Academic Background

2020  Ph.D, Kochi University of Technology (Supervisor: Prof. Mamoru Furuta)

2017  M.E., Kochi University of Technology (Supervisor: Prof. Mamoru Furuta)

2015  B.E., Kochi University of Technology (Supervisor: Prof. Mamoru Furuta)

2011  Graduation, Ikeda High School (Tokushima Prefecture)

Professional Carrier

2022. 9 – Current  Assistant Professor at RIES, Hokkaido University
2023. 10 – 2022. 8  Assistant Professor at Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
2024. 4 – 2020. 9  Assistant Professor at School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology

Research Interests

Oxide semiconductors, Thin film materials, Electronic devices

Selected Publications

[1] Y. Magari et al., Nature Communications 13, 1078 (2022).

[2] Y. Magari et al., ACS Applied Materials & Interfaces 12, 42 (2020).

[3] Y. Magari et al., Applied Surface Science 512, 144519 (2020).

Awards & Honors

[1] (FY2021) Outstanding Paper Award (The Institute of Electrical Engineers of Japan)

[2] 18th (FY2021) Best Paper Award (Thin Film Materials & Devices Meeting)

[3] 14th (FY2019) JSAP Young Scientist Presentation Award (The Japan Society of Applied Physics Chūgoku and Shikoku)

[4] 79th (2018, Fall) JSAP Young Scientist Presentation Award (The Japan Society of Applied Physics)

[5] 14th (FY2017) Best Paper Award (Thin Film Materials & Devices Meeting)

[26] Prashant Ghediya, Hui Yang, Takashi Fujimoto, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, and Hiromichi Ohta, “Improved Electron Transport Properties of Zn-rich In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors”, J. Phys. Chem. C 127, 2622-2627 (2023). (DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c07442)

[25] Hui Yang, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, and Hiromichi Ohta, “Thermopower Modulation Analyses of High-mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 4, 5081-5086 (2022). (September 29, 2022) (DOI: 10.1021/acsaelm.2c01210)

[24] Y. Magari, T. Kataoka, W. Yeh, and M. Furuta, “High-Mobility Hydrogenated Polycrystalline In₂O₃ (In₂O₃:H) Thin-Film Transistors”, Nature Communications, vol. 13 No. 1078 (2022) pp. 1-8.

[23] Y. Magari, S G M. Aman, D. Sasaki, and M. Furuta, “Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering”, SID Symposium Digest of Technical Papers, vol. 52 No. 1 (2021) pp. 1096-1099.

[22] Y. Magari and M. Furuta, “Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 60 No. SBBM04 (2021) pp. 1-5.

[21] Y. Magari, S G M. Aman, D. Koretomo, K. Masuda, K. Shimpo, H. Makino, and M. Furuta, “Record-High-Performance Hydrogenated In–Ga–Zn–O Flexible Schottky Diodes”, ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 12 No. 42 (2020) pp. 47739–47746.

[20] Y. Magari and M. Furuta, “Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited by Ar+O₂+H₂ Sputtering”, ECS Transactions, vol. 98 No. 89 (2020).

[19] Y. Magari, S G M. Aman, D. Koretomo, K. Masuda, K. Shimpo, and M. Furuta, “Low-temperature (150 °C) processed metal-semiconductor field-effect transistor with a hydrogenated In–Ga–Zn–O stacked channel”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 59 No. SGGJ04 (2020) pp. 1-8.

[18] Y. Magari, H. Makino, S. Hashimoto, and M. Furuta, “Origin of work function engineering of silver oxide for an In–Ga–Zn–O Schottky diode”, Applied Surface Science, vol. 512 No. 144519 (2020) pp. 1-5.

[17] Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “Carrier Generation Mechanism and Origin of Subgap States in Ar- and He-Plasma-Treated In–Ga–Zn–O Thin Films”, ECS Journal of Solid State Science and Technology, vol. 6 No. 8 (2017) pp. Q101-Q107.

[16] Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, and M. Furuta, “Low-temperature processed metal-semiconductor field-effect transistor with In-Ga-Zn-O/AgO_x Schottky gate”, ECS Transactions, vol. 75 No. 10 (2016) pp. 139-144.

