Profile

YOSHIMURA, Mitsuki (吉村 充生)

yoshimura.mitsuki.a9(at)elms.hokudai.ac.jp

Room: Research Institute for Electronic Science 3F 03-106
TEL: +81-11-706-9433 / FAX: +81-11-706-9432
keywords: Solid-state electrochemical thermal transistors
orcid0009-0005-2233-7063

Biography

April 2023 – Present  Master course student, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University

March 2023   Bachelor’s degree, School of Engineering, Hokkaido University (Supervisor: Prof. Hiromichi Ohta)

Original paper (4)

[4] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Switches with Large Thermal Conductivity Switching Widths”, Adv. Sci. 11, 2401331 (2024). (June 25, 2024) (DOI: 10.1002/advs.202401331Open Access

[3] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, and Hiromichi Ohta*, “Significant Reduction in the Switching Time of Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 4233 (2023). (July 24, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c00512)

[2] Zhiping Bian*, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors with Strontium Cobaltite – Strontium Ferrite Solid Solutions as the Active Layers”, ACS Appl. Mater. Interfaces 15, 23512-23517 (2023). (May 3, 2023) (DOI:10.1021/acsami.3c03660)

[1] Qian Yang, Hai Jun Cho, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Jinghuang Lin, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Adv. Funct. Mater. 33, 2214939 (2023). (February 21, 2023) (DOI: 10.1002/adfm.202214939Open Access

Presentations (16)

[16] 吉村充生, タムジェイソン, 卞 志平, コンヒョンジュン, ジョンロン, フウビン, 幾原雄一, 曲 勇作, 太田裕道, “希土類酸化物LnO2 (Ln = Ce, Pr, Tb)を用いた全固体熱トランジスタの特性評価”, 第85回 応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場, オンライン, 2024年9月16日-20日.

[15] 吉村充生, 卞 志平, コンヒョンジュン, ジョンアロン, 曲 勇作, 太田裕道, “熱の伝わりやすさを制御する熱トランジスタ – ありふれた酸化セリウムが優れた活性層になる原因 -“, 第10回 北大部局横断シンポジウム, 北海道大学, オンライン, 2024.09.06.

[14] 吉村充生, Ahrong Jeong, Jason Tam, 卞志平, Hyeonjun Kong, 久保田拓真, 曲勇作, Bin Feng, 幾原雄一, 大谷紀子, Jaekwang Lee, 太田裕道, “希土類酸化物薄膜の電気化学酸化還元による熱伝導率変調”, 日本固体イオニクス学会 第18回 固体イオニクスセミナー, 茨城県つくば市 筑波山ホテル青木屋, 2024.9.2-4.

[13] 吉村充生, 李 好博, 卞 志平, ジョンアロン, 曲 勇作, 田中秀和, 太田裕道, “高電子熱伝導率LaNiO3薄膜を活性層とする全固体熱トランジスタの作製”, 2024年 第71回 応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス,東京, 2024年3月22日-25日.

[12] 吉村充生, 李 好博, 卞 志平, ジョンアロン, 曲 勇作, 田中秀和, 太田裕道, “LaNiO3薄膜を活性層とする全固体熱トランジスタの作製”, 第59回 応用物理学会北海道支部 / 第20回 日本光学会北海道支部 合同学術講演会, 北海道大学, 札幌市, 2024.1.6 – 7.

[11] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, Hiromichi Ohta, “[D1-O301-02] Significant Reduction in the Switching Time of Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, MRM2023, Kyoto, Japan, December 11-16, 2023. (oral)

[10] Mitsuki Yoshimura, Zhiping Bian, Ahrong Jeong, Hiromichi Ohta, “Thermal Conductivity of RNiO3 (R = La, Nd, Pr, and Sm) Epitaxial Films”, The 2023 RIES-CEFMS (Research Institute for Electronic Science – Center for Emergent Functional Matter Science) Joint International Symposium, Rusutsu Resort Hotel and Convention Center, Japan, December 7-8, 2023. (Poster)

[9] Mitsuki Yoshimura, Haobo Li, Zhiping Bian, Ahrong Jeong, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, and Hiromichi Ohta, “Thermal Conductivity of LnNiO3 (Ln = La, Pr, Nd, and Sm) Epitaxial Films – Towards High Performance Solid-State Electrochemical Thermal Transistors –”, The 24th RIES-HOKUDAI International Symposium 開 [kai], Hokkaido University, Sapporo, Japan, December 6-7, 2023.

