業績リスト

2018年

著書

[1] Hiromichi Ohta and Hidenori Hiramatsu, 10.Fabrication, characterization, and modulation of functional nanolayers, Nanoinformatics, Ed. Isao Tanaka, Springer (26 Feb. 2018)

招待講演

[1] 太田裕道, “半導体薄膜の熱電特性”, 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会, 北海道大学 百年記念会館(北海道, 札幌市), 2018年2月28日-3月1日(招待講演)

[2] 太田裕道, “二次元電子系の熱電ゼーベック効果”, 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 西早稲田キャンパス(東京都, 新宿区), 2018年3月17日-20日(招待講演)

[3] Hiromichi Ohta, “TBA”, Nano Korea 2018, KINTEX, Ilsan, South Korea, 11th-13th July, 2018 (Invited)

[4] 太田裕道, “TBA”, 国立大学共同利用・共同研究拠点協議会 知の拠点セミナー, 京都大学東京オフィス(東京都・千代田区), 2018年7月20日

[5] Hiromichi Ohta, “Development of three-terminal electrochromic device using water electrolysis”, IUMRS-ICEM 2018, Daejeon, South Korea, 19th-24th August, 2018 (Invited)

一般講演

[1] M. Wei, A. V. Sanchela, B.Feng, J. Lee, G. Kim, H. Jeen, Y. Ikuhara and H. Ohta, “Origin of mobility suppression in La-doped BaSnO3 films”, 第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北海道大学・学術交流会館(北海道・札幌市), 2018年1月6日-7日 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス, 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[2] 小山田達郎, 片瀬貴義, 太田裕道, 山ノ内路彦, “La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ホールバー構造における電流誘起有効磁場の膜厚・チャネル方向依存性”, 第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北海道大学・学術交流会館(北海道・札幌市), 2018年1月6日-7日

[3] Y. Zhang, B. Feng, H. Hayashi, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Double enhancement of thermoelectric power factor in advanced oxide two-dimensional electron system”, 2018 MRS Spring Meeting & Exhibit, Phoenix, Arizona, 2-6 April, 2018 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[4] Rongbin Wang, Keke Fu, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Steffen Duhm, and Norbert Koch, “Vanadium dioxide as high work function electrode”, DPG Spring Meeting and EPS-CMD27, Berlin, 11-16 March, 2018 国際共同研究

[5] Hiroaki Nakade, Shun Kondo, Eita Tochigi, Bin Feng, Yukio Nezu, Hiromichi Ohta, Naoya Shibata, and Yuichi Ikuhara, “Direct observation of martensitic phase transformation in yttria stabilized tetragonal zirconia”, 6th International Symposium on Advanced Ceramics (ISAC-6), Tohoku University, Sendai, Japan, March 12-14, 2018 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[6] Hiroaki Nakade, Shun Kondo, Eita Tochigi, Bin Feng, Yukio Nezu, Hiromichi Ohta, Naoya Shibata, and Yuichi Ikuhara, “In-situ TEM observation of stress induced phase transformation in zirconia”, 18th International Conference on the Strength of Materials (ICSMA 18), The Ohio State University, Clumbus, Ohio, USA, July 15-19, 2018 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

その他

[1] 太田裕道, “捨てている熱を電気に変えよう”, 札幌市青少年科学館 先端科学技術講座, 18 Feb. 2018 (Domestic)

[2] H. Ohta, Co-organizer of IUMRS-ICEM 2018, Daejeon, South Korea, 19th-24th August, 2018

2017年

原著論文

[1] Eun Sung Kim, Jae-Yeol Hwang, Kyu Hyoung Lee, Hiromichi Ohta, Young Hee Lee, and Sung Wng Kim, “Graphene Substrate for Van der Waals Epitaxy of Layer Structured Bismuth Antimony Telluride Thermoelectric Film”, Adv. Mater. 29, 1604899 (2017). (DOI: 10.1002/adma.201604899). 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス

[2] Kazuma Funahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Naoki Imazu, Ko Nakayama, Kaito Kanahashi, Hiroyuki Shirae, Suguru Noda, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, and Taishi Takenobu, “Remarkably air- and moisture-stable hole-doped carbon nanotube films by a boron-based oxidant”, Appl. Phys. Express 10, 035101 (2017).(DOI:10.7567/APEX.10.035101). 物質デバイス領域共同研究拠点

[3] Shota Katayama, Takayoshi Katase, Tetsuya Tohei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Reactive solid-phase epitaxy and electrical conductivity of layered sodium manganese oxide films”, Cryst. Growth Des. 17, 1849-1853 (2017). (doi: 10.1021/acs.cgd.6b01810) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究, 物質デバイス領域共同研究拠点

[4] Takayoshi Katase, Kenji Endo, and Hiromichi Ohta, “Infrared-transmittance tunable metal-insulator conversion device with thin-film-transistor-type structure on a glass substrate”, APL Mater. 5, 056105 (2017). (doi: 10.1061/1.4983276)

[5] Yuqiao Zhang, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Tetsuya Tohei, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermoelectric phase diagram of the SrTiO3-SrNbO3 solid solution system”, J. Appl. Phys. 121, 185102-1-7(2017). (doi: 10.10631/1.4983359) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究, 物質デバイス領域共同研究拠点

[6] Amit Khare, Dongwon Shin, Taesup Yoo, Minu Kim, Tae Dong Kang, Jaekwang Lee, Seulki Roh, Jungseek Hwang, Sung Wng Kim, Tae Won Noh, Hiromichi Ohta, and Woo Seok Choi, “Topotactic Metal-Insulator Transition in Epitaxial SrFeOx Thin Films”, Adv. Mater. 29, 1606566 (2017). (DOI: 10.1002/adma.201606566) 物質デバイス領域共同研究拠点

[7] A.V. Sanchela, T. Onozato, B. Feng, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Thermopower modulation clarification of the intrinsic effective mass in a transparent oxide semiconductor, BaSnO3“, Phys. Rev. Materials 1, 034603 (2017). (DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.1.034603) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[8] Shao-Pin Chiu, Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Hiromichi Ohta, and Juhn-Jong Lin, “Gate tunable spin-orbit coupling and weak antilocalization effect in an epitaxial La2/3Sr1/3MnO3 thin film”, Phys. Rev. B 96, 085143 (2017). (DOI: 10.1103/PhysRevB.96.085143) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス

[9] Jae-Yeol Hwang, Young-Min Kim, Kyu Hyoung Lee, Hiromichi Ohta, Sung Wng Kim, “Te monolayer-driven spontaneous van der Waals epitaxy of two-dimensional pnictogen chalcogenide film on sapphire”, Nano Lett. 17, 6140 (2017). (DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02737) 国際共同研究

[10] Takayoshi Katase, Yuki Suzuki , Hiromichi Ohta, “Highly conducting leakage-free electrolyte for SrCoOx-based non-volatile memory device”, J. Appl. Phys. 122, 135303 (2017). (DOI: 10.1063/1.5005520)

[11] Yukio Nezu, Yu-Qiao Zhang, Chunlin Chen, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Solid-phase epitaxial film growth and optical properties of a ferroelectric oxide, Sr2Nb2O7“, J. Appl. Phys.122, 135305 (2017). (DOI: 10.1063/1.4997813) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[12] Hiromichi Ohta*, Sung Wng Kim, Shota Kaneki, Atsushi Yamamoto, and Tamotsu Hashizume*, “High thermoelectric power factor of high-mobility two-dimensional electron gas”, Adv. Sci. 4, 1700696 (2017). (DOI: 10.1002/advs.201700696) 国際共同研究, 専攻内共同研究 北大プレス発表 PDF English version

プレプリント

[1] Yuqiao Zhang, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Tetsuya Tohei, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermoelectric phase diagram of the SrTiO3-SrNbO3 solid solution system”, arXiv:1704.03613.

[2] Anup V. Sanchela, Takaki Onozato, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermopower modulation clarification of the intrinsic effective mass in a transparent oxide semiconductor, BaSnO3“, arXiv:1704.03653.

[3] Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Takayoshi Katase, and Hiromichi Ohta, “Current-induced effective magnetic field in a half-metallic oxide La0.67Sr0.33MnO3“, arXiv:1704.05989.

[4] Takayoshi Katase, Kenji Endo, and Hiromichi Ohta, “Infrared-transmittance tunable metal-insulator conversion device with thin-film-transistor-type structure on a glass substrate”, arXiv:1705.00130.

解説・総説

[1] 太田裕道, “特別記事・注目をあびるエレクトロクロミック材料とその可能性-窓ガラスがメモリーとして利用可能に-”, 工業材料(日刊工業新聞社), 65 [1], 78-82 (2017).

[2] Takayoshi Katase and Hiromichi Ohta, “Transition-metal-oxide based functional thin-film device using leakage-free electrolyte”, J. Ceram. Soc. Jpn. 125, 608-615 (2017). The 71st CerSJ Awards for Advancements in Ceramic Science and Technology (Dr. Katase): Review

著書

[1] Hiromichi Ohta, Chapter 18 Thermoelectrics based on metal oxide thin films in “Metal Oxide-Based Thin Film Structures (1st Edition) Formation, Characterization and Application of Interface-based Phenomena”, Ed. Nini Pryds, Vicenzo Esposito (ISBN 9780128111666), ELSEVIER.

招待講演

[1] H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of two dimensional electron gas in SrTiO3“, International conference on Advances in Functional Materials, Anna University, Chennai, India, 2017年1月6日–8日 (Invited)

[2] 太田裕道, “導電性酸化物薄膜の物性改質方法”, 第64回応用物理学会春季学術講演会(合同セッションK, シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」), パシフィコ横浜, 神奈川, 2017年3月14日-17日(招待講演)

[3] 片瀬貴義, 太田裕道, (平成28年度進歩賞受賞講演)”遷移金属酸化物の酸化・還元を利用した薄膜機能デバイスの開発”, 日本セラミックス協会2017年 年会, 日本大学駿河台キャンパス, 東京, 2017年3月17日-19日

[4] 片瀬貴義, 太田裕道, “遷移金属酸化物の電気化学反応を利用した機能変調デバイス”, 6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学, 名古屋, 2017年3月30日

[5] H. Ohta, “Electrochemical function modulation of oxides using three-terminal thin film transistor structure with water infiltrated insulator”, The 3rd Functional Oxide Thin Films for Advanced Energy and Information Technology, Sheraton Roma, Roma, Italy, 2017年7月5日–8日 (Invited)

[6] H. Ohta, “Electric field modulation of thermopower in two-dimensional electron gas”, IUMRS-ICAM (The 15th International Conference on Advanced Materials), Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan, 2017年8月27日–9月1日 (Invited)

[7] 太田裕道, “水を使った機能性酸化物薄膜の光・電気・磁気物性切替え手法”, 産業技術総合研究所 中部センター 講演会, 産総研中部センター(愛知県, 名古屋市), 2017年9月5日(招待講演)

[8] 太田裕道, “固相エピタキシャル成長法を駆使した機能性酸化物ナノ層の創製”, 日本金属学会 2017年 秋期講演大会, 北海道大学, 札幌, 2017年9月6日―8日(基調講演)

[9] Hiromichi Ohta, “Electrochemical modulation of functional oxides using three-terminal thin film transistor structure with water infiltrated gate dielectrics”, Seminar at Tshinghua University (hosted by Prof. Yu Pu), Tshinghua University, Beijing, China, 2017年9月26日(セミナー講演)

[10] Hiromichi Ohta, “Epitaxial film growth and some applications of functional oxides”, Distinguished Lecture Series at Materials Science & Engineering, University of Toronto, Toronto (Canada), 2017年10月3日(招待講演)

[11] Hiromichi Ohta, “Electric field thermopower modulation measurement”, Seoul National University, Seoul (Korea), 2017年10月13(セミナー講演)

[12] 太田裕道, “薄膜トランジスタ構造を用いた熱電能の計測”, 第14回 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2017年10月20日-21日(招待講演)

[13] Hiromichi Ohta, Yu-Qiao Zhang, “Double enhancement of thermoelectric power factor in oxide two-dimensional electron system via precise dimensionality control”, 2017 Fall Korean Physical Society (KPS) Meeting, Gyeongju, Korea, 25-27 October, 2017 (Invited)

[14] 片瀬貴義, 太田裕道, “含水多孔質ガラスを用いたオンデマンド赤外線透過率-導電率制御デバイス”, 日本真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会, 機械振興会館(東京都)2017年10月31日(招待講演)

[15] Takayoshi Katase and Hiromichi Ohta, “Room-temperature-protonation-driven optoelectronic device with water-gated thin-film-transistor structure”, the 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics, Las Vegas, USA, 15-17 November, 2017 (Invited)

[16] H. Ohta, A. Sanchela, “Thermopower of oxide heterostructure”, ICAMD2017 (The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices), Jeju, Korea, 5-8 December, 2017 (Invited)

一般講演

[1] Yu-Qiao Zhang and Hiromichi Ohta, “Improvement of thermoelectric power factor of heavily Nb-doped SrTiO3 superlattices”, 第52回応用物理学会北海道支部/第13回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北見工業大学, 北見, 2017年1月7日-8日

[2] 小野里尚記,片瀬貴義,廣野未沙子, 水野 拓, 太田裕道, “3端子TFT 構造アモルファスWO3エレクトロクロミック素子の開発と動作検証”, 第52回応用物理学会北海道支部/第13回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北見工業大学, 北見, 2017年1月7日-8日

[3] Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Nguyen Thanh Cuong, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, Shinya Takaishi and Taishi Takenobu, “Thermoelectric Properties in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Monolayers and One-Dimensional Metal Complexes”, 3rd International Symposium on π-System Figuration, Nagoya University, Nagoya, 2017年1月27日-28日 物質デバイス領域共同研究拠点

[4] Anup Sanchela and Hiromichi Ohta, “Electric Field Thermopower Modulation of BaSnO3 Epitaxial Film”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜, 2017年3月14日-17日

[5] Yu-Qiao Zhang and Hiromichi Ohta, “Effective power factor of Sr(Ti,Nb)O3/SrTiO3 superlattices”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜, 2017年3月14日-17日

[6] 根津有希央,陳 春林, 幾原雄一, 太田裕道, “ホモロガス相SrnNbnO3n+2の固相エピタキシャル薄膜成長”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜, 2017年3月14日-17日 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[7] 福地 厚,有田正志,片瀬貴義,太田裕道,高橋庸夫, “超平坦a-TaOx薄膜を用いた抵抗変化メモリ動作における導電性フィラメントの直接観察”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜, 2017年3月14日-17日 専攻内共同研究

[8] Tatsuro Oyamada, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, and Michihiko Yamanouchi, “Thickness Dependence of Current-Induced Effective Magnetic Field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 heterostructure”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 横浜, 2017年3月14日-17日

[9] Anup V. Sanchela, Takaki Onozato, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermopower modulation clarification of intrinsic carrier transport of novel transparent conducting oxide, BaSnO3“, IUMRS-ICAM 2017 (The 15th International Conference on Advanced Materials), Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan, 27 Aug.-1 Sep. 2017 (Oral). 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究  Award for encouragement of research

[10] Y. Zhang, B. Feng, H. Hayashi, T. Tohei, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Thermoelectric Performance of SrTi1-xNbxO3 System (Bulk and Superlattices)”, IUMRS-ICAM 2017 (The 15th International Conference on Advanced Materials), Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan, 27 Aug.-1 Sep. 2017 (Oral). 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[11] 金橋魁利,竹腰直哉,Yong-Young Noh,太田裕道,田中久暁,竹延大志, “電解質ゲートによる導電性高分子DPPT-TTの熱電特性変調”, 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会, 福岡国際会議場(福岡県, 福岡市), 2017年9月5日-8日 物質デバイス領域共同研究拠点

