctions with stepped structure for symmetrizing different retention times of “0” and “1” information,”Symposia on VLSI Technology, Digest Technology, 214 (2011).

2. K. Ono, T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, M. Yamanouchi, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, H. Matsuoka, S. Ikeda, and H. Ohno “SPRAM with large thermal stability for high immunity to read disturbance and long retention for high-temperature operation,” Symposia on VLSI Technology, Digest Technology, 228 (2009).

1. R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Matsuoka, and H. Ohno, “32-Mb 2T1R SPRAM with localized bi-directional write driver and ‘1’/’0′ dual-array equalized reference cell,”Symposia on VLSI Circuits, Digest Circuit, 84 (2009).

招待講演

9. 山ノ内路彦, 陳林, 金俊延, 林将光, 佐藤英夫, 深見俊輔, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男, “Cuベースチャネル3端子磁気トンネル接合,” 応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会共同主催研究会「元素戦略、環境調和を視野に入れたスピントロニクスの新展開」, 仙台, 2013年11月11日.

8. M. Yamanouchi, L. Chen, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Three terminal switching devices based on an interconnection material Cu,” The 3rd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs and The 11th RIEC International Workshop on Spintronics, Sendai, Japan, January 31-February 1, 2013.

7. M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Spintronics devices for nonvolatile memory and logic,” 12th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Singapore, October 31- November 2, 2012.

6. M. Yamanouchi, A. Jander, P. Dhagat, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “Temperature dependence of domain patterns observed in CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy,” The 1st CSIS Symposium on Spintronics-based VLSIs / The 7th RIEC International Workshop on Spintronics, Sendai, Japan, February 2-3, 2011.

5. M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, “CoFeB-MgO system for spintronics devices,” The 7th Taiwan International Conference on Spintronics, Puli, Taiwan, December 2-5, 2011.

4. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, “Domain-wall motion driven by current in a ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As,” The 1st RIEC International Workshop on Spintronics, Sendai, Japan, February 8-9, 2006.

3. 山ノ内路彦, 千葉大地, 松倉文礼, 大野裕三, 大野英男, “強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動”, 日本物理学会第60回年次大会, 東京理科大学野田キャンパス, 2005年3月24-27日.

2. 山ノ内路彦, 千葉大地, 松倉文礼, 大野裕三, 大野英男, “強磁性半導体における電気的磁壁駆動,” 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大学, 2004年9月1-4日.

1. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, “Magnetization reversal by current-driven domain wall propagation in (Ga,Mn)As,” The 10th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors, Yokohama, Japan, June 10-11, 2004.

特 許

3. 特開2012-248688, 垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ, 大野英男、池田正二、山ノ内路彦、佐藤英夫、三浦勝哉.

2. 特許公開2010-140973, 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ, 山ノ内路彦、高橋宏昌、早川純.

1. WO2005/069368, 電流注入磁壁移動素子, 大野英男, 松倉文礼,千葉大地、山ノ内路彦.