[15] W. Yeh, K. Ohtoge, and Y. Magari, “Bottom gate single crystal Si thin-film transistors fabricated by all sputtering processes”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 61 (2022) pp. 086501-1-6. 2. R. Velichko, Y. Magari, and M. Furuta, “Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications”, materials, vol. 15, No. 334 (2022) pp. 1-14.

[14] T. Kataoka, Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InO_x:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors”, materials, vol. 15, No. 187 (2022) pp. 1-11.

[13] M. Furuta, K. Shimpo, T. Kataoka, D. Tanaka, T. Matsumura, Y. Magari, R. Velichko, D. Sasaki, E. Kawashima, and Y. Tsuruma, “High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In-Ga-O (IGO:H) Thin‐Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization”, SID Symposium Digest of Technical Papers, vol. 52 No. 1 (2021) pp. 69-72.

[12] R. Velichko, Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “Investigation of the effect of adding a moderate amount of hydrogen on the properties of tin oxide films deposited by DC magnetron sputtering”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 60 No. 5 (2021) pp. 1-6.

[11] S. Kono, Y. Magari, M. Mori, S G M. Aman, N. Fruehauf, H. Furuta, and M. Furuta, “Hydrogenated In–Ga–Zn–O thin-film transistors with anodized and fluorinated Al2O3 gate insulator for flexible devices”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 60 No. SBBM05 (2021) pp. 1-6.

[10] D. Koretomo, S. Hamada, M. Mori, Y. Magari, and M. Furuta, “Marked improvement in reliability of 150 °C processed IGZO thin-film transistors by applying hydrogenated IGZO as a channel material”, Applied Physics Express, vol. 13 No. 076501, (2020) pp. 1-4.

[9] D. Koretomo, S. Hamada, Y. Magari, and M. Furuta, “Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors”, materials, vol. 13, No. 1935 (2020) pp. 1-12.

[8] S. Sugisaki, T. Matsuda, M. Uenuma, T. Nabatame, Y. Nakashima, T. Imai, Y. Magari, D. Koretomo, M. Furuta, and M. Kimura, “Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device”, Scientific Reports, vol. 9 No. 2759 (2019) pp. 1-7.

[7] A. Kurasaki, R. Tanaka, S. Sugisaki, T. Matsuda, D. Koretomo, Y. Magari, M. Furuta, and M. Kimura, “Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device with Double Layers of Different Oxygen Density”, materials, vol. 12 No. 3236 (2019) pp. 1-8.

[6] M. Furuta, D. Koretomo, Y. Magari, S G M. Aman, R. Higashi, and S. Hamada, “Heterojunction channel engineering to enhance performance and reliability of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 58 No. 090604 (2019) pp. 1-9.

[5] S G M. Aman, Y. Magari, H. Makino, D. Koretomo, and M. Furuta, “Low temperature (150 ℃) activation of Ar+O2+H2-sputtered In–Ga–Zn–O for thin-film transistors”, Applied Physics Express, vol. 11 No. 081101, (2018) pp. 1-4.

[4] S G M. Aman, D. Koretomo, Y. Magari, and M. Furuta, “Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO₂ Passivation on Performance and Reliability of In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, No. 8 (2018) pp. 3257-3263.

[3] M. Furuta, Y. Magari, S. Hashimoto, and K. Hamada, “Low-Temperature Processed InGaZnO MES-FET for Flexible Device”, ECS Transactions, vol. 79, No. 1 (2017) pp. 43-48.

[2] M. Furuta, T. Toda, G. Tatsuoka, and Y. Magari, “Low-Temperature Processed and Self-Aligned InGaZnO Thin-Film Transistor with an Organic Gate Insulator for 6 Flexible Device Applications”, ECS Transactions, vol.75, No. 10 (2016) pp. 117-122.

[1] T. Toda, G. Tatsuoka, Y. Magari, and M. Furuta, “High-Performance Top-Gate and Self-Aligned In–Ga–Zn-O Thin-Film Transistor Using Coatable Organic Insulators Fabricated at 150 °C”, IEEE Electron Device Letters, vol. 37, No. 8 (2016) pp. 1006-1009.