[12] Kaito Kanahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Masatou Ishihara, Masataka Hasegawa, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima and Taishi Takenobu, “Extremely high-density hole-carrier doping into graphene films by a boron-based oxidant”, 第53回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン 総合シンポジウム, 京都大学 宇治 おうばくプラザ(京都府, 宇治市), 2017年9月13日-15日(ポスター) 物質デバイス領域共同研究拠点

[13] 金橋魁利, 竹腰直哉, Yong-Young Noh, 太田裕道, 田中久暁, 竹延大志, “導電性高分子のフィリング制御と熱電変換特性”, 日本物理学会 2017年秋季大会, 岩手大学(岩手県, 盛岡市), 2017年9月21日-24日(ポスター) 物質デバイス領域共同研究拠点

[14] 竹腰直哉, 金橋魁利, 田中久暁, 伊東裕, 太田裕道, 竹延大志, “イオン液体ゲートトランジスタによる導電性高分子PBTTTの熱電特性制御”, 日本物理学会 2017年秋季大会, 岩手大学(岩手県, 盛岡市), 2017年9月21日-24日(ポスター) 物質デバイス領域共同研究拠点

[15] 小野里尚記, Yi-Ming Chang, Yu-Miin Sheu, 太田裕道, “配向制御した層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の熱電特性”, 平成29年度日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会, 東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市), 2017年11月1日-2日 国際共同研究  優秀発表賞 受賞

[16] 根津有希央, 張 雨橋, 陳 春林, 幾原雄一, 太田裕道, “固相エピタキシャル成長法によるSr2Nb2O7エピタキシャル薄膜の作製と光物性”, 平成29年度日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会, 東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市), 2017年11月1日-2日(ポスター) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[17] Yuqiao Zhang, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta, “Large enhancement in effective thermoelectric power factor of Sr(Ti,Nb)O3 superlattice”, 平成29年度日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会, 東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市), 2017年11月1日-2日 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[18] Anup V. Sanchela, Takaki Onozato, Bin Feng, Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta, “Electric field thermopower modulation of a transparent oxide semiconductor, BaSnO3: Carrier effective mass and degenerate/non-degenerate threshold”, 平成29年度日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会, 東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市), 2017年11月1日-2日 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[19] Anup V. Sanchela, H. Zensyou, Bin Feng, Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta, “High-mobility transparent conducting BaSnO3 film”, The 18th RIES-Hokudai International Symposium 極 [Kyoku], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 30 Nov.-1 Dec. 2017(ポスター) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[20] Y. Zhang, B. Feng, H. Hayashi, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Double enhancement of thermoelectric power factor in advanced oxide two-dimensional electron system”, The 18th RIES-Hokudai International Symposium 極 [Kyoku], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 30 Nov.-1 Dec. 2017(ポスター) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[21] Y. Nezu, Y. Zhang, C. Chen, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Solid-phase epitaxial film growth and optical properties of a ferroelectric oxide, Sr2Nb2O7“, The 18th RIES-Hokudai International Symposium 極 [Kyoku], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 30 Nov.-1 Dec. 2017(ポスター) 科研費新学術領域「ナノ構造情報」共同研究

[22] Takaki Onozato, Yi-Ming Chang, Yu-Miin Sheu, and Hiromichi Ohta, “Absence of thermal conductivity anisotropy in Ca3Co4O9“, The 18th RIES-Hokudai International Symposium 極 [Kyoku], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 30 Nov.-1 Dec. 2017(ポスター) 国際共同研究

報道

[1] 日経産業新聞 「解剖先端拠点」で, 「北大電子科学研究所 異分野融合、独創性光る」の記事の中で, 当研究室で行っている研究内容についても紹介された, 2017年7月11日

[2] “北海道大学ほか 高効率な熱電変換材料 窒化ガリ由来で発見”, 日刊産業新聞 朝刊 12面, 2017年11月21日

[3] “Method for recycling waste energy with 2D electron gas developed”, Electronics 360, November 20, 2017

[4] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Science Daily, November 20, 2017

[5] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Technology Breaking News, November 20, 2017

[6] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, EurekAlert!, November 20, 2017

[7]  “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Phys.org, November 20, 2017

[8] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Science Newsline, November 20, 2017

[9] “Reusing waste energy with 2D electron gas”, Humanitarian News, November 20, 2017

[10] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Physics News, November 20, 2017

[11] “Reusing waste energy with 2D electron gas”, EnviromentGuru, November 20, 2017

[12] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, The Expanding Universe, November 20, 2017

[13] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, 15 Minute News, November 20, 2017

[14] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Parallel State, November 20, 2017

[15] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, My News, November 20, 2017

[16] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, HiTechDays, November 20, 2017

[17] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, News Locker, November 20, 2017

[18] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, telezkope, November 20, 2017

[19] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Energy Daily, November 23, 2017

[20] “青色LEDの材料を活かして、熱を電気に高効率に変換!:北海道大学/産業技術総合研究所ほか”, つくばサイエンスニュース, 2017年11月24日

[21] “青色LED材料を活かして、熱を電気に変換”, 産業技術総合研究所プレスリリース, 2017年11月27日

[22] “青色LED材料を活かして、熱を電気に変換”, J-Net 21, 2017年11月27日

[23] “北大と産総研など、半導体二次元電子ガスが熱電変換材料に比べ2~6倍も大きな熱電変換出力因子を示すことを発見”、日本経済新聞(プレスリリース)、2017年11月27日

[24] “産総研, GaNを用いた高効率熱電変換に成功”, OPTRONICS ONLINE, 2017年11月27日

[25] “北大と産総研など、半導体二次元電子ガスが大きな熱電変換出力因子を示すことを発見”, fabcross for エンジニア, 2017年11月28日

[26] “青色LED材料を活かして熱電材料を高性能化、北大など(森元美稀)”, 日経テクノロジーonline, 2017年11月29日

[27] “青色LED材料を活かして、熱を電気に変換”, “科学技術書・理工学書”読書室-SBR-(科学技術研究者 勝 未来), 2017年11月29日

[28] “北大ら、性能を高める熱電材料の設計指針を示す(馬本隆綱, EE Times Japan)”, EE Times Japan, 2017年11月29日

[29] “北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍(早川厚志 ) “, マイナビニュース, 2017年12月1日

[30] “北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍”, exciteニュース, 2017年12月1日

[31] “青色LED材料を活かして熱電材料を高性能化、北大など”, エネ速, 2017年11月29日

[32] “北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍”, gooニュース, 2017年12月1日

[33] “北大など 青色LED材料で熱を電気に効率変換”, 日本経済新聞(電子版), 2017年12月3日

[34] “青色LED材料で熱を電気に効率変換”, 日経新聞 10面, 2017年12月4日

[35] “青色LED材料を活かして,熱を電気に変換 ~高性能な熱電材料のための新しい材料設計指針~”, ナノテク情報, 2017年12月8日

受賞

[1] 第71回(平成28年度)日本セラミックス協会賞 進歩賞, 片瀬貴義, 「遷移金属酸化物の酸化・還元を利用した薄膜機能デバイスの開発」, 2017年6月2日

[2] Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICAM 2017, Anup V. Sanchela, “Thermopower modulation clarification of intrinsic carrier transport of novel transparent conducting oxide, BaSnO3“, IUMRS-ICAM 2017 (The 15th International Conference on Advanced Materials), Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan, 27 Aug.-1 Sep. 2017 (Oral).

[3] 平成29年度日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会 優秀発表賞 小野里尚記, Yi-Ming Chang, Yu-Miin Sheu, 太田裕道, “配向制御した層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の熱電特性”, 東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市), 2017年11月1日-2日 国際共同研究

その他

[1] 太田裕道, “メモリデバイスを高容量化する新しい方法/窓ガラスがメモリーになる?”, JST 新技術説明会, 東京, 2017年1月19日(Youtube動画

[2] 太田裕道, “固相エピタキシャル成長法を駆使した機能性酸化物ナノ層の創製”, 文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究 「ナノ構造情報のフロンティア開拓‐材料科学の新展開」 第4回公開シンポジウム, メルパルク京都, 京都, 2017年3月24日

[3] Hiromichi Ohta, “The switch that could double USB memory”,  Spotlight on Research (2016-2017 Hokkaido University)17-18 (2017). PDF

[4] 太田裕道, “色と導電性の変化で情報表示・記憶する半導体素子-窓ガラスや鏡がメモリーに?”, 北海道大学研究シーズ集 Vol. 4, p.101 (2017) PDF

[5] 太田裕道,“石ころの素材を使って、世の中で役に立つデバイスを創ります”,北海道大学 大学案内 Be Ambitious 2017年度版,p.10 (2017発行)

[6] 太田裕道, “酸化物ナノ層の熱電特性”, 文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究 「ナノ構造情報のフロンティア開拓‐材料科学の新展開」 第9回全体会議, メルパルク京都, 京都, 2017年7月19日

[7] Yu-Qiao Zhang, Feng Bin, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Thermoelectric power factor of Sr(Ti,Nb)O3/SrTiO3 superlattices”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京, 2017年7月25日‐26日(ポスター発表)

[8] 小野里尚記, 太田裕道, “層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の熱電特性-結晶方位依存性-”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京, 2017年7月25日‐26日(ポスター発表)

[9] 根津有希央, Yu-Qiao Zhang, Chunlin Chen, 幾原雄一, 太田裕道, “固相エピタキシャル成長法によるSr2Nb2O7エピタキシャル薄膜の作製と光物性”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京, 2017年7月25日‐26日(ポスター発表)

[10] 小山田達郎, 片瀬貴義, 太田裕道, 山ノ内路彦, “酸化物ハーフメタルLa0.67Sr0.33MnO3における電流誘起有効磁場の膜厚依存性”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京, 2017年7月25日‐26日(ポスター発表)

[11] 太田裕道, “透明酸化物半導体BaSnO3薄膜のキャリア有効質量”, 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス G1 エレクトロニクス 物質・デバイス グループ分科会, 西の雅常盤, 山口, 2017年10月31日-11月1日

[12] 山ノ内路彦, “酸化物ヘテロ構造における電流誘起有効磁場”, 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス G1 エレクトロニクス 物質・デバイス グループ分科会, 西の雅常盤, 山口, 2017年10月31日-11月1日

2016年

原著論文

[1] B. Feng, I. Sugiyama, H. Hojo, H. Ohta, N. Shibata, and Y. Ikuhara, “Atomic structures and oxygen dynamics of CeO2 grain boundaries”, Sci. Rep. 6, 20288 (2016).(doi:10.1038/srep20288)

[2] T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device with leakage-free electrolyte”, Adv. Electron. Mater. (2016.3.29 online).(doi:10.1002/aelm.201600044) (プレプリント) 北大プレス発表 PDF English version

[3] T. Onozato, T. Katase, A. Yamamoto, S. Katayama, K. Matsushima, N. Itagaki, H. Yoshida, and H. Ohta, “Optoelectronic properties of valence-state-controlled amorphous niobium oxide”, J. Phys. Condens. Mater. 28, 255001 (2016).(doi:10.1088/0953-8984/28/25/255001) 物質デバイス領域共同研究拠点

[4] T. Katase, T. Onozato, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “A transparent electrochromic metal-insulator switching device with three-terminal transistor geometry”, Sci. Rep. 6, 25819 (2016). (doi:10.1038/srep25819) 北大プレス発表 PDF

[5] K. Yokoyama, S. Yokoyama, Y. Sato, K. Hirano, S. Hashiguchi, K. Motomiya, H. Ohta, H. Takahashi, K. Tohji, and Y. Sato, “Efficiency and long-term durability of nitrogen-doped single-walled carbon nanotube electrocatalyst synthesized by defluorination-assisted nanotube-substitution for oxygen reduction reaction”, J. Mater. Chem. A 4, 9184 (2016).(doi:10.1039/C6TA02722A ) 物質デバイス領域共同研究拠点

[6] Jiang Pu, Kaito Kanahashi, Nguyen Thanh Cuong, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, and Taishi Takenobu, “Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers”, Phys. Rev. B 94, 014312 (2016). (doi:10.1103/PhysRevB.94.014312) 物質デバイス領域共同研究拠点

[7] Ning Li, Takayoshi Katase, Yanbei Zhu, Takao Matsumoto, Tomonari Umemura, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta, “Solid-liquid phase epitaxial growth of Li4Ti5O12 thin film”, Appl. Phys. Express 9, 125501 (2016).(doi:10.7567/APEX.9.125501)

プロシーディング

[1] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Electrolysis-induced protonation of VO2 thin film transistor for the metal-insulator phase modulation”, Proc. SPIE 9749, Oxide-based Materials and Devices VII, 974916, 974916 (2016).(doi:10.1117/12.2222255)

招待講演

[1] H. Ohta and T. Katase, “Electro-chemical redox switching of functional oxide thin films using water-infiltrated nanoporous glass”, International Workshop on Oxide Surfaces (IWOX-X), Dalian / Liaoyang, China, 2016年1月10日-15日 (Invited)

[2] T. Katase and H. Ohta, “All-Solid-State Electro-Magnetic Phase Switching Device Operating at Room Temperature”, Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Ceramics, Hong Kong, China, 2016年1月25日-28日 (Invited)

[3] 片瀬貴義, 太田裕道, “水の電気分解を利用した機能性酸化物の電気・磁 気・光物性変調デバイス”, 第311回 応用セラミックス研究所学術講演会 [第7回 材料構造講演会], 東京工業大学すずかけ台キャンパス, 神奈川, 2015年2月3日 (Invited)

[4] T. Katase and H. Ohta, “Reversible switching of optoelectric and electromagnetic properties of functional oxides using water-infiltrated glass”, SPIE Photonics West 2016 Oxide-based Materials and Devices VII, San Francisco, USA, 2016年2月13日-18日 (Invited)

[5] T. Katase and H. Ohta, “Electrochemically switchable electromagnetic device with water electrolysis”, Mini-workshop on oxides and related materials, Tohoku University, Sendai, Japan, 2016年2月24-25日 (Invited)

[6] T. Katase and H. Ohta, “Reversibly tunable opto-electronic and electro-magnetic device of transition metal oxides using water-infiltrated glass”, Seminar at Institute of Physics, Academia Sinica (hosted by Dr. Wei-Li Lee), Academia Sinica, Taiwan, 27 July, 2016 (Invited)

[7] T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversible switching from an insulator to a conducting magnet-New way toward high capacity memory device-“, International Research School: Electronic States and Phases Induced by Electric or Optical Impacts (IMPACT 2016), Cargese, France, 23 Aug.-2 Sep., 2016 (Invited)

[8] 片瀬貴義, 鈴木雄喜, 太田裕道, “絶縁体から導電性磁石への可逆切替デバイス-高密度情報記憶素子に向けて-“, 日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム, 広島大学 東広島キャンパス, 広島県東広島市, 2016年9月7日‐9日(依頼講演)

[9] 太田裕道, 金木奨太, 橋詰 保, “熱電能電界変調法:AlGaN/GaN-MOSHEMT”, 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ(新潟県新潟市), 2016年9月13日-16日(分科内招待講演) 専攻内共同研究

[10] 片瀬貴義, 太田裕道, “光・電気・磁気特性を切替え可能な薄膜機能デバイスの開発”, 第12回フロンティア材料研究所講演会、2016年度フロンティア材料研究所学術賞 受賞記念講演会、東京工業大学フロンティア材料研究所、東京工業大学、すずかけ台キャンパス、神奈川、2016年9月21日