[8] Mitsuki Yoshimura, Haobo Li, Zhiping Bian, Ahrong Jeong, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, and Hiromichi Ohta, “Thermal conductivity of LnNiO3 (Ln = La, Pr, Nd, and Sm) epitaxial films”, The Mini-Workshop on Functional Materials Science (Organizers’ meeting), Sapporo, Japan, December 1-2, 2023. (Poster)

[7] 吉村充生, 卞志平, ジョンアロン, 太田裕道, “LnNiO3Ln = La, Pr, Nd, Sm)エピタキシャル薄膜の熱伝導率―全固体熱トランジスタの活性層探索―”, 第49回固体イオニクス討論会, 北海道大学フロンティア応用科学研究棟, 2023年11月15日

[6] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta, “Reduction of the Electrical Resistance of Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, The 4th Workshop on Functional Materials Science (FMS2023), Busan, South Korea, June 18-21, 2023. (poster)

[5] 吉村充生,楊 倩, 卞 志平, ジョへジュン, 太田裕道, “全固体熱トランジスタ特性に及ぼす固体電解質厚さの影響”,  第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス+オンライン, 2023年3月15日-18日

[4] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, Hai Jun Cho, Hiromichi Ohta, “Faster Operation of SrCoOx-based Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, 7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2023), Fukuoka, Japan, January 9-12, 2022 (Poster)

[3] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta, “Low Voltage Operation of Solid-State Thermal Transistors”, The 23rd RIES-Hokudai International Symposium 拓 [Taku], Sapporo, Japan, December 5-6, 2022.

[2] 吉村充生, 楊 倩, 卞 志平, ジョヘジュン, 太田裕道, “全固体熱トランジスタに及ぼす固体電解質厚さの影響”, 薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会 in 京都, 龍谷大学響都ホール(京都府京都市), 2022年11月17日-18日.

[1] 吉村充生, 楊 倩, 卞 志平, ジョヘジュン, 太田裕道, “全固体熱トランジスタに及ぼす固体電解質厚さの影響”, 令和4年度日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 伝国の杜(山形県米沢市), 2022年11月10日-11日. 優秀発表賞 受賞

Patent (1)

[1] 太田裕道, 曲勇作, ジョンアロン, 卞 志平, 吉村充生, “熱トランジスタ”, 特願2024-018066, 2024年2月8日出願

Press report (62)

[1]”北大,全固体電気化学熱トランジスタを開発”, Optronics Online, 2023.2.22

[2] “北大、熱伝導率を電気スイッチで切り替え 全固体熱トランジスタ開発”, 日刊工業新聞(電子版), 2023.2.24

[3] “熱伝導率を制御する全固体電気化学熱トランジスタを作製 北海道大学”, fabcross for エンジニア, 2023.2.24

[4] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, マイナビニュース, 2023.2.24

[5] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Mapionニュース, 2023.2.24

[6] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, ニュースイッチ, 2023.2.27

[7] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, Yahoo!ニュース, 2023.2.27

[8] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, NEWSPICKS, 2023.2.27

[9] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, gooニュース, 2023.2.27

[10] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, dmenuニュース, 2023.2.27

[11] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Science Daily, 2023.2.22

[12] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Nano Werk, 2023.2.22

[13] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, EurekAlert!, 2023.2.22

[14] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Bioengineer.org, 2023.2.22

[15] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Technewsboy, 2023.2.22

[16] “Scientists Develop Solid-State Electrochemical Thermal Transistor”, NEWS AZI, 2023.2.22

[17] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Today Headline, 2023.2.22

[18] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, NewsBeezer, 2023.2.22

[19] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, VERVE TIMES, 2023.2.22

[20] “Scientists make solid-state thermal transistor”, Compound Semiconductor Magazine, 2023.2.22

[21] “Solid-State Thermal Transistor: The Future of Thermal Management Technology”, AZO MATERIALS, 2023.2.22

[22] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Lab Manager, 2023.2.22

[23] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, RealClear Science, 2023.2.22

[24] “Developed Solid State Electrochemical Thermal Transistor”, Optimum Physics, 2023.2.22

[25] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, One Eye News, 2023.2.22