[7] The 29th International Display Workshops, Fukuoka (Japan), Dec. 2022 (Planned)

[6] The 242nd Electrochemical Society Meeting, Atlanta (USA), Oct. 2022 (Planned)

[5] 電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究会, 2022 年 4 月 23 日

[4] 電気学会, 電子材料研究会, 2021 年 11 月 18 日

[3]電子情報通信学会, EID2020-10, SDM2020-44, 2020 年 12 月 2 日

[2] CEATEC JAPAN 2019 電子ディスプレイシンポジウム, 2019 年 10 月 17 日

[1] 第 66 回応用物理学会春季学術講演会 講演奨励賞受賞記念講演, 2019 年 3 月 9 日

[11] The 29th International Display Workshops, Fukuoka (Japan), Dec. 2022 (Planned).

[10] The 242nd Electrochemical Society Meeting, Atlanta (USA), Oct. 2022 (Planned).

[9] Y. Magari, S G M. Aman, D. Sasaki, and M. Furuta, “Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering”, SID Display Week Symposium 2021, Virtual conference, May. 2021 (Poster).

[8] Y. Magari and M. Furuta, “Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited By Ar+O₂+H₂ Sputtering”, The 238th Electrochemical Society PRiME 2020, Virtual conference, Oct. 2020 (Oral).

[7] Y. Magari and M. Furuta, “Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors”, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020), Virtual conference, Sep. 2020 (Oral).

[6] Y. Magari, S G M. Aman, D. Koretomo, K. Masuda, K. Shimpo, and M. Furuta, “Low-temperature (150 °C) Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with Hydrogenated In–Ga–Zn–O Stacked Channel”, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), Aichi (Japan), Sep. 2019 (Oral).

[5] Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “Origin of Schottky diode properties in InGaZnO/Ag_xO oxide hetero interface”, The 7th International Symposium on Frontier Technology (ISFT2019), Pattaya (Thailand), Aug. 2019 (Oral).

[4] Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “XPS analysis of silver–oxide films deposited by reactive sputtering”, 7th International Symposium Transparent Conductive Materials (TCM2018), Crete (Greece), Oct. 2018 (Oral).

[3] Y. Magari, H. Makino, and M. Furuta, “XPS Analysis of Carrier Generation Mechanism in He- and Ar-Plasma-Treated InGaZnO”, 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017), Shimane (Japan), Aug. 2017 (Poster).

[2] Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, and M. Furuta, “Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In-Ga-Zn-O/AgO_x Schottky Gate”, The 230th Electrochemical Society PRiME 2016, Hawaii (USA), Oct. 2016 (Oral).

[1] Y. Magari, D. Wang, and M. Furuta, “Thermally Stable In-Ga-Zn-O Homojunction formed by Plasma Treatment with Substrate Bias for Self-Aligned Thin-Film Transistors”, The 15th International Meeting on Information Display 2015 (IMID2015), Daegu, South (Korea), Aug. 2015 (Poster).

[19] 曲 勇作，ゲディアプラシャント, 楊 卉, 張 雨橋, 松尾保孝, 太田裕道, “高背圧下でのPLDによる高移動度In₂O₃薄膜作製”, “全固体電気化学熱トランジスタ”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス＋オンライン, 2023年3月15日-18日

[18] 曲 勇作, 片岡 大樹, 葉 文昌, 古田 守, “固相結晶化In₂O₃:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm² V⁻¹ s⁻¹)”, 『シリコン材料・デバイス研 究会』, 高千穂ホール + オンライン, 2022 年 4 月（招待講演）.

[17] 曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌, “水素化In₂O₃ (In₂O₃:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響”, 『第69回応用物理学会春季学術講演会』, 25a-E202-7, 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022 年 3 月（口頭発表）.

[16] 曲 勇作, 古田 守, 葉 文昌, “酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用”, 『電気学会 電子材料研究会』, EFM-21-005, オンライン, 2021 年 11 月（招待講演）.