[11] T. Katase and H. Ohta, “Optoelectronic and electromagnetic switching device with transition metal oxides using water-leakage-free electrolyte”, Seminar at Soochow University (hosted by Prof. Steffen Duhm), Suzhou, China, 10 October, 2016 (Invited)

[12] 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “赤外線透過率-導電率同時切替デバイスの開発~多機能型スマートウィンドウに向けて~”, クロモジェニック研究会, 産業技術総合研究所中部センター, 愛知, 名古屋市, 2016年10月21日

[13] H. Ohta and W. S. Choi, “Unusually large thermopower of nanostructured oxides”, ENGE 2016 (International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment), Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, South Korea, Nov. 6-9, 2016 (Invited) 国際共同研究・ 物質デバイス領域共同研究拠点

一般講演

[1] 鈴木雄喜, 片瀬貴義,太田裕道, “含水多孔質ガラスを用いた全固体導電率-磁性スイッチングデバイス”, 第51回応用物理学会北海道支部学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 札幌, 2016年1月9日-10日

[2] 遠藤賢司, 片瀬貴義,太田裕道, “オンデマンド電気抵抗-赤外線透過率切替デバイス”, 第51回応用物理学会北海道支部学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 札幌, 2016年1月9日-10日

[3] 小野里尚記, 片瀬貴義,片山翔太, 太田裕道, “超平坦アモルファスNbOx薄膜の作製と光・電子輸送特性”, 第51回応用物理学会北海道支部学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 札幌, 2016年1月9日-10日

[4] 片山翔太, 片瀬貴義,太田裕道, “反応性固相エピタキシャル成長法によるNaxMnO2薄膜の作製とイオン輸送特性”, 第51回応用物理学会北海道支部学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 札幌, 2016年1月9日-10日

[5] 片瀬貴義、遠藤賢司、太田裕道, “オンデマンド赤外線透過率-導電率同時切替デバイスの作製”, 第63回 応用物理学会春季学術講演会, 東工大 大岡山キャンパス, 東京, 2016年3月19日-22日

[6] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “漏液しないアルカリ電解液による導電性-磁性切替デバイスの省電力化”, 第63回 応用物理学会春季学術講演会, 東工大 大岡山キャンパス, 東京, 2016年3月19日-22日

[7] 小野里尚記, 片瀬貴義, 太田裕道, “薄膜トランジスタ構造を有するアモルファス酸化物エレクトロクロミック素子”, 第63回 応用物理学会春季学術講演会, 東工大 大岡山キャンパス, 東京, 2016年3月19日-22日

[8] K. Kanahashi, K. Funahashi, T. Miyauchi, N. Tanaka, Y. Shoji, M. Ishihara, M. Hasegawa, K. Nakayama, H. Shirae, S. Noda, H. Ohta, T. Fukushima, and T. Takenobu, “Air-stable carrier doping into nano-carbon materials by extraordinary molecular Lewis acid”, 17th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and low-dimensional materials, Univ. Vienna, Austria, 2016年8月7日-13日 物質デバイス領域共同研究拠点

[9] 中村圭佑, 片瀬貴義, 押切友也, 上野貢生, 太田裕道, 三澤弘明, “全固体プラズモニック太陽電池における光電流極性の照射波長依存”, 2016年 光化学討論会, 東京大学 駒場第一キャンパス, 東京, 2016年9月6日‐8日 所内共同研究

[10] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “Sr1-xBaxCoO3-δ薄膜の強磁性転移温度”, 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016年9月13日‐16日

[11] 山ノ内路彦, 小山田達郎, 片瀬貴義, 太田裕道, “Current-induced effects on switching magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3“,  2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016年9月13日‐16日(ポスター)

[12] 福地 厚, 有田正志, 片瀬貴義, 太田裕道, 高橋庸夫, “高均一TaOx薄膜を用いた抵抗変化動作の局所的評価”,  2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016年9月13日‐16日 専攻内共同研究

[13] 小野里尚記, 片瀬貴義, 張 雨橋, 藤平哲也, フウビン, 幾原雄一, 太田裕道, “モット絶縁体超薄膜の熱電能”,  2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016年9月13日‐16日

[14] Yuqiao Zhang, Takayoshi Katase, Takaki Onozato, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Tetsuya Tohei, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara, Hiromichi Ohta, “Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO3−SrNbO3 Solid-solution System”,  2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016年9月13日‐16日(ポスター)

[15] Michihiko Yamanouchi, Tatsuro Oyamada, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, “Current dependence of switching magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3“, HOKUDAI-NCTU International Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo, Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster)

[16] Yuqiao Zhang, Takaki Onozato, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, “Electron transport properties of SrTiO3-SrNbO3 full range solid solutions”, HOKUDAI-NCTU International Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo, Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster)

[17] Takaki Onozato, Takayoshi Katase, Tetsuya Tohei, Yuichi Ikuhara, Hiromichi Ohta, “Anomalous thermopower of ultrathin LaTiO3 epitaxial layers”, HOKUDAI-NCTU International Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo, Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster)

[18] Yuki Suzuki, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, “Leakage-free alkaline electrolyte: Amorphous NaTaO3 nanopillar array”, HOKUDAI-NCTU International Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo, Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster)

[19] Hiromichi Ohta, Shota Kaneki, Tamotsu Hashizume, “Verification of 2D enhanced thermopower theory by electric field thermopower modulation”, HOKUDAI-NCTU International Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo, Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster) 専攻内共同研究

[15] Y. Zhang, T. Onozato, T. Katase, and H. Ohta, “Thermoelectric properties of SrTiO3-SrNbO3 full range solid solutions”, International Workshop on Oxide Electronics 23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016 (poster)

[16] T. Onozato, T. Katase, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Anomalous thermopower of ultrathin LaTiO3 epitaxial layers”, International Workshop on Oxide Electronics 23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016 (poster)

[17] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “Leakage-free alkaline electrolyte: Amorphous NaTaO3 nanopillar array”, International Workshop on Oxide Electronics 23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016 (poster)

[18] T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversible switching from an insulator to a conducting magnet – New way toward high capacity memory device-“, International Workshop on Oxide Electronics 23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016 (poster) Best poster award

[19] 太田裕道, 金木奨太, 橋詰 保, “熱電能電界変調法による二次元熱電能増強理論の検証”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2016年10月21日-22日(口頭) 専攻内共同研究

[20] 小野里尚記, 片瀬貴義, 廣野未沙子, 水野 拓, 太田裕道, “薄膜トランジスタ電極配置を有するエレクトロクロミックデバイスの室温作製”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2016年10月21日-22日(ポスター)

[21] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “磁性と導電性を同時切替可能な全固体薄膜デバイスの作製”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2016年10月21日-22日(ポスター) スチューデントアワード受賞

[22] 小野里尚記, 片瀬貴義, 廣野未沙子, 水野 拓, 太田裕道, “色調-導電性を同時変調可能な酸化物エレクトロクロミック素子の開発”, 日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟, 札幌, 2016年10月27日-28日

[23] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “コバルト酸ストロンチウム薄膜の酸化還元反応を利用した電気・磁気メモリデバイスの開発”, 日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟, 札幌, 2016年10月27日-28日

[24] M. Yamanouchi, T. Oyamada, T. Katase and H. Ohta, “Current-induced modulation of switching magnetic field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 structures”, 61st Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2016 MMM Conference), New Orleans, USA, Oct. 31-Nov. 4, 2016

[25] T. Katase, T. Onozato, Y. Suzuki, K. Endo, M. Hirono, T. Mizuno, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Water-gated thin film transistors on functional oxides – Toward multifunctional memory devices –”, 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, 27 Nov.-2 Dec. 2016

[26] K. Yokoyama, S. Yokoyama, Y. Sato, K. Hirano, S. Hashiguchi, K. Motomiya, H. Ohta, H. Takahashi, K. Tohji, and Y. Sato, “Oxygen reduction reaction of nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes synthesized by defluorination”, 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, 27 Nov.-2 Dec. 2016 物質デバイス領域共同研究拠点

[27] M. Yamanouchi, T. Oyamada, T. Katase, and H. Ohta, “Current-induced effects on switching magnetic field in an oxide half-metal heterostructure”, 第21回スピン工学の基礎と応用(Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors, PASPS-21), Hokkaido University, Sapporo, Japan, 12-13 Dec. 2016

[28] T. Onozato, T. Katase, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “Amorphous WO3 electrochromic device with thin-film transistor electrode geometry”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 Dec. 2016(ポスター)Poster Award 受賞

[29] K. Nakamura, T. Katase, T. Oshikiri, K. Ueno, H. Ohta, and H. Misawa, “Switchable photocurrent polarity of plasmonic photoelectric conversion by irradiation wavelengths”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 Dec. 2016(ポスター)

[30] Y. Zhang, T. Katase, T. Onozato, B. Feng, H. Hayashi, T. Tohei, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Thermoelectric properties of SrTiO3-SrNbO3 full range solid solutions”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 Dec. 2016(ポスター)

[31] A. V. Sanchela and H. Ohta, “Thermoelectric properties of Nb-doped BaSnO3 thin film”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 DEc. 2016(ポスター)

[32] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “Characterization of amorphous NaTaO3 nanopillar array film”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 DEc. 2016(ポスター)

報道

[1] 「北大が新しい記憶装置を開発」、北海道放送HBCニュース(2016年3月30日)PDF

[2] 「電気・磁化の両方で記憶 北大・新メモリーを開発」、化学工業日報(2016年3月30日)

[3] 「北大、レーザー堆積法で電気/磁気メモリーを開発」、月刊OPTRONICS online(2016年3月31日)

[4] 「絶縁体の酸化物 電気流れる磁石に 北大電子研が成果」、科学新聞(2016年4月8日 6面)

[5] 「記憶媒体 容量2倍に 北大教授ら開発 スマホに応用可」、読売新聞(2016年4月16日 朝刊 26面 北海道版)PDF

[6] 「窓ガラスがメモリーに?北海道大学、記憶装置を開発」、大学ジャーナルオンライン(2016年5月21日)

[7] 「窓ガラスがメモリーに? 新しい情報表示・記憶装置開発」、科学新聞(2016年5月27日)

[8] 「北大,エレクトロクロミック表示・記憶装置を開発」、月刊OPTRONICS online(2016年5月24日)

[9] 「北大、新しい記憶装置を開発-窓ガラスに文字や絵の表示・記憶が可能に」、日刊工業新聞(2016年6月1日)

[10] “The switch that could double USB memory”, Phys.org, 24 June, 2016

[11] “The switch that could double USB memory”, Science Daily, June 24, 2016

[12] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, gizmag, June 28, 2016

[13] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, truemag, 28 June, 2016

[14] “The switch that could double USB memory”, new electronics, 1 July, 2016

[15] “Switching States To Deliver Double USB Memory”, Crazy Engineers, July 2, 2016

[16] “The switch that could double USB memory”, News Dog, July 2, 2016

[17] “A New Method to Double USB Memory”, Iscanews, July 2, 2016

[18] “The Switch That Could Double USB Memory”, Science Newsline Technology, 2 July, 2016

[19] “The Switch That Could Double USB Memory”, Technobahn, 2 July, 2016

[20] “The switch that could double USB memory”, RtoZ.org, July 3, 2016 Youtube

[21] “The switch that could double USB memory”, Space Daily, 6 July 2016

[22] “Hitting The Magnetic Switches”, Tom’s Hardware, July 9, 2016

[23] “New Device Could Double USB Storage Capacity”, Electronics 360, 11 July, 2016

[24] “磁電雙穩態材料倍增儲存容量”, EET Taiwan, 12 July, 2016

[25] “Double memory storage with magnetic and electric signals”, COSMOS Magazine, 12 July, 2016

受賞

[1] 遠藤賢司, 三上奨学賞 「二酸化バナジウム薄膜のプロトン化を利用したエレクトロクロミック素子に関する研究」, 2016年3月

[2] フロンティア材料研究所学術賞(研究奨励部門), 片瀬貴義, 2016年9月21日

[3] Best poster award, T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversible switching from an insulator to a conducting magnet – New way toward high capacity memory device-“, International Workshop on Oxide Electronics 23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016 (poster)

[4] スチューデントアワード, 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “磁性と導電性を同時切替可能な全固体薄膜デバイスの作製”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2016年10月21日-22日(ポスター)

[5] Poster Award, T. Onozato, T. Katase, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “Amorphous WO3 electrochromic device with thin-film transistor electrode geometry”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔 [Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 Dec. 2016(ポスター)

特許

[1] 太田裕道, 片瀬貴義,鈴木雄喜,国際特許出願 PCT/JP2016/050206 「半導体装置」(2016年1月6日 出願)

[2] United States Patent US2015/0148218 A1, “Strontium Cobaltite Oxygen Sponge Catalyst and Methods of USE”, Published May 28, 2015, HoNyung Lee (Oak Ridge, US), Hyoungjeen Jeen (Knoxville, KR), Woo Seok Choi (Suwon, KR), Michael Biegalski (Oak Ridge, US), Chad M. Folkman (San Jose, US), I-Cheng Tung (Chicago, US), Dillon D. Fong (Elmhurst, US), John W. Freeland (Oak Park, US), Dongwon Shin (Knoxville, KR), Hiromichi Ohta (Kita, JP), Matthew F. Chisholm (Oak Ridge, US) 国際共同研究

その他

[1] 太田裕道, 片瀬貴義, 平松秀典, 「原子層制御による新しい材料機能探索」, 文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア」 第3回公開シンポジウム, 東京大学, 2016年3月8日 パンフレットはこちら

[2] 小野里尚記,鈴木雄喜,片瀬貴義,太田裕道,旭川西高校スーパーサイエンスハイスクール大学訪問,研究室見学対応,2015年4月14日

[3] 研究室メンバー, “ぐるぐる回して冷やそう!”, 北海道大学電子科学研究所一般公開(展示), 北海道大学, 札幌, 2016年6月4日

[4] 太田裕道,”石ころの素材を使って、世の中で役に立つデバイスを創ります”,北海道大学 大学案内 Be Ambitious 2016年度版,p.10 (2016.6発行) PDF

[5] Y. Zhang, T. Katase, T. Onozato, B. Feng, H. Hayashi, T. Tohei, I. Tanaka, Y. Ikuhara and H. Ohta, “Electron transport properties of SrTiO3-SrNbO3 full range solid-solution epitaxial films”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第4回若手の会, 筑波山 江戸屋, 茨城, 2016年7月25日‐26日(ポスター発表)

[6] 小野里尚記, 張 雨橋, 片瀬貴義, フウビン, 藤平哲也, 幾原雄一, 太田裕道, “熱電能計測と電子顕微鏡観察による、LaTiO3/LaAlO3ヘテロ界面の可視化”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第4回若手の会, 筑波山 江戸屋, 茨城, 2016年7月25日‐26日(ポスター発表)

[7] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “ナノピラー構造に閉じ込められた漏液しないアルカリ水溶液-その特性と応用-”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第4回若手の会, 筑波山 江戸屋, 茨城, 2016年7月25日‐26日(ポスター発表)

[8] 太田裕道, “超微細熱電材料用汎用熱電能計測装置の開発”, 2015 旭硝子財団 助成研究発表会, ホテルグランドヒル市ヶ谷, 東京, 2016年7月29日(ポスター発表) 発表要旨

[9] 太田裕道, 鈴木雄喜, “電気抵抗と磁化の両方で記憶する新メモリー”, イノベーション・ジャパン2016~大学見本市&ビジネスマッチング, 東京ビッグサイト, 東京, 2016年8月25日-26日(ポスター展示) 概要へのリンク

[10] 山ノ内路彦, “酸化物ヘテロ構造における電流誘起有効磁場”, 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス G1 エレクトロニクス 物質・デバイス グループ分科会, かんぽの宿 柳川, 福岡, 2016年11月18日-19日