[26] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, KNOWLEDIA, 2023.2.22

[27] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, AlphaGalileo, 2023.2.24

[28] “Solid-State Electrochemical Thermal Transistor Without Using Liquid”, Semiconductor Engineering, 2023.2.24

[29] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Plato Data Intelligence, 2023.2.24

[30] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, NEWS BREAK, 2023.2.23

[31] “Scientists develop solid-state thermoelectric transistors”, News 7F, 2022.2.23

[32] “Hokkaido University: Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Targeted News Service, 2023.2.23

[33] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Newsbit, 2023.2.22

[34] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Eurasia Review, 2023.2.22

[35] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Tech Xplore, 2023.2.22

[36] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, asiaresearchnews, 2023.2.21

[37] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Mirage News, 2023.2.21

[38] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Techstreet Now, 2023.2.22

[39] “Tranzystor termiczny, jakiego jeszcze nie było. Wykorzystuje się go częściej, niż myślisz”, Chip.pl, 2023.2.22

[40] “Transistor thermique à semi-conducteurs démontré | Alerte Eurek !”, Posts US News, 2023.2.22

[41] “Criado primeiro transstor trmico de estado slido”, Vision Art News, 2023.2.28

[42] “浅析固态热晶体管开启热管理技术新时代”, 电子发烧友, 2023.2.25

[43] “展示了固态热晶体管”, 0XZX, 2023.2.22

[44] “首個固態電化學熱晶體管問世”, 科技日報 2023.2.22

[45] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Rakuten Infoseek News, 2023.2.24

[46] “北海道大学などが全固体電気化学熱トランジスタ、熱伝導率を電気制御”, 日経クロステック, 2023.3.20

[47] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, 日刊工業新聞(2024.07.04)

[48] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, ニュースイッチ by 日刊工業新聞 https://newswitch.jp/p/42142 (2024.07.04)

[49] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, 日刊工業新聞電子版 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/717092 (2024.07.04)

[50] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, Yahooニュース https://news.yahoo.co.jp/articles/7cca9a40a9fc20f496300c2eff89edabc460dd11 (2024.07.05)

[51] “北海道大学ら、熱トランジスタの高性能化に成功”, EE Times Japan https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2407/05/news074.html (2024.07.05)

[52] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, マイナビニュース https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240703-2978616/ (2024.07.03)

[53] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, gooニュース https://news.goo.ne.jp/article/newswitch/business/newswitch-42142.html (2024.07.05)

[54] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, BIGLOBEニュース https://news.biglobe.ne.jp/it/0703/mnn_240703_9276501371.html  (2024.07.03)

[55] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, exciteニュース https://www.excite.co.jp/news/article/Cobs_2785030/image/1/ (2024.07.05)

[56] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, マピオン https://www.mapion.co.jp/news/column/cobs2785030-1/(2024.07.03)

[57] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, dmenuニュースhttps://topics.smt.docomo.ne.jp/article/newswitch/business/newswitch-42142(2024.07.05)

[58] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, Rakuten Infoseek News https://news.infoseek.co.jp/photo/mynavi_2785030/ (2024.07.05)

[59] “北大など、高性能な全固体熱トランジスタ 廃熱利用に”, NIKKEI Tech Foresight  https://www.nikkei.com/prime/tech-foresight/article/DGXZQOUC1219J0S4A710C2000000 (2024.07.17)

[60] “熱の伝わりやすさを制御”, 日本経済新聞 (2024.7.30)

[61] “熱の伝わりやすさを制御、廃熱利用目指す 北大など”, 日本経済新聞オンライン (2024.07.30)

[62]  “平和な用途に”, 日刊工業新聞 (2024.07.08)

Award (3)

[3] 吉村充生, 第27回応用物理学会北海道支部 発表奨励賞, LaNiO3薄膜を活性層とする全固体熱トランジスタの作製(共著者:李 好博, 卞 志平, ジョンアロン, 曲 勇作, 田中秀和, 太田裕道)(2024.1.19) 賞状

[2] YOSHIMURA MItsuki, Dean’s Award for Academic Achievement, from School of Engineering, Hokkaido University

[1] 吉村充生優秀発表賞令和4年度日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 吉村充生, 楊 倩, 卞 志平, ジョヘジュン, 太田裕道, “全固体熱トランジスタに及ぼす固体電解質厚さの影響” (2022.11.11) 賞状