[15] 曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌, “高移動度水素化多結晶In₂O₃:H薄膜トランジスタ”, 『第 18 回薄膜材料デバイス研究会』, 11p-R04, オンライン, 2021 年 11 月（口頭発表+ポスター発表）.

[14] 曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌, “高移動度水素化In₂O₃薄膜トランジスタ”, 『第82回応用物理学会秋季学術講演会』, 12a-N206-9, オンライン, 2021 年 9 月（口頭発表）.

[13] 曲 勇作, 古田 守, “酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用”, 『電子情報通信学会』, SDM2020-44, オンライン, 2020 年 10 月（招待講演）.

[12] 曲 勇作，増田 健太郎，牧野 久雄, 古田 守, “水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価”, 『第81回応用物理学会秋季学術講演会』, 10a-Z20-11, オンライン, 2020 年 9 月（口頭発表）.

[11] 曲 勇作, 古田 守, “酸化物半導体ショットキーフレキシブルデバイス”, Combined Exhibition of Advanced Technologies (CEATEC2019), 幕張メッセ, 2019年10月（招待講演）.

[10] 曲 勇作，増田 健太郎，牧野 久雄, 古田 守, “Ar+O₂+H₂スパッタ In–Ga–Zn–O 薄膜の 電子状態評価”, 『第 80 回応用物理学会秋季学術講演会』, 20a-B31-1, 北海道大学札幌キャンパス, 2019 年 9 月（口頭発表）.

[9] 曲 勇作，増田 健太郎，古田 守, “酸化物半導体 Schottky 接合制御と金属半導体電界 効果トランジスタ応用”, 『第 14 回応用物理学・物理系中国四国支部学術講演会』, 高知工科大学永国寺キャンパス, 2019 年 8 月（口頭発表）.

[8] 曲 勇作, 濵田 賢一朗, 増田 健太郎, 古田 守, “Ar+O₂+H₂スパッタ InGaZnO に よる Schottky ダイオード特性向上”, 『第 66 回応用物理学会春季学術講演会』, 9p-S011-1, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019 年 3 月（招待講演）.

[7] 曲 勇作, 濵田 賢一朗, 増田 健太郎, 古田 守, “Ar+O₂+H₂スパッタ InGaZnO に よる Schottky ダイオード特性向上”, 『第 79 回応用物理学会秋季学術講演会』, 20p234A-14, 名古屋国際会議場, 2018 年 9 月（口頭発表）.

[6] 曲 勇作, 牧野 久雄, 橋本 慎輔, 濵田 賢一朗, 古田 守, “InGaZnO_X/AgO_X酸化物ヘテ ロ Schottky 界面の起源とフレキシブルデバイス応用”, 『シリコン材料・デバイス研 究会』, 沖縄県青年会館, 2018 年 4 月（口頭発表）.

[5] 曲 勇作, 橋本 慎輔, 濵田 賢一朗, 古田 守, “InGaZnO/AgO_X酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価
”, 『第 65 回応用物理学会春季学術講演会』, 19p-P11-22, 早 稲田大学⻄早稲田キャンパス, 2018 年 3 月（ポスター発表）.

[4] 曲 勇作, 牧野 久雄, 古 田守, “He および Ar プラズマによる InGaZnO_X導電層形成メ カニズムと自己整合型トランジスタ応用”, 『第 14 回薄膜材料デバイス研究会』, 20pR03, 龍谷大学響都ホール校友会館, 2017 年 10 月（口頭発表+ポスター発表）

[3] 曲 勇作, 戸田 達也, 牧野 久雄, 古田 守, “プラズマ処理による低抵抗 IGZO 領域の形 成とセルフアライン型 TFT への応用～プラズマ処理時の基板バイアスの効果～”, 『発光型非発光型ディスプレイ合同研究会』, 富山大学, 2016 年 1 月, （口頭発表+ポ スター発表）.

[2] 曲 勇作, 牧野 久雄, Dapeng Wang, 古田 守, “X線光電子分によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析～Heプラズマ処理時の基板バイアス効果～”, 『第76回応用物理学会秋季学術講演会』, 15p-1B-11, 名古屋国際会議場, 2015年9月（口頭発表）.