[11] 太田裕道, “Thermopower of two-dimensional electron gas”, Mini Workshop on Functional Nanomaterials, 北海道大学電子科学研究所, 札幌, 2016年12月21日 物質デバイス領域共同研究拠点

2015年

原著論文

[1] W. S. Choi, H. K. Yoo, and H. Ohta, “Polaron transport and thermoelectric behavior in La-doped SrTiO3 thin films with elemental vacancies”,Adv. Funct. Mater. 25, 799-804 (2015).(DOI: 10.1002/adfm.201403023) 物質デバイス領域共同研究拠点 国際共同研究

[2] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Characterization of electronic structure around metal-insulator transition in V1-xWxO2 thin films by thermopower measurement “, J. Ceram. Soc. Jpn. 123, 307-311 (2015).(DOI: 10.2109/jcersj2.123.P5-1)

[3] T. Katase, K. Endo, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Room-temperature-protonation-driven on-demand metal-insulator conversion of a transition metal oxide”, Adv. Electron. Mater. 1, 1500063 (2015).(DOI: 10.1002/aelm.201500063) 北大プレス発表 PDF

[4] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Thermopower analysis of metal-insulator transition temperature modulations in vanadium dioxide thin films with lattice distortion”, Phys. Rev. B 92, 035302 (2015).(DOI: 10.1103/PhysRevB.92.035302)

[5] K. Yokoyama, Y. Sato, K. Hirano, H. Ohta, M. Kenichi, K. Tohji, Y. Sato, “Defluorination-assisted nanotube-substitution reaction with ammonia gas for synthesis of nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes”, Carbon 94, 1052-1060 (2015).(DOI:10.1016/j.carbon.2015.07.090) 物質デバイス領域共同研究拠点

[6] T. Katase, H. Takahashi, T. Tohei, Y. Suzuki, M. Yamanouchi, Y. Ikuhara, I. Terasaki, and H. Ohta, “Solid-phase epitaxial growth of A-site-ordered perovskite Sr4-xErxCo4O12-d: A room temperature ferrimagnetic p-type semiconductor”, Adv. Electron. Mater. 1, 1500199 (2015).(DOI: 10.1002/aelm.201500199) 物質デバイス領域共同研究拠点

解説・総説

[1] I. Terasaki, R. Okazaki, and H. Ohta, “Search for non-equilibrium thermoelectrics”, Scripta Mater. 111, 23–28 (2016) (DOI:10.1016/j.scriptamat.2015.04.033) 物質デバイス領域共同研究拠点

招待講演

[1] H. Ohta, “Thermopower enhancement of two-dimensional electron gas in oxide semiconductors”, The American Ceramic Society’s Electronic Materials and Applications 2015 (EMA2015), Orlando, Florida USA, 2015年1月21日-23日 (Invited)

[2] H. Ohta, “Thermoelectric effect of extremely thin electron doped SrTiO3“, The 1st IOP-RIES Joint Workshop, Hokkaido Univ., 2015年3月23日 (Invited)

[3] T. Katase, H. Ohta, “Electro-magnetic properties control of functional oxides by pseudo solid-state electrochemistry”, 2015 EMN Qingdao Meeting, Qingdao, China, 2015年6月14日-17日 (Invited)

[4] H. Ohta, “Two-dimensional giant thermopower –SrTiO3-based superlattices and transistors-“, The American Ceramic Society’s 11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications (CMCEE-11), Vancouver, Canada, 2015年6月14日-19日 (Invited)

[5] H. Ohta, “Development of oxide-based nanostructured thermoelectric materials”, 4th International Symposium on Energy Challenges and Mechanics -working on small scales”, Scotland, UK, 2015年8月11日-13日 (Invited, Keynote)

[6] 太田裕道, “水の電気分解を利用した機能性酸化物ナノ層創製”, 日本金属学会 2015年秋期講演大会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 2015年9月16日-18日(公募シンポジウムの基調講演)

[7] Hiromichi Ohta, “Epitaxial film growth and characterization of functional oxides”, Seminar talk (60 min), National Chiao Tung University, Taiwan, 2015年10月1日

[8] 太田裕道, “熱電変換材料って何?”, 日本化学会秋季事業 第5回CSJ化学フェスタ2015, タワーホール船堀, 東京, 2015年10月13日-15日(招待講演)

[9] H. Ohta,T. Katase, “Water electrolysis induced modification of functional oxides−Thermoelectric properties−”, IUMRS-ICAM 2015, Jeju island, Korea, 2015年10月25日-29日

[10] 片瀬貴義, 太田裕道, “水電気分解を利用した機能性酸化物の光・ 電子・磁気物性可逆変調” 附置研究所間アライアンス 第三回若手研究交流会, 九州大学, 福岡, 2015年11月16-17日

一般講演

[1] 遠藤賢司, 片瀬貴義,太田裕道, “水電気分解を利用したVO2薄膜のプロトン化と金属-絶縁体可逆制御”, 第50回応用物理学会北海道支部学術講演会, 旭川市・勤労者福祉会館, 北海道, 2015年1月9日-10日

[2] 金橋魁利, 蒲江, Nguyen Thanh Cuoug, Lain-Jong Li, 岡田晋, 太田裕道, 竹延大志, “単層遷移金属ダイカルコゲナイドのゼーベック効果”, 第48回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, 東京大学, 東京, 2015年2月21日-23日 物質デバイス領域共同研究拠点

[3] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “全固体SrCoO3-δ強磁性薄膜トランジスタ”, 第62回 応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川, 2015年3月11日-14日

[4] 廣野未沙子, 片瀬貴義, 太田裕道, “全固体エレクトロクロミックWO3薄膜トランジスタ”, 第62回 応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川, 2015年3月11日-14日

[5] 坂上朗康, 山ノ内路彦, 片瀬貴義, 太田裕道, “強磁性La0.67Sr0.33MnO3エピタキシャル薄膜の作製と局所磁界磁化反転”, 日本セラミックス協会 2015年 年会, 岡山大学 津島キャンパス, 岡山, 2015年3月18日-20日

[6] 中村圭佑, 片瀬貴義, 押切友也, 上野貢生, 太田裕道, 三澤弘明, “パルスレーザー堆積法による薄膜プラズモン太陽電池の光電変換特性”, 日本化学会第95春季年会(2015), 日本大学船橋キャンパス, 千葉, 2015年3月26日-29日 所内共同研究

[7] Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Nguyen Thanh Cuoug, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, Taishi Takenobu, “Thermoelectric properties of CVD-grown transition metal dichalcogenide monolayers”, NT15 The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, Nagoya University, Nagoya, Japan, 2015年6月29日-7月3日 (poster) 物質デバイス領域共同研究拠点

[8] Ya-Nan Wu, Misako Hirono, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, and Juhn-Jong Lin, “Thermoelectric and transport properties of epitaxial ITO and In2O3 films”, Workshop on Renewable Energies – Thermoelectrics and Photovoltaics -, Academia Sinica, Taipei, Taiwan, 2015年8月27日-28日(Poster) 国際共同研究

[9] 片山翔太, 片瀬貴義, 太田裕道, “反応性固相エピタキシャル成長法によるNaxMnO2薄膜の作製”, 第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 2015年9月13日-16日

[10] 小野里尚記, 片山翔太, 片瀬貴義, 太田裕道, “アモルファスNbOx薄膜の光・電子輸送特性”, 第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋, 2015年9月13日-16日

[11] T. Katase, Y. Suzuki, H. Ohta, “Room-temperature-operatable electro-magnetic phase switching device”, Workshop on Oxide Electronics 22, College de France, Paris, 2015年10月7日-9日 (oral)

[12] T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “All-solid-state non-volatile electro-magnetic phase switching device”, STAC-9 & TOEO-9, Epocal Rsukuba, Ibaraki, Japan, 2015年10月19日-21日

[13] M. Yamanouchi, A. Sakagami, K. Takoshima, N. Kumashiro, T. Katase, and H. Ohta, “Domain wall motion devices using ferromagnetic oxides”, 2015 CRL Forum International, 東工大蔵前会館くらまえ・ロイヤルブルー, 東京, 2015年10月19日-20日 (ポスター)

[14] S. Katayama, T. Katase, and H. Ohta, “Reactive solid-phase epitaxial growth of layered alkali transition metal oxide, NaxMnO2“, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2015年11月10日-11日(ポスター)

[15] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “All-solid-state non-volatile electromagnetic phase switching device”, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2015年11月10日-11日(ポスター)Poster Award 受賞

[16] T. Onozato, T. Katase, S. Katayama, and H. Ohta, “Opto-electronic properties of amorphous NbOx thin films”, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2015年11月10日-11日(ポスター)

[17] M. Hirono, T. Katase, H. Ohta, “A transparent electro-chromic transistor”, PACIFICHEM2015 (The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015), Honolulu, Hawaii, 2015年12月15日-20日(oral)

[18] T. Katase, Y. Suzuki, H. Ohta, “Electrically controlled electro-magnetic phase conversion in magnetic oxide at room temperature”, PACIFICHEM2015 (The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015), Honolulu, Hawaii, 2015年12月15日-20日(oral)

[19] K. Nakamura, T. Katasei, T. Oshikiri, K. Ueno, H. Ohta, and H. Misawa, “Fabrication of thin film plasmonic solar cell using controlled nano structure”, PACIFICHEM2015 (The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015), Honolulu, Hawaii, 2015年12月15日-20日(Poster) 所内共同研究

報道

[1] 「北大,赤外線のみをスイッチングする薄膜を開発」、月刊OPTRONICS online(2015年6月30日)

 

受賞

[1] 第44回電子科学研究所 松本・羽鳥奨学賞, 片瀬貴義

[2] 平成26年度北海道大学研究総長賞 優秀賞, 太田裕道

[3] 平成27年度 増本賞 金賞, 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道,”固体電解質を利用した磁性酸化物薄膜の反強磁性絶縁体-強磁性金属スイッチング”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第3回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015年7月27日‐28日

[4] 平成27年度 増本賞 金賞, 小野里尚記, 片山翔太, 片瀬貴義, 太田裕道, “アモルファスNbOx薄膜の作製と光・電子輸送特性ー新しいエレクトロクロミックトランジスタを目指してー”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第3回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015年7月27日‐28日

[5] THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] Poster Award, Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “All-solid-state non-volatile electromagnetic phase switching device”, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2015年11月10日-11日(ポスター)

特許

[1] 特願2015-002769 「半導体装置」、太田裕道、片瀬貴義、鈴木雄喜(2015年1月9日 出願)

その他

[1] 片瀬貴義, 平松秀典, 太田裕道,「原子層制御による新しい材料機能探索」, 文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア」第2回公開シンポジウム, 名古屋大学, 2015年3月11日

[2] 遠藤賢司,片瀬貴義,太田裕道,旭川西高校スーパーサイエンスハイスクール大学訪問,研究室見学対応,2016年4月15日

[3] 太田裕道, 片瀬貴義, “水の電気分解を利用した機能性酸化物の光・電子・磁気特性の可逆変調”, 附置研究所間アライアンスによるナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト 平成26年度アライアンス成果報告会, 九州大学伊都地区I2CNERホール, 福岡, 2015年4月21日(ポスター)

[4] 研究室メンバー, “ぐるぐる回して冷やそう!”, 北海道大学電子科学研究所一般公開(展示), 北海道大学, 札幌, 2015年6月6日

[5] 太田裕道, 片瀬貴義, 平松秀典, 「原子層制御による新しい材料機能探索」, 文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア」第5回全体会議, 京都, 2015年7月24日

[6] 片山翔太, 片瀬貴義, 太田裕道, “ナトリウムイオン電池用正極活物質NaxMnO2の反応性固相エピタキシャル薄膜成長”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第3回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015年7月27日‐28日

[7] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道,”固体電解質を利用した磁性酸化物薄膜の反強磁性絶縁体-強磁性金属スイッチング”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第3回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015年7月27日‐28日 平成27年度 増本賞 金賞 受賞

[8] 小野里尚記, 片山翔太, 片瀬貴義, 太田裕道, “アモルファスNbOx薄膜の作製と光・電子輸送特性ー新しいエレクトロクロミックトランジスタを目指してー”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第3回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015年7月27日‐28日 平成27年度 増本賞 金賞 受賞

[9] 片瀬貴義, 太田裕道, “水の電気分解を利用した機能性酸化物の光・電子・磁気物性可逆変調”, ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス 平成27年度 新エネルギー材料・デバイスプロジェクトグループ(G2)研究会, 東京工業大学, 大阪, 2015年10月20日-21日

[10] Organizer, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 10-11 November, 2015

2014年

原著論文

[1] W. S. Choi, H. Ohta, and H. N. Lee, “Thermopower Enhancement by Fractional Layer Control in 2D Oxide Superlattices”, Adv. Mater. 26, 6701-6705 (2014). (DOI: 10.1002/adma.201401676) Inside Back Cover 国際共同研究

[2] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Thermopower analysis of the electronic structure around metal-insulator transition in V1-xWxO2“, Phys. Rev. B 90, 161105(R) (2014). (arXiv) (DOI: 10.1103/PhysRevB.90.161105)

解説・総説

[1] 太田裕道, “ナノ構造熱電材料の開発動向”, 高分子 63 [11], 785 (2014).

著書

[1] 太田裕道, “6・5 パルスレーザ堆積法”, 「透明導電膜の技術 改訂3版」, 日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 編, オーム社, 2014年4月(ISBN 978-4-274-21522-3)

招待講演

[1] 太田裕道, “酸化物半導体に蓄積された二次元電子ガスー熱電能を中心にー”, 統合物質創製化学推進事業 第5回若手研究会, 休暇村支笏湖, 北海道, 2014年6月23日

[2] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Metal-insulator transition and thermopower modulation of VO2 thin film by electric-field induced hydrogenation “, Oxide Thin Films for Advanced Energy and Information Applications; Materials Chemistry of Thin Film Oxides, Chicago, USA, 2014年7月13日-16日

[3] M. Yamanouchi, “Current-induced domain wall motion for spintronics devices”, The 1st Korea-Japan Bilateral Workshop on Functional Materials Science -Thermoelectrics, Spintronics, Low-dimensional Materials, and Soft Matter-, Sapporo, Japan, August 1, 2014

[4] H. Ohta, “Epitaxial Film Growth and Application of Functional Oxides”, HOKUDAI-NCTU Joint Symposium on Nano, Photo and Bio Sciences, RIES, Hokkaido University, Japan, 10-11 September 2014

[5] 太田裕道, 片瀬貴義, “水電気分解を利用した酸化物の熱電能変調”, 第75回 応用物理学会秋季学術講演会(シンポジウム:固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス:化学とデバイスの融合), 北海道大学, 札幌, 2014年9月17日-20日

[6] 太田裕道, “酸化物薄膜作製におけるパルスレーザー堆積法とその応用”, 3次元造形&薄膜実践セミナー, 東京工業大学, 東京, 2014年9月26日

一般講演

[1] R. Okazaki, A. Horikawa, M. Fujita, H. Taniguchi, I. Terasaki, H. Ohta, “Photo-Seebeck effect of ZnO single crystals and thin films”, APS March Meeting 2014, Denver, 2014年3月3日-7日 物質デバイス領域共同研究拠点

[2] 遠藤賢司, 片瀬貴義,太田裕道, “(W1−xVx)O2エピタキシャル薄膜の熱電能”, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川, 2014年3月17日-20日

[3] 片瀬貴義,遠藤賢司, 太田裕道, “電界+水素化によるVO2薄膜の絶縁体-金属転移と熱電能変調”, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川, 2014年3月17日-20日

[4] 藤田優,岡崎竜二,谷口博基,寺崎一郎,太田裕道, “ZnO薄膜における光ゼーベック効果の膜厚依存性”, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川, 2014年3月17日-20日 物質デバイス領域共同研究拠点

[5] T.Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Electric-field induced hydrogenation of VO2 thin films; toward the modulation of metal-insulator transition and thermopower”, The 8th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-8), Kanagawa, Japan, 2014年6月25日-27日

[6] K. Endo, T. Katase, and H. Ohta, “Electric-field induced hydrogenation of VO2 thin film transistor for modulation of metal-insulator phase transition” (Poster), The 1st Korea-Japan Bilateral Workshop on Functional Materials Science -Thermoelectrics, Spintronics, Low-dimensional Materials, and Soft Matter-, Sapporo, Japan, 2014年8月1日

[7] T. Katase, Y. Suzuki, M. Yamanouchi, H. Takahashi, R. Okazaki, I. Terasaki, and H. Ohta, “Epitaxial film growth of ferromagnetic semiconductor Sr4-xAxCo4O10+δ (A = Y, Er) by pulsed laser deposition” (Poster), The 1st Korea-Japan Bilateral Workshop on Functional Materials Science -Thermoelectrics, Spintronics, Low-dimensional Materials, and Soft Matter-, Sapporo, Japan, 2014年8月1日 物質デバイス領域共同研究拠点

[8] 片瀬貴義,鈴木雄喜,山ノ内路彦,高橋英史,岡崎竜二,寺崎一郎,太田裕道, “室温強磁性体Sr4-xRxCo4O10+d (R=Y,Er)のエピタキシャル薄膜成長”, 第75回 応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月17日-20日 物質デバイス領域共同研究拠点

[9] T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Field-induced hydrogenation of VO2 thin film transistor for modulation of metal-insulator transition and thermopower”, 21st International Workshop on Oxide Electronics (WOE21), The Sagamore Resort, NY, USA, 2014年9月28日-10月1日 (Poster)

[10] 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “VO2薄膜トランジスタの電解誘起水素化と金属-絶縁体相転移制御”, 第34回エレクトロセラミックス研究討論会, 東京工業大学, 東京, 2014年10月24日-25日 優秀賞 受賞

[11] 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “電解誘起水素化によるVO2薄膜トランジスタの金属-絶縁体相制御”, 薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会「薄膜材料デバイスの機能と物理」, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2014年10月31日-11月1日 ベストペーパーアワード 受賞

[12] 遠藤賢司, 片瀬貴義, 太田裕道, “水電気分解トランジスタによるVO2薄膜へのプロトン挿入と金属-絶縁体相転移制御”, 平成26年度 日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 秋田市にぎわい交流館AU, 秋田, 2014年11月6日-7日

[13] K. Endo, T. Katase, and H. Ohta, “AFM lithography using water infiltrated nanoporous glass”, THE 15th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “響” [Hibiki] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2014年12月16日-17日(ポスター)

[14] T. Katase, Y. Suzuki, M. Yamanouchi, H. Takahashi, R. Okazaki, I. Terasaki, and H. Ohta, “Epitaxial film growth of room temperature ferromagnetic semiconductor Sr4-xErxCo4O10+d with A-site ordered structure”, THE 15th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “響” [Hibiki] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2014年12月16日-17日(ポスター)

[15] M. Yamanouchi, A. Sakagami, T. Katase, and H. Ohta, “Domain wall motion in ferromagnetic oxide La0.67Sr0.33MnO3“, THE 15th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “響” [Hibiki] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2014年12月16日-17日(ポスター) 物質デバイス領域共同研究拠点

受賞

[1] 平成26年度 増本賞 金賞、遠藤賢司、片瀬貴義、太田裕道, “電界誘起水素化によるVO2薄膜トランジスタの金属-絶縁体相制御” (ポスター), 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第2回若手の会, 淡路夢舞台国際会議場, 兵庫, 2014年7月27日-28日

[2] 第34回エレクトロセラミックス研究討論会 優秀賞, 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “VO2薄膜トランジスタの電解誘起水素化と金属-絶縁体相転移制御”, 第34回エレクトロセラミックス研究討論会, 東京工業大学, 東京, 2014年10月24日-25日

[3] 薄膜材料デバイス研究会 ベストペーパーアワード, 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “電解誘起水素化によるVO2薄膜トランジスタの金属-絶縁体相制御”, 薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会「薄膜材料デバイスの機能と物理」, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2014年10月31日-11月1日

その他

[1] 片瀬貴義, 研究室メンバー, “熱電効果で遊ぼう!”, 北海道大学電子科学研究所一般公開(展示), 北海道大学, 札幌, 2014年6月7日

[2] 遠藤賢司、片瀬貴義、太田裕道, “電界誘起水素化によるVO2薄膜トランジスタの金属-絶縁体相制御” (ポスター), 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第2回若手の会, 淡路夢舞台国際会議場, 兵庫, 2014年7月27日-28日 平成26年度 増本賞 金賞 受賞

[3] 太田裕道、金 聖雄、山ノ内路彦、片瀬貴義、組織委員 The 1st Korea-Japan Bilateral Workshop on Functional Materials Science -Thermoelectrics, Spintronics, Low-dimensional Materials, and Soft Matter-, Sapporo, Japan, 2014年8月1日

[4] 片瀬貴義, 太田裕道, “VO2薄膜の絶縁体-金属転移と熱電能変調”, ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス 平成26年度 新エネルギー材料・デバイスプロジェクトグループ(G2)研究会, 大阪大学 吹田キャンパス, 大阪, 2014年11月11日-12日

2013年

原著論文

[1] H. Jeen, W. S. Choi, J. W. Freeland, H. Ohta, C. U. Jung, H. N. Lee, “Topotactic Phase Transformation of the Brownmillerite SrCoO2.5 to the Perovskite SrCoO3–δ“, Adv. Mater. 25, 3651-3656 (2013). (DOI: 10.1002/adma.201300531) 国際共同研究

[2] H. Jeen,W-S. Choi, M. D. Biegalski, C. M. Folkman, I-C. Tung, D. D. Fong, J. W. Freeland, D. Shin, H. Ohta, M. F. Chisholm and H-N. Lee, “Reversible redox reactions in an epitaxially stabilized SrCoOx oxygen sponge”, Nature Mater. 12, 1057 (2013). (DOI:10.1038/nmat3736) 国際共同研究

解説・総説

[1] H. Ohta, “Electric-field thermopower modulation in SrTiO3-based field-effect transistors”, J. Mater. Sci. 48, 2797 (2013). (DOI 10.1007/s10853-012-6856-6)

著書

[1] 太田裕道, サーマルマネジメント 第4章 各分野における熱制御事例 “電界効果を利用した熱電材料評価手法の開発”, エヌ・ティー・エス (2013).(ISBN 978-4-86469-060-7)

招待講演

[1] 太田裕道, “酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長”, 酸化物アライアンス第11回研究会(第5回公開講演会)「透明導電膜のサイエンス」, 産業技術総合研究所つくばセンター, 茨城, 2013年5月24日

[2] 太田裕道, “石ころ素材を薄膜化して、世の中に役立つ機能を引き出す”, 埼玉大学応用化学科50周年記念シンポジウム 2013年10月25日

[3] H. Ohta, “Electric Field Modulation of a Thermoelectric Material”, Thermec 2013, Las Vegas, USA, 2013年12月2日-6日

一般講演

[1] B. Feng, H. Hojo, Y. Sato, T. Tohei, N. Shibata, T. Mizoguchi, H. Ohta and Y. Ikuhara, “Oxygen nonstoichiometry in CeO2 grain boundaries: a combined atomic resolution STEM and ab initio study”, International symposium on simulations and measurements for electrochemistry in Solid Oxide Fuel Cells 2013, Tokyo, Japan, 2013年3月12日 (oral)

[2] 馮斌, 佐藤幸生, 柴田直哉, 藤平哲也, 溝口照康, 北條元, 太田裕道, 幾原雄一, “STEMおよびEELSによるセリア粒界の非化学量論組成解析”, 2013日本セラミックス協会年会, 東京工業大学, 東京, 2013年3月

[3] B. Feng, Y. Sato, H. Hojo, T. Mizoguchi, H. Ohta, T. Tohei, N. Shibata and Y. Ikuhara. “Atomic structure analysis of grain boundaries in CeO2thin film and CeO2-ZrO2 heterointerface”, MRS 2013 Spring, San Francisco, USA, XX1.10 (oral)

[4] 堀川絢加,岡崎竜二,寺崎一郎, (太田裕道), “多結晶ZnOにおける光ゼーベック効果の測定”, 日本物理学会第68回年次大会, 広島大学, 広島, 2013年3月26日-29日(講演時に太田を共著者に追加)

[5] H. Hojo, B. Feng, T. Mizoguchi, H. Ohta, N. Shibata, and Y. Ikuhara, “Oxygen Nonstoichiometry at Grain Boundary and Threading Dislocations in CeO2 Thin Films”, JSAP-MRS Joint Symposia, 18p-M4-8, Kyoto, Japan, 2013年9月 (Oral)

[6] 李 寧, 片瀬貴義, 太田裕道, “Li4Ti5O12薄膜の固相-液相エピタキシャル成長”(ポスター), 薄膜材料デバイス研究会(第10回研究集会), 京都, 2013年10月31日-11月2日(プロシーディング

[7] 李 寧, 片瀬貴義, 朱 彦北, 梅村知也, 松元隆夫, 幾原雄一, 太田裕道, “Li4Ti5O12薄膜の固相-液相エピタキシャル成長”, 第49回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区 合同学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2013年12月9日-10日

[8] Ning Li, Takayoshi Katase, Yanbei Zhu, Tomonari Umemura, Takao Matsumoto, Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta, “Solid-Liquid Phase Epitaxy”, THE 14th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “網” [mou] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2013年12月11日-12日(ポスター)

その他

[1] H. Ohta, 2013 MRS Spring Meeting Organizer (Symposium XX: Epitaxial Oxide Thin Films and Heterostructures for Advanced Information and Energy Technologies), with Dr. Gervasi Herranz (ICMAB-CSIC), Dr. Ho-Nyung Lee (Oak Ridge National Laboratory), and Dr. Jens Kreisel (Centre de Recherche Gabriel Lippmann)

[2] 太田裕道, “石ころの素材でエネルギーの有効利用?”, 北海道大学電子科学研究所一般公開サイエンストーク, 北海道大学, 札幌, 2013年6月8日

[3] 片瀬貴義, 研究室メンバー, “体温を電気に変えよう”, 北海道大学電子科学研究所一般公開(展示), 北海道大学, 札幌, 2013年6月8日

[4] 太田裕道, ”酸化物半導体極薄膜-作製方法と物性”, 東京工業大学非常勤講師「材料物理科学特別講義第四」, 東京工業大学すずかけ台キャンパス, 横浜, 2013年6月12日

[5] 李 寧, 片瀬貴義, 太田裕道, “Li4Ti5O12薄膜の固相-液相エピタキシャル成長”, 新学術領域研究 平成25年度若手の会, 名古屋, 2013年9月29日-30日

[6] 片瀬貴義, 遠藤賢司, 太田裕道, “水電気分解を利用した銅酸化物高温超伝導体の電子物性電界制御”, 新学術領域研究 平成25年度若手の会, 名古屋, 2013年9月29日-30日

[7] 片瀬貴義, 太田裕道, “熱電効果”, 応用物理学会北海道支部リフレッシュ理科教室(展示), 北海道大学, 札幌, 2013年10月12日

[8] 李 寧, 片瀬貴義, 太田裕道, “固相-液相エピタキシャル成長法によるチタン酸リチウム薄膜の作製”, ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス 平成25年度 新エネルギー材料・デバイスプロジェクトグループ研究会, 東北大学 片平キャンパス, 仙台, 2013年11月19日-20日

2012年

原著論文

[1] H. Ohta, T. Mizuno, S. Zheng, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, and H. Hosono, “Unusually large enhancement of thermopower in an electric field induced two-dimensional electron gas”, Adv. Mater. 24, 740-744 (2012). (DOI: 10.1002/adma.201103809) (arXiv:1112.2030) Hlighted in Advanced Materials (7 Feb. 2012 issue)

[2] S. Zheng, C. A. J. Fisher, T. Kato, Y. Nagao, H. Ohta, and Y. Ikuhara, “Domain formation in anatase TiO2 thin films on LaAlO3 substrates”,Appl. Phys. Lett. 101, 191602 (2012).(DOI:10.1063/1.4766338)

[3] B. Feng, H. Hojo, T. Mizoguchi, H. Ohta, S. D. Findlay, Y. Sato, N. Shibata, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic structure of a sigma3 [110]/(111) grain boundary in CeO2“, Appl. Phys. Lett. 100, 073109 (2012).(DOI:10.1063/1.3682310)

[4] [Retracted] H. Ohta, T. Mizoguchi, N. Aoki, T. Yamamoto, A. Sabarudin, and T. Umemura, “Lithium-ion conducting La2/3–xLi3xTiO3 solid electrolyte thin films with stepped and terraced surfaces”, Appl. Phys. Lett. 100, 173107 (2012). (DOI:10.1063/1.4709402) Retraction (DOI:10.1063/1.4794148)

解説・総説

[1] 太田裕道, “温度差で発電する熱電材料-酸化物の挑戦”, 超精密 18, 8 (2012).

[2] 太田裕道, “チタン酸ストロンチウムの熱電ゼーベック効果”, 応用物理 81[9], 740-745 (2012).

[3] 太田裕道, “電界誘起二次元電子ガスの巨大熱電能変調”, セラミックス 47[7], 520 (2012).

著書

[1] H. Ohta and K. Koumoto, Chapter 10 “Thermoelectric oxides: films and heterostructures”, Multifunctional Oxide Heterostructures, (Eds.) E. Y. Tsymbal, E. R. A. Dagotto, C-B. Eom, and R. Ramesh, Oxford (2012).