[1] 曲 勇作, 牧野 久雄, Dapeng Wang, 古田 守, “プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果～”, 『第62回応用物理学会春季学術講演会』, 13a-P18-21, 東海大学 湘南キャンパス, 2015年3月（ポスター発表）.

[9] 一般社団法人電気学会, 優秀論文発表賞A, 2021 年 11 月 18 日

[8] 第18回薄膜材料デバイス研究会, ベストペーパーアワード, 2021 年 11 月 12 日

[7] 高知工科大学博士後期課程修了式, 佐久間賞(学長賞), 2020年3月18日

[6] The 7th International Symposium on Frontier Technology, Outstanding Presentation Award, 25 Aug. 2019

[5] 第14回応用物理学・物理系中国四国支部学術講演会, 講演奨励賞, 2019年7月21日

[4] 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 講演奨励賞, 2018 年 9 月 20 日

[3] 第14回薄膜材料デバイス研究会, ベストペーパーアワード, 2017 年 10 月 20 日

[2] 高知工科大学修士課程修了式, 佐久間賞(学長賞), 2017年3月24日

[1] 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会, 技術委員会奨励賞, 2016 年 1 月 28 日

[3] 日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究, 22K14303 「半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出」 2022年4月 – 2025年3月, 4,550千円 （間接経費含む）

[2] 公益財団法人 池谷科学技術振興財団 2021年度単年度研究助成, 0331062-A 「酸化物半導体の低温固相成長制御による高性能フレキシブルデバイスの創出」 2021年4月 – 2022年3月, 1,200千円 （間接経費含む）

[1] 日本学術振興会 科学研究費助成事業 研究活動スタート支援, 20K22415 「酸化物半導体の低温固相成長制御による高性能フレキシブルデバイスの創出」 2020年9月 – 2022年3月, 2,860千円 （間接経費含む）

[1] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, マイナビニュース, 2022.10.11

[2] “北大，高性能透明酸化物の高電子移動度の起源解明”, オプトロニクスオンライン, 2022.10.11

[3] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, マピオン, 2022.10.11

[4] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, BIGLOBE, 2022.10.11

[5] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, NEWS PICKS, 2022.10.11

[6] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Mirage, 2022.10.14

[7] “Clarification of material properties for clearly better displays”, AlphaGalileo, 2022.10.14

[8] “Clarification of material properties for clearly better displays”, nanowerk, 2022.10.14

[9] “Analyzing a new material that promises faster, higher resolution displays”, Phys.org, 2022.10.14

[10] “Clarification of material properties for clearly better displays”, ScienceDaily, 2022.10.14

[11] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Day to news.com, 2022.10.15

[12] “Clarification Of Material Properties For Clearly Better Displays”, VerveTimes, 2022.10.15

[13] “Clarification Of Material Properties For Clearly Better Displays”, SWIFT TELECAST, 2022.10.15

[14] “Analyzing A New Material That Promises Faster, Higher Resolution Displays”, SWIFT TELECAST, 2022.10.15

[15] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Asia Research News, 2022.10.15

[16] “Clarification of fabric properties for clearly higher shows”, NM PRO News Magazine, 2022.10.16

[17] “Clarify material properties for better presentations with clarity”, precaliga, 2022.10.15

[18] “Clarification of material properties for dramatically better visualizations”, pandora-uk.org, 2022.10.15

[19] “重磅！ITZO电子迁移率是IGZO的5倍以上”, Wit OLED, 2022.10.15

[20] “New Material Offers Faster and Higher Resolution Displays”, AZO Materials, 2022.10.17

[2] 太田裕道, 曲 勇作, ジョンアロン, 卞 志平, 吉村充生, “熱トランジスタ”, 特願2024-018066, 2024年2月8日出願

[1] 太田裕道, 曲 勇作, ゲディア プラシャント ラマニクラル, “薄膜トランジスタ”, 特願2023-185660, 2023年10月30日