招待講演

[1] H. Ohta, “Two dimensional thermoelectric effect”, Distinguished Lecture Series for 2012 fall semester in Sungkyunkwan University, Korea, 2012年12月12日

[2] H. Ohta, “Electric field thermopower modulation of 2DEG in oxide semiconductor based field effect transistors”, MRS 2012 Fall Meeting, Boston, MA, 2012年11月26日-11月30日

[3] H. Ohta, “Unusually large thermopower enhancement in an electric field induced two-dimensional electron gas”, E-MRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg, France, 2012年5月14日-18日

[4] H. Ohta, “Electric-Field Thermopower Modulation Method”, Japan-Finland March Meeting for the future in thermoelectrics, Nagoya University, 2012年3月13日-14日

一般講演

[1] Hiromichi Ohta, Teruyasu Mizuguchi, Noriyuki Aoki, Takashi Yamamoto, Akhmad Sabarudin, Tomonari Umemura: “Single crystalline thin films of lithium-ion conducting La2/3-xLi3xTiO3 solid electrolyte: A solution towards interfacial lithium-ion conductivity”, MRS 2012 Fall Meeting, Boston (USA), 2012年11月26日-11月30日

[2] H. Ohta, “Electric Field Thermopower Modulation Method”, THE 13th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM, Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo、2012年12月13日-14日(ポスター)

[3] Noriyuki Aoki and Hiromichi Ohta: “Fabrication of atomically flat lithium-ion conducting La2/3-xLi3xTiO3 solid electrolyte”, THE 13th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM, Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo、2012年12月13日-14日(ポスター)

-2011年

原著論文

 

  1. M. Seki, H. Tabata, H. Ohta, K. Inaba, and S. Kobayashi, “Epitaxial thin films of p-type spinel ferrite grown by pulsed laser deposition”,Appl. Phys. Lett. 99, 242504 (2011).
  2. T. Mizuno, Y. Nagao, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Electric field thermopower modulation analysis of an interfacial conducting layer formed between Y2O3 and rutile TiO2”, J. Appl. Phys. 110, 063719 (2011).
  3. H. Hojo, E. Tochigi, T. Mizoguchi, H. Ohta, N. Shibata, B. Feng, and Y. Ikuhara, Atomic structure and strain field of threading dislocations in CeO2 thin films on yttria-stabilized ZrO2, Appl. Phys. Lett. 98, 153104 (2011).
  4. T. Mizoguchi, H. Ohta, H-S. Lee, N. Takahashi, and Y. Ikuhara, “Controlling interface intermixing and properties of SrTiO3-based superlattices”, Adv. Funct. Mater. 21, 2258–2263 (2011).
  5. Y. Kozuka, M. Kim, H. Ohta, Y. Hikita, C. Bell, and H. Y. Hwang, “Enhancing the electron mobility via delta-doping in SrTiO3”, Appl. Phys. Lett. 97, 222115 (2010).
  6. H. Hojo, T. Mizoguchi, H. Ohta, S. D. Findlay, N. Shibata, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic Structure of a CeO2 Grain Boundary: The Role of Oxygen Vacancies”, Nano Lett. 10, 4668–4672 (2010).
  7. H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal”, Nature Communications 1:118 (2010).
  8. H. Koide, Y. Nagao, K. Koumoto, Y. Takasaki, T. Umemura, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Electric field modulation of thermopower for transparent amorphous oxide thin film transistors”, Appl. Phys. Lett. 97, 182105 (2010).
  9. Y. Nagao, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Experimental characterization of the electronic structure of anatase TiO2: Thermopower modulation”, Appl. Phys. Lett. 97, 172112 (2010).
  10. Y. Ishida, A. Mizutani, K. Sugiura,H. Ohta, and K. Koumoto, “Metal-nonmetal transition in LixCoO2thin films and thermopower enhancement at high Li concentration”, Phys. Rev. B 82, 075325 (2010).
  11. W-S. Choi, H. Ohta, S-J. Moon, Y-S. Lee, and T-W. Noh, “Dimensional crossover of the polaron dynamics in thermoelectric Nb:SrTiO3/SrTiO3 superlattices: Possible mechanism of thermopower enhancement”, Phys. Rev. B 82, 024301 (2010).
  12. K. Uchida, A. Yoshikawa, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, andH. Ohta, “A single crystalline strontium titanate thin film transistor”,J. Appl. Phys. 107, 096103 (2010).
  13. T. Katase, K. Nomura,H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Fabrication of atomically flat ScAlMgO4epitaxial buffer layer and low-temperature growth of high-mobility ZnO films”, Cryst. Growth Des. 10, 1084–1089 (2010).
  14. A. Yoshikawa, K. Uchida, K. Koumoto, T. Kato, Y. Ikuhara, andH. Ohta, “Electric-Field Modulation of Thermopower for the KTaO3Field Effect Transistors”, Appl. Phys. Express 2, 121103 (2009).
  15. H. Ohta, Y. Masuoka, R. Asahi, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Nomura, and H. Hosono, “Field-modulated thermopower in a SrTiO3-based field-effect transistor with amorphous 12CaO·7Al2O3glass gate insulator”, Appl. Phys. Lett. 95, 113505 (2009).
  16. S-W. Kim, Y. Tarumi, H. Iwasaki, H. Ohta, M. Hirano, and H.Hosono, “Thermal conductivity and Seebeck coefficient of 12CaO·7Al2O3electride with a cage structure”, Phys. Rev. B 80, 075201 (2009).
  17. T. Katase, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Large domain growth of GaN epitaxial films on lattice-matched buffer layer ScAlMgO4”, Mater. Sci. Eng. B 161, 66–70 (2009).
  18. Y. Wang, K-H. Lee,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of electron doped SrO(SrTiO3)n(n = 1, 2) ceramics”, J. Appl. Phys. 105, 103701 (2009).
  19. K. Sugiura,H. Ohta, S. Nakagawa, R. Huang, Y. Ikuhara, K. Nomura, H. Hosono, and K. Koumoto, “Anisotropic carrier transport properties in layered cobaltate epitaxial films grown by reactive solid-phase epitaxy”,Appl. Phys. Lett. 94, 152105 (2009).
  20. K. Sugiura,H. Ohta, Y. Ishida, R. Huang, T. Saito, Y. Ikuhara, K. Nomura, H. Hosono, and K. Koumoto, “Structural Transformation of Ca-Arrangements and Carrier Transport Properties in Ca0.33CoO2Epitaxial Films”, Appl. Phys. Express 2, 035503 (2009).
  21. R. Huang, T. Mizoguchi, K. Sugiura, S. Nakagawa,H. Ohta, T. Saito, K. Koumoto, T. Hirayama, and Y. Ikuhara, “Microstructure evolution of Ca0.33CoO2thin films investigated by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy”, J. Mater. Res. 24, 279–287 (2009).
  22. K. Nomura, T. Kamiya,H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2annealing”, Appl. Phys. Lett. 93, 192107 (2008).
  23. R. Huang, T. Mizoguchi, K. Sugiura,H. Ohta, K. Koumoto, T. Hirayama and Y. Ikuhara, “Direct observations of Ca ordering in Ca0.33CoO2thin films with different superstructures”,Appl. Phys. Lett. 93, 181907 (2008).
  24. K. Nomura, T. Kamiya,H. Ohta, K. Shimizu, M. Hirano, and H. Hosono, “Relationship between non-localized tail states and carrier transport in amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O”,Phys. Stat. Sol. (a) 205, 1910–1914 (2008).
  25. H. Ohta, R. Huang, and Y. Ikuhara, “Large enhancement of the thermoelectric Seebeck coefficient for amorphous oxide semiconductor superlattices with extremely thin conductive layers”,Phys. Stat. Sol. (Rapid Research Letter) 2, 105–107 (2008).
  26. Y. Ishida, R. Eguchi, M. Matsunami, K. Horiba, M. Taguchi, A. Chainani, Y. Senba, H. Ohashi,H. Ohta, and S. Shin, “Coherent and Incoherent States of Electron-doped SrTiO3”,Phys. Rev. Lett. 100, 056401 (2008).
  27. K-H. Lee, Y. Mune,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermal stability of giant thermoelectric Seebeck coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3superlattices at high temperature”,Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008).
  28. Y. Wang, K-H. Lee,H. Ohta, and K. Koumoto, “Fabrication and thermoelectric properties of heavily rare-earth metal-doped SrO(SrTiO3)n(n= 1, 2) ceramics”, Ceram. Int. 34, 849–852 (2008).
  29. A. Mizutani, K. Sugiura,H. Ohta, and K. Koumoto, “Epitaxial film growth of LixCoO2(0.6 < x < 0.9) via topotactic ion exchange of Na0.8CoO2”, Cryst. Growth Des. 8, 755–758 (2008).
  30. K. Sugiura,H. Ohta, K. Nomura, T. Saito, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of the layered cobaltite Ca3Co4O9epitaxial films fabricated by topotactic ion-exchange method”, Mater. Trans. 48, 2104–2107 (2007).
  31. Y. Wang, K-H. Lee, H. Hyuga, H. Kita, K. Inaba,H. Ohta, and K. Koumoto, “Enhancement of Seebeck coefficient for SrO(SrTiO3)2by Sm-substitution: Crystal symmetry restoration of disordered TiO6 octahedra”, Appl. Phys. Lett. 91, 242102 (2007).
  32. K. Kato, M. Yamamoto, S. Ohta, H. Muta, K. Kurosaki, S. Yamanaka, H. Iwasaki,H. Ohta, and K. Koumoto, “The effect of Eu-substitution on thermoelectric properties of SrTi0.8Nb0.2O3”,J. Appl. Phys. 102, 116107 (2007).
  33. Y. Mune,H. Ohta, K. Koumoto, T. Mizoguchi, and Y. Ikuhara, “Enhanced Seebeck coefficient of quantum-confined electrons in SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3superlattices”, Appl. Phys. Lett. 91, 192105 (2007).
  34. Y. Ishida,H. Ohta, A. Fujimori, and H. Hosono, “Temperature dependence of the chemical potential in NaxCoO2: Implications for the large thermoelectric power”,J. Phys. Soc. Jpn. 76, 103709 (2007).
  35. K-H. Lee, S-W. Kim, A. Ishizaki,H. Ohta, and K. Koumoto, “Preparation and thermoelectric properties of heavily Nb-doped SrO(SrTiO3)1epitaxial films”,J. Appl. Phys. 102, 033702 (2007).
  36. H. Hiramatsu, K. Ueda,H. Ohta, M. Hirano, M. Kikuchi, H. Yanagi, T. Kamiya, and H. Hosono, “Heavy hole doping of epitaxial thin films of a wide gap p-type semiconductor, LaCuOSe, and analysis of the effective mass”,Appl. Phys. Lett. 91, 012104 (2007).
  37. K-H. Lee, S-W. Kim,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of layered perovskite-type (Sr1-xCax)(Ti1-yNby)2O7”,J. Appl. Phys. 101, 083707 (2007).
  38. M. Yamamoto,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric phase diagram in a CaTiO3-SrTiO3-BaTiO3system”, Appl. Phys. Lett. 90, 072101 (2007).
  39. K. Nomura, T. Kamiya,H. Ohta, T. Uruga, M. Hirano, and H. Hosono, “Local coordination structure and electronic structure of the large electron mobility amorphous oxide semiconductor In-Ga-Zn-O: Experiment andab initio calculations”, Phys. Rev. B 75, 035212 (2007).
  40. H. Ohta, S-W. Kim, Y. Mune, T. Mizoguchi, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, Y. Nakanishi, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Thermoelectric Seebeck coefficient of a Two-dimensional Electron Gas in SrTiO3”,Nature Mater. 6, 129–134 (2007).
  41. T. Kamiya, Y. Takeda, K. Nomura,H. Ohta, H. Yanagi, M. Hirano, and H. Hosono, “Self-adjusted, three-dimensional lattice-matched buffer layer for growing ZnO epitaxial film: homologous series layered oxide, InGaO3(ZnO)5”,Cryst. Growth Des. 6, 2451–2456 (2006).
  42. D. Flahaut, T. Mihara, R. Funahashi, N. Nabeshima, K. Lee,H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of A-site substituted Ca1-xRexMnO3system”, J. Appl. Phys. 100, 084911 (2006).
  43. D. Kurita, S. Ohta, K. Sugiura,,H. Ohta, and K. Koumoto, “Carrier generation and transport properties of heavily Nb-doped anatase TiO2epitaxial films at high-temperatures”,J. Appl. Phys. 100, 096105 (2006).
  44. K-H. Lee,H. Ohta, S-W. Kim, and K. Koumoto, “Investigating Ruddlesden-Popper phase as thermoelectric materials: Nb-doped SrO(SrTiO3)n(n=1, 2)”, J. Appl. Phys. 100, 063717 (2006).
  45. Y. Ishida,H. Ohta, M. Hirano, A. Fujimori, and H. Hosono, “Potensial profiling of the nanometer-scale charge depletion in n-ZnO/p-NiO junction using photoemission spectroscopy”,Appl. Phys. Lett. 89, 153502 (2006).
  46. H. Hiramatsu, H. Kamioka, K. Ueda,H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Opto-electronic properties and light-emitting device application of widegap layered oxychalcogenides: LaCuOCh(Ch = chalcogen) and La2CdO2Se”, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 2800–2811 (2006).
  47. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya,H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Amorphous oxide semiconductors for high-performance flexible thin-film transistors”,Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303–4308 (2006).
  48. K. Sugiura,H. Ohta, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “High electrical conductivity of layered cobalt oxide Ca3Co4O9epitaxial films grown by topotactic ion exchange method”,Appl. Phys. Lett. 89, 032111 (2006).
  49. H. Ohta, A. Mizutani, K. Sugiura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Surface Modification of Glass Substrate for Oxide Heteroepitaxy: Pastable Three-dimensionally Oriented Layered Oxide Thin Film”,Adv. Mater. 18, 1649–1652 (2006).
  50. K. Sugiura,H. Ohta, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Fabrication and thermoelectric properties of layered cobaltite, γ-Sr0.32Na0.21CoO2epitaxial films”, Appl. Phys. Lett. 88, 082109 (2006).
  51. K. Sugiura,H. Ohta, K. Nomura, H. Yanagi, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Epitaxial film growth and superconducting behavior of sodium-cobalt oxyhydrate, NaxCoO2·yH2O (x~0.3,y~1.3)”, Inorg. Chem. (communication) 45, 1894–1896 (2006).
  52. S. Ohta,H. Ohta, and K. Koumoto, “Grain size dependence of thermoelectric performance of Nb-doped SrTiO3polycrystals”, J. Ceram. Soc. Japan 114, 102–105 (2006).
  53. H. Hiramatsu, K. Ueda,H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Excitonic blue luminescence from p-LaCuOSe/n-InGaZn5O8light-emitting diode at room temperature”, Appl. Phys. Lett. 87, 211107 (2005).
  54. PX. Zhu, T. Takeuchi,H. Ohta, WS. Seo, and K. Koumoto, “Preparation and thermoelectric properties of NaxCoO2/Co3O4layered nano-composite”, Mater. Trans. 46, 1453–1455 (2005).
  55. S. Ohta, T. Nomura,H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Large thermoelectric performance of heavily Nb-doped SrTiO3epitaxial film at high-temperature”,Appl. Phys. Lett. 87, 092108 (2005).
  56. F. Oba, Y. Sato, T. Yamamoto,H. Ohta, H. Hosono, and Y. Ikuhara, “Effect of boundary plane on the atomic structure of [0001] Σ7 tilt grain boundaries in ZnO”,J. Mater. Sci. 40, 3067–3074 (2005).
  57. T. Kamiya, S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda,H. Ohta, M. HIrano and H. Hosono, “Electrical properties and structure of p-type amorphous oxide semiconductorxZnO·Rh2O3”, Adv. Funct. Mater. 15, 968–974 (2005).
  58. S. Ohta, T. Nomura,H. Ohta, and K. Koumoto, “High-temperature carrier transport and thermoelectric properties of heavily La- or Nb-doped SrTiO3single crystals”, J. Appl. Phys. 97, 034106 (2005).
  59. T. Kambayashi,H. Ohta, H. Hoshi, M. Hirano, H. Hosono, T. Takezoe, and K. Ishikawa, “Epitaxial growth of a copper-phthalocyanine on a transparent conductive substrate with an atomically flat surface”,Cryst. Growth Des. 5, 143–146 (2005).
  60. H. Ohta, S-W. Kim,S. Ohta, K. Koumoto, M. Hirano, and H. Hosono, “Reactive solid-phase epitaxial growth of NaxCoO2 (x ~0.83) via lateral diffusion of Na into a cobalt oxide epitaxial layer”, Cryst. Growth Des. 5, 25–28 (2005).
  61. Y. Gao, Y. Masuda, WS. Seo,H. Ohta, and K. Koumoto, “TiO2 nanoparticles prepared using an aqueous peroxotitanate solutions”, Ceram. Int. 30, 1365-1368 (2004).
  62. Y. Gao, Y. Masuda,H. Ohta, and K. Koumoto, “Room temperature preparation of ZrO2precursor thin film in an aqueous peroxozirconium-complex solution”, Chem. Mater. 16, 2615-2622 (2004).
  63. H. Hiramatsu, K. Ueda, T. Kamiya,H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Optical properties and two dimensional electronic structure in wide-gap layered oxychalcogenide: La2CdO2Se2”,J. Phys. Chem. B 108, 17344–17351 (2004).
  64. F. Oba,H. Ohta, Y. Sato, H. Hosono, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic structure of [0001]-tilt grain boundaries in ZnO: A high-resolution TEM study of fiber-textured thin films”,Phys. Rev. B 70, 125415 (2004).
  65. T. Sasaki, K. Matsunaga,H. Ohta, H. Hosono, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic and Electronic Structures of Ni/YSZ(111) Interface”,Mater. Trans.45, 2137–2143 (2004).
  66. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Degenerate electrical conductive and excitonic photoluminescence properties of pitaxial films of wide gap p-type layered oxychalcogenides,LnCuOCh (Ln=La, Pr and Nd; Ch=S or Se)”, Appl. Phys. A 79, 1521–1523 (2004).
  67. T. Kamiya,H. Ohta, M. Kamiya, K. Nomura, K. Ueda, M. Hirano, and H. Hosono, “Li-doped NiO epitaxial thin film with atomically flat surface”,J. Mater. Res. 19, 913–920 (2004).
  68. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Heteroepitaxial growth of wide gap p-type semiconductors:LnCuOCh (Ln=La, Pr and Nd; Ch=S or Se) by reactive solid-phase epitaxy”, Appl. Phys. A 79, 1517–1520 (2004).
  69. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Fabrication of heteroepitaxial thin films of layered oxychalcogenidesLnCuOCh (Ln=La–Nd; Ch=S–Te) by reactive solid-phase epitaxy”, J. Mater. Res. 19, 2137–2143 (2004).
  70. K. Nomura,H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Carrier transport in transparent oxide semiconductor with intrinsic structural randomness probed using single-crystalline InGaO3(ZnO)5films”, Appl. Phys. Lett. 85, 1993–1995 (2004).
  71. K. Nomura,H. Ohta, A. Takagi, T, Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors”,Nature 432, 488–492 (2004).
  72. T. Kamiya,H. Ohta, H. Hiramatsu, K. Hayashi, K. Nomura, S. Matsuishi, K. Ueda, M. Hirano, and H. Hosono, “Natural nanostructures in ionic semiconductors”,Microelectron. Eng. 73-74, 620–626 (2004).
  73. K. Ueda, H. Hiramatsu,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Single-atomic-layered quantum wells built in wide-gap semiconductorsLnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen)”, Phys. Rev. B 69, 155305 (2004).
  74. K. Nomura,H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Orita, M. Hirano, T. Suzuki, C. Honjyo, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “Growth mechanism for single-crystalline thin film of InGaO3(ZnO)5by reactive solid-phase epitaxy”, J. Appl. Phys. 95, 5532–5539 (2004).
  75. K. Nomura,H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “All oxide transparent MISFET using high-kdielectrics gates”,Miroelectron. Eng. 72, 294–298 (2004).
  76. H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, “Transparent organic thin-film transistor with a laterally grown non-planar phthalocyanine channel”,Adv. Mater. 16, 312–315 (2004).
  77. H. Hiramatsu,H. Ohta, T. Suzuki, C. Honjyo, Y. Ikuhara, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Mechanism for heteroepitaxial growth of transparent P-type semiconductor: LaCuOS by reactive solid-phase epitaxy”,Cryst. Growth. Des. 4, 301–307 (2004).
  78. H. Kamioka, H. Hiramatsu,H. Ohta, M. Hirano, K. Ueda, T. Kamiya, and H. Hosono, “Third-order optical nonlinearity originating from room-temperature exciton in layered compounds LaCuOS and LaCuOSe”,Appl. Phys. Lett. 84, 879–881 (2004).
  79. T. Sasaki, K. Matsunaga,H. Ohta, H. Hosono, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, “Atomic and electronic structures of Cu/α-Al2O3interfaces prepared by pulsed-laser deposition”, Science and Technology of Advanced Materials 4, 575–584 (2003).
  80. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Intrinsic excitonic photoluminescence and band-gap engineering of wide-gap p-type oxychalcogenide epitaxial films ofLnCuOCh (Ln=La, Pr, and Nd; Ch=S or Se) semiconductor alloys”, J. Appl. Phys. 94, 5805–5808 (2003).
  81. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji,H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Electrical and optical properties and electronic structures ofLnCuOS (Ln = La similar to Nd)”, Chem. Mater. 15, 3692–3695 (2003).
  82. S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Simizu, K. Ueda,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “A p-type amorphous oxide semiconductor and room temperature fabrication of amorphous oxide p-n heterojunction diodes”,Adv. Mater. 15, 1409–1413 (2003).
  83. H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Maruta, T. Tanabe, M. Kamiya, T. Kamiya, and H. Hosono, “Fabrication and photoresponse of a pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO and n-ZnO”,Appl. Phys. Lett. 83, 1029–1031 (2003).
  84. H. Ohta, T. Kambayashi, M. Hirano, H. Hoshi, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, “Application of transparent conductive substrate with atomically flat & stepped surface for lateral growth of organic molecule: vanadyl-phthalocyanine”,Adv. Mater. 15, 1258–1262 (2003).
  85. K. Nomura,H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor”,Science 300, 1269–1272 (2003).
  86. H. Ohta, K. Nomura, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, T. Suzuki, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “Single-crystalline films of InGaO3(ZnO)m(m=integer) homologous phase grown by reactive solid-phase epitaxy”,Adv. Funct. Mater. 13, 139–144 (2003).
  87. H. Ohta, H. Mizoguchi, M. Hirano, S. Narushima, T. Kamiya, and H. Hosono, “Fabrication and characterization of heteroepitaxial p-n junction diode composed of wide-gap oxide semiconductors p-ZnRh2O4/n-ZnO”,Appl. Phys. Lett. 82, 823–825 (2003).
  88. H. Hiramatsu, K. Ueda,H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and Hideo Hosono, “Degenerate p-type conductivity in wide-gap LaCuOS1-xSex(x=0~1) epitaxial films”,Appl. Phys. Lett. 82, 1048–1050 (2003).
  89. H. Hiramatsu,H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Heteroepitaxial growth of single-phase zinc blend ZnS film on transparent substrate by pulsed laser deposition under H2S atmosphere”,Solid State Comm. 124, 411–415 (2002).
  90. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, I. Yagi, K. Ueda, and H. Hosono, “Electronic structure and optical properties of p-type transparent oxide semiconductor; SrCu2O2”,J. Appl. Phys. 91, 3074–3078 (2002).
  91. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Surface morphology and crystal quality of low resistive indium tin oxide grown on yttria-stabilized zirconia”,J. Appl. Phys. 91, 3547–3550 (2002).
  92. M. Miyakawa, R. Noshiro, T. Ogawa, K. Ueda, H. Kawazoe,H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Carrier doping into MgIn2O4epitaxial thin films by proton implantation”,J. Appl. Phys. 91, 2112–2117 (2002).
  93. H. Hiramatsu, K. Ueda,H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Heteroepitaxial growth of a wide-gap p-type semiconductor, LaCuOS”,Appl. Phys. Lett. 81, 598–600 (2002).
  94. H. Hosono,H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita, and M. Hirano, “Near UV-emitting diodes based on transparent P-N junction composed of heteroepitaxially grown p-SrCu2O2and n-ZnO”, J. Crystal Growth 237-239, 496–502 (2002).
  95. H. Yanagi, K. Ueda, H. Hosono,H. Ohta, M. Orita, and M. Hirano, “Fabrication of all oxide transparent p-n homojunction using bipolar CuInO2”,Solid State Comm. 121, 15–17 (2002).
  96. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Fabrication and characterization of ultraviolet-emitting diode composed of transparent p-n heterojunction, p-SrCu2O2and n-ZnO”, J. Appl. Phys. 89, 5720–5725 (2001).
  97. M. Orita,H. Ohta, M. Hirano,S. Narushima, and H. Hosono, “Amorphous transparent conductive oxide InGaO3(ZnO)m (m<4) : a Zn 4s Conductor”, Phil. Mag. 81, 501–515 (2001).
  98. K. Ueda, T. Hase, H. Ynagai, H. Kawazoe, H. Hosono,H. Ohta, M. Orita, and M. Hirano, “Epitaxial growth of transparent p-type conducting CuGaO2thin films on sapphire (001) substrates by pulsed laser deposition”, J. Appl. Phys. 89, 1790–1793 (2001).
  99. M. Orita,H. Ohta, H. Hiramatsu, M. Hirano, S. Den, M. Sasaki, T. Katagiri, H. Minura, and H. Hosono, “Pulsed laser deposition system for producing oxide thin films at high temperature”,Rev. Sci. Inst. 72, 3340–3343 (2001).
  100. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, and H. Hosono, “Current injection emission from a transparent p-n junction composed of p-SrCu2O2/n-ZnO”,Appl. Phys. Lett., 77, 475–477 (2000).
  101. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita,N. Sarukura, M. Hirano, and H. Hosono, “UV-emitting diode composed of transparent oxide semiconductors: p-SrCu2O2/n-ZnO”, Electron. Lett. 36, 984–985 (2000).
  102. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, and H. Hosono, “Highly electrically conductive indium-tin-oxide thin films epitaxially grown on yttria-stabilized zirconia (100) by pulsed-laser deposition”,Appl. Phys. Lett. 76, 2740–2742 (2000).
  103. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Deep-ultraviolet transparent conductive β-Ga2O3 thin films”, Appl. Phys. Lett. 77, 4166–4168 (2000).
  104. Y. Michiue, F. Brown, N. Kimizuka, M. Onoda, M. Nakamura, M. Watanabe, M. Orita,, andH. Ohta, “Crystal structure of InTi0.75Fe0.25Ti0.67O3.375 and phase relations in the pseudobinary system InFeO3-In2Ti2O7at 1300°C”, Chem. Mater. 12, 2244–2249 (2000).
  105. Y. Michiue, F. Brown, N. Kimizuka, M. Watanabe, M. Orita, andH. Ohta, “Orthorhombic InFe0.33Ti0.67O3.33”,Acta. Cryst. C 55, 1755–1757 (1999).
  106. H. Hiramatsu,H. Ohta, W. S. Seo, and K. Koumoto, “Thermoelectirc properties of (ZnO)5In2O3thin films prepared by r.f. sputtering method”, J. Jpn. Soc. Powder and Powder Metal. 44, 44–49 (1997).
  107. H. Ohta, W. S. Seo, and K. Koumoto, “Thermoelectirc properties of homologous compounds in the ZnO-In2O3system”, J. Am. Ceram. Soc.79, 2193–2196 (1996).

 

解説・総説
  1. 太田裕道、「電界誘起2次元伝導層の熱起電力と制御」、未来材料 11[5], 54–59 (2011).
  2. 太田裕道、「水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作製」、名大トピックス 213, 6–7 (2011).
  3. 太田裕道、「「たかが水、されど水」-水の電気分解を利用して絶縁体を大きな熱電効果を示す金属に-」、現代化学 480, 23–28 (2011).
  4. 太田裕道、溝口照康、幾原雄一、「誘電体TiO2/SrTiO3ヘテロ界面の構造と電子状態」、マテリアルインテグレーション 22, 38–42 (2009).
  5. H. Ohta, K. Sugiura, and K. Koumoto, “Recent Progress in Oxide Thermoelectric Materials -p-type Ca3Co4O9 and n-type SrTiO3 –”, Inorg. Chem. 47, 8429–8436 (2008).
  6. 太田裕道、河本邦仁、基礎科学部会「酸化物熱電変換材料の開発動向」、セラミックス 43, 966–969 (2008).
  7. 太田裕道、「厚さ0.4ナノ㍍の極薄SrTiO3シートが発生する巨大熱起電力- 酸化物熱電変換材料の設計」、未来材料8, 10–13 (2008).
  8. 太田裕道、「酸化物人工超格子 量子サイズ効果による熱起電力増強」、電気学会誌 128, 290–292 (2008).
  9. 太田裕道、「特集にあたって(巻頭言)」、機能材料28, 5 (2008).
  10. 杉浦健二、太田裕道、「反応性固相エピタキシャル成長法」、機能材料 28, 27–33 (2008).
  11. 石田行章、藤森 淳、太田裕道、細野秀雄、「熱電コバルト酸化物のキャリア・エントロピーの光電子分光による直接観測」、固体物理 43, 343–350 (2008).
  12. H. Ohta, “Two-dimensional thermoelectric Seebeck coefficient of the SrTiO3 based superlattices”, phys. stat. sol. (b) 245, 2363–2368 (2008).
  13. H. Ohta, “Thermoelectrics based on Strontium Titanate”, Mater. Today 10, 44–49 (2007).
  14. 太田裕道、「熱電現象の新発見-2DEGが発生する巨大熱起電力」、セラミックデータブック2007(工業製品技術協会)35, 84–87 (2007).
  15. 太田裕道、「脱・重金属!!ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える」、化学 62, 31–34 (2007).
  16. 太田裕道、「誘電体チタン酸ストロンチウム結晶に閉じ込めた電子の巨大熱起電力」、機能材料 27, 69–74 (2007).
  17. 太田裕道、「酸化物熱電変換材料-誘電体中に閉じ込められた二次元電子の巨大熱起電力-」、セラミックス 42, 592–595 (2007).
  18. 太田裕道、「毒性物質を使わない高性能酸化物熱電材料の開発」、熱電学会誌 3, 2–4 (2007).
  19. H. Ohta, “Reactive Solid-Phase Epitaxy: A powerful method for epitaxial film growth of complex layered oxides”, J. Ceram. Soc. Jpn. 114, 147 (2006).
  20. 野村研二、太田裕道、神谷利夫、細野秀雄、「自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用」、材料開発のための顕微鏡法と応用写真集、日本金属学会、222 (2006).
  21. 太田裕道、野村研二、平松秀典、平野正浩、細野秀雄、「反応性固相エピタキシャル成長法」、リガクジャーナル、37、3–10 (2006).
  22. 太田裕道、太田慎吾、河本邦仁、特集 世界の熱電変換研究 「n型酸化物熱電変換材料の設計指針~ペロブスカイト型SrTiO3~」、マテリアルインテグレーション 18, 2–6 (2005).
  23. 野村研二、太田裕道、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体を用いた透明電界効果トランジスタ」、マテリアルインテグレーション、18巻2号 (2005).
  24. 太田裕道、第3章 「透明酸化物半導体の高品質薄膜成長」、機能材料、25、22–29 (2005).
  25. H. Ohta and H. Hosono, “Transparent Oxide Optoelectronics”, Mater. Today 7, 42–51 (2004).
  26. 神谷利夫、太田裕道、平松秀典、上岡隼人、野村研二、「透明酸化物半導体とデバイスへの展開」、オプトロニクス 2004年10月号, 128–139 (2004).
  27. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “High-Quality Epitaxial Film Growth of Trasparent Oxide Semiconductors”, J. Ceram. Soc. Jpn. 112[S], S602–S609 (2004).
  28. 平松秀典、太田裕道、植田和茂、平野正浩、細野秀雄、「自然超格子構造を有する透明半導体―エピタキシャル成長と光・電子物性―」、月刊ディスプレイ、2003年5月号,78–83 (2003).
  29. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, and H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Journal of Modern Physics B 16, 173–181 (2002).
  30. H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, and M. Hirano, “Frontier of transparent conductive oxide thin films”, Vacuum 66, 419–425 (2002).
  31. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Frontier of transparent oxide semiconductors”, Solid State Electron. 47, 2261–2267 (2003).
  32. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「p-SrCu2O2/n-ZnOヘテロ接合LEDの作製と近紫外発光」、表面科学 22, 419–424 (2001).
  33. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発」、セラミックス、36, 4, 285–288 (2001).
  34. 折田政寛、太田裕道、細野秀雄、「透明酸化物半導体の新しい展開」、表面、38, 28–36 (2000).
著書
  1. 太田裕道、セラミック機能化ハンドブック 第3章 電子・磁性材料 第2節 熱電材料、エヌ・ティー・エス (2011).
  2. H. Ohta, Chapter 14 Junctions, Handbook of Transparent Conductors, 1st Edition, (Eds.) D. S. Ginley, H. Hosono, and D. C. Paine, Springer-Verlag (2010).
  3. 太田裕道、「核生成、結晶成長、スピノーダル分解、エピタキシャル成長、導電性材料、固体撮像材料」、無機材料必須300-原理・物性・応用、守吉佑介 編、三共出版 (2008).
  4. 太田裕道、「第2章第4節3 酸化物超格子」、熱電変換技術ハンドブック、梶川武信 監修、エヌ・ティ・エス (2008)
  5. 太田裕道、透明導電膜の技術(改訂2版) 6章5節 「パルスレーザー堆積法」(2007).
  6. 太田裕道、「2.3.1 核生成・成長」、名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシング」、三共出版 (2007).
  7. 太田裕道、透明酸化物機能材料とその応用 第2章 「透明p型導電性酸化物とpn接合デバイス」、シーエムシー出版 (2006).
  8. 太田裕道、環境調和型新材料シリーズ「熱電変換材料の技術戦略」 3章3節 構造・形態制御 「エピタキシャル薄膜」、日本セラミックス協会・日本熱電学会編 (2005).
  9. 太田裕道、細野秀雄、「第3章 p型透明酸化物半導体とpnヘテロ接合発光ダイオード」、エレクトロニクス材料・技術シリーズ 透明導電膜の新展開II、シーエムシー出版,41–50 (2002).
  10. 太田裕道、細野秀雄、「透明導電膜~ITOを中心に~」、新訂判・薄膜作製応用ハンドブック、3, 4 (2002).
招待講演
  1. 太田裕道、「高分解能X線回折法による金属酸化物薄膜の分析」、第240回X線分析研究懇談会、名古屋大学、2011年12月2日
  2. 太田裕道、「温度差で発電する熱電材料-酸化物の挑戦」、超精密加工専門委員会第62回研究会(高度エネルギー変換材料)、大阪ガーデンパレス(大阪)、2011年7月13日
  3. 太田裕道、「水の電気分解を利用したSrTiO3の金属化と熱電能」、第55回固体イオニクス研究会「遷移金属複合酸化物:新しい合成法、物質、物性」、京都国際会館(京都)、2011年1月26日
  4. 太田裕道、「酸化物半導体における熱電能のゲート電界変調」、第5回KEK連携研究会「熱電変換材料と新規機能物質」、筑波大学(つくば)、2010年12月18日
  5. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電能」、第19回強相関コアセミナー、産総研つくば中央(つくば)、2010年12月17日
  6. Kyu Hyoung Lee、宗 頼子、太田裕道、河本邦仁、「優秀論文賞受賞記念講演」 Thermoelectric Seebeck Effect of SrTiO3、第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、9月17日
  7. H. Ohta, “Electric Field Modulation of Thermopower for SrTiO3“, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日~9日
  8. Hiromichi Ohta, Kenji Sugiura, Kunihito Koumoto, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano and Hideo Hosono, “Heteroepitaxy of Complex Oxides With Natural Superlattice Structure”, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日~9日
  9. 太田裕道、「酸化物の熱電現象」、(社)日本磁気学会 第36回化合物新磁性材料研究会「熱電材料と場の理論」、東京大学物性研究所本館6階、2月24日
  10. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電特性-バルク、人工超格子、トランジスタ-」、応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会研究例会 エネルギーハーベスト技術-熱電変換、振動発電の実力と展望-、機械振興会館(東京)、12月21日
  11. 太田裕道、「熱電変換 -薄膜によるアプローチ」、日本表面科学会主催 第30回表面科学セミナー「グリーンテクノロジー、表面科学の新たな挑戦」、東京理科大学 森戸記念館(東京)、2009年11月12日
  12. 太田裕道、「SrTiO3結晶中に閉じ込められた極薄電子層の巨大熱起電力」、粉体粉末冶金協会平成21年度秋季大会、名古屋国際会議場(名古屋)、2009年10月27日
  13. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of SrTiO3 – Electron doped bulks, superlattices and field effect transistors”, The 16th Workshop on Oxide Electronics, Tarragona (Spain), 2009年10月6日
  14. 太田裕道、「金属酸化物による熱電変換 -エピタキシャル薄膜によるアプローチ-」、第70回応用物理学会学術講演会(『機能性酸化物研究グループ・合同セッション:ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス・応用電子物性分科会』企画「社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来」)、2009年9月8日、富山大学(富山)
  15. 太田裕道、「SrTiO3の熱電特性」、日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 第45回研究会、2009年7月17日、アイビーホール青学会館
  16. 太田裕道、「熱電変換:極薄チタン酸ストロンチウム二次元電子の魅力」、フィラー研究会 第147回フィラー研究会、2009年7月9日、エル大阪
  17. Hiromichi Ohta, Akira Yoshikawa, Daisuke Kurita, Kunihito Koumoto, Ryoji Asahi, Yumi Masuoka, Kenji Nomura, and Hideo Hosono, “Electric Field Induced Giant Thermopower of Two-dimensional Electron Gas at the Gate Insulator/SrTiO3 Heterointerface”, 2009 MRS spring meeting, San Francisco, CA, 2009年4月13日~17日
  18. 太田裕道、「SrTiO3結晶に閉じ込められた二次元電子の巨大熱電効果」、日本化学会第89春季年会、平成21年3月27日~30日、日本大学理工学部船橋キャンパス
  19. 太田裕道、「人工宝石チタン酸ストロンチウムによる熱電変換の可能性」、日本ファインセラミックス協会主催 第23回JFCAテクノフェスタ、メルパルク東京(東京)、2009年1月26日
  20. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck coefficient of two-dimensional electron layer in SrTiO3 crystal”, Villa Conference on Complex Oxide Heterostructures, Orange Tree Villa, Clermont, FL, 2008年11月2日~6日
  21. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウム超格子の作製と熱電変換材料への応用」、東海ものづくり創生協議会主催 平成20年度第2回技術シーズ発表会、ミッドランドスクエア会議室(名古屋)、2008年10月23日
  22. H. Ohta, “Enhancement of thermoelectric performance using 2DEG”, Shandong University Seminar (organized by Prof. Wang Chunlei), Shandong University(山東大学・中国), 2008年10月22日
  23. Kunihito Koumoto and Hiromichi Ohta, “SrTiO3-based superlattices for thermoelectric energy conversion”, Materials Science & Technology 2008 Conference and Exhibition, David Lawrence Convention Center, Pittsburgh, Pennsylvania, 2008年10月5日~9日
  24. H. Ohta, “Giant Thermopower of Two Dimensionally Confined Electrons in Dielectric Oxides”, Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp. Joint Symposium, 名古屋大学(名古屋)、2008年9月10日~12日
  25. H. Ohta, “Two-dimensional thermoelectric Seebeck coefficient of electron doped SrTiO3”, The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity, チェジュ大学 (韓国), 2008年8月6日~9日
  26. 太田裕道、「熱電変換材料としての金属酸化物の可能性」、応用物理学会東海支部第12回基礎セミナー、名古屋大学(名古屋)、2008年3月7日
  27. 太田裕道、杉浦健二、「層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性」、平成19年度 東京工業大学応用セラミックス研究所ワークショップ「酸化物エピタキシーの表面界面制御と機能開発」、東京工業大学(横浜)、2008年1月28日~29日
  28. 太田裕道、「ありふれた酸化物を使った熱電変換材料の開発」、東海化学工業会セミナー「元素を駆使した光・電子材料の研究開発」、栄ガスビル(名古屋)、2007年12月6日
  29. H. Ohta, “Two-dimensional Seebeck Effect in SrTiO3 Superlattices”, 7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology, Shanghai (China), 2007年11月13日
  30. Hiromichi Ohta and Kunihito Koumoto, “Development of thermoelectric oxide based on SrTiO3”, 1st International Forum on Advanced Materials, Shanghai (China), 2007年11月10日
  31. H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Mune, Y. Ikuhara, K. Koumoto, “Enhanced Seebeck coefficient of quantum confined electrons in the SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, The 7th France-Japan Workshop on Nanomaterials, Strasbourg (France), 2007年10月24日
  32. H. Ohta, “Development of SrTiO3-based thermoelectric thin film with two dimensional electrons”, The 14th International Workshop on Oxide Electronics, Jeju (Korea), 2007年10月8日
  33. 太田裕道、金 聖雄、宗 頼子、溝口照康、野村研二、太田慎吾、野村隆史、中西由貴、幾原雄一、平野正浩、細野秀雄、河本邦仁、「熱電変換材料としての誘電体チタン酸ストロンチウム-誘電体超格子に閉じ込められた二次元電子ガスの巨大熱起電力-」、第4回日本熱電学会学術講演会、2007年8月29日-30日、大阪大学(吹田)
  34. H. Ohta, “Enhanced Seebeck coefficient of two-dimensionally confined electrons in a SrTiO3 unit cell layer”, International Symposium on Nano-Thermoelectrics, Osaka (Japan), 2007年6月11日-12日
  35. H. Ohta, “Giant thermoelectric response of two-dimensional electrons confined within a unit cell layer of SrTiO3”, The 5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-5), 湘南国際村(神奈川)、2008年5月21日~22日
  36. 太田裕道、「熱電変換材料としてのチタン酸ストロンチウムの可能性」、平成18年度第3回熱電変換材料研究会、広島市産業振興センター(広島)、2008年3月23日
  37. 太田裕道、「金属酸化物の薄膜作製技術・熱電特性」、北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科セミナー、北陸先端科学技術大学院大学(石川)、2006年11月21日
  38. 太田裕道、河本邦仁、「熱を電気に変える石ころ:原子レベルの制御技術によって作られた金属酸化物薄膜」、テクノフェア名大2006、名古屋大学、2006年10月27日
  39. 太田裕道、「透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発」、日本セラミックス協会2006年年会、東京大学駒場キャンパス(東京)、(進歩賞受賞記念講演)
  40. H. Ohta, S-W. Kim, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Seebeck effect originating from 2DEG at the TiO2/SrTiO3 heterointerface”, the 2005 MRS Fall Meeting, Boston (USA), 2005年11月27日~12月2日
  41. H. Ohta, S. Ohta, and K. Koumoto, “Large Thermoelectric Response of Ti-containing Perovskite Oxides”, SSTE-1; a special symposium on the 4th China International Conference on High-Performance Ceramics, China, 2005年10月23日~26日
  42. 太田裕道、「高分解能薄膜X線回折によるエピタキシャル薄膜の結晶性評価」、平成17年度応用物理学会東海支部第7回基礎セミナー「薄膜の評価技術」、2005年9月29日~30日
  43. 太田裕道、太田慎吾、杉浦健二、河本邦仁、「酸化物熱電変換材料のエピタキシャル薄膜成長」、日本セラミックス協会第18回秋季シンポジウム、大阪府立大学(大阪)、2005年9月27日~29日
  44. 太田裕道、「透明酸化物半導体の高品質エピタキシャル薄膜成長と光電子デバイス」、日本セラミックス協会東海支部第31回東海若手セラミスト懇話会、犬山(愛知)、2005年6月16日~17日
  45. 太田裕道、「反応性固相エピタキシャル成長法-デバイス品質の酸化物自然超格子を作るための必殺技-」、第9回ガラス表面研究討論会、東京工業大学(東京)、2005年2月8日
  46. 太田裕道、「透明酸化物半導体エピタキシャル薄膜成長とデバイス開発」、人工結晶工学会新材料・新技術分科会平成15年度第1回講演会、2004年3月3日
  47. 太田裕道、「透明酸化物半導体の光・電子デバイス」、平成15年度東北大学金属材料研究所ワークショップ「コンビナトリアル固体化学の新展開と酸化物半導体」、2004年1月23日~24日
  48. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Epitaxial Growth and Application of Transparent Oxide Semiconductors”, 204th Meeting of the Electrochemical Society, Olando, USA, 2003年10月12日~16日
  49. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Single-crystalline film growth techniques of transparent oxide semiconductors” 、PacRim 2003、名古屋国際会議場(名古屋)、2003年9月29日~10月2日
  50. H. Ohta, H. Hiramatsu, M. Orita, M. Hirano, K. Nomura, K. Ueda, H. Hosono, T. Suzuki, Y. Ikuhara, “Reactive Solid-Phase Epitaxy – A magical way to fabricate single-crystalline thin films of complex oxides with superlattice structure ?”, 2002 MRS Fall Meeting, Boston, USA, 2002年12月2日~6日
  51. H. Ohta, K. Nomura, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Single crystal films of In2O3(ZnO)m (m=integer) natural super lattice grown by novel solid-state diffusion technique”, The International Conference On Metallurgical Coatings And Thin Films ICMCTF 2002, San Diego, California, USA , 2002年4月22日~26日
  52. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長」、2002年電気化学秋季大会、東京、2002年9月12日~13日
  53. 太田裕道、「透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発」、第7回セラミックス・プラザ8 (日本セラミックス協会中国四国支部主催), 岡山, 2002年11月15日
  54. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル成長と光・電子デバイスへの応用」、産総研・セラミックス研究部門講演会、名古屋、2002年12月16日
  55. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Improvement of UV-light emission for P-N heterojunction LED composed of p-SrCu2O2 and n-ZnO”, MRS 2001 spring meeting, San Francisco, California, USA, 2001年4月16日~20日
  56. H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT 2001 MRS-Singapore, Singapore, Singapore, 2001年7月1日~6日
  57. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体のヘテロp-n接合による紫外発光ダイオード」、日本セラミックス協会第12回フォトニクス討論会, 東京, 2001年8月24日
  58. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、「透明酸化物ヘテロp-n接合への電流注入による室温紫外発光」、2001年春季第48回応用物理学関連連合講演会、東京、2001年3月28日~31日
  59. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「初めて実現した酸化物紫外発光ダイオード:p-SrCu2O2/n-ZnO」、第285回蛍光体同学会、2000年
プロシーディングス
  1. H. Ohta, Y. Mune, K. Koumoto, T. Mizoguchi, and Y. Ikuhara, “Critical thickness for giant thermoelectric Seebeck coefficient of 2DEG confined in SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, Thin Solid Films 516, 5916 (2008).
  2. T, Katase, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Fabrication of ScAlMgO4 epitaxial thin films using ScGaO3(ZnO)m buffer layers and its application to lattice-matched buffer layer for ZnO epitaxial growth”, Thin Solid Films 516, 5842 (2008).
  3. Y. Mune, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-05 (2008).
  4. Y. Nakanishi, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-06 (2008).
  5. K. Sugiura, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric performance of epitaxial thin films of layered cobalt oxides grown by reactive solid-phase epitaxy with topotactic ion-exchange methods”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 308 (2007).
  6. K-H. Lee, Y-F. Wang, S-W. Kim, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of Ruddlesden-Popper phase n-type semiconducting oxides: La-, Nd-, and Nb-doped Sr3Ti2O7”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 326 (2007).
  7. Y. Ogo, K. Nomura, H. Yanagi, H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth and structure of heteroepitaxial thin films of homologous compounds RAO3(MO)m by reactive solid-phase epitaxy: Applicability to a variety of materials and epitaxial template layers”, Thin Solid Films 496, 64 (2006).
  8. Y. Takeda, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth of epitaxial ZnO films on lattice-matched buffer layer: Application of InGaO3(ZnO)6 single-crystalline thin film”, Thin Solid Films 486, 28 (2005).
  9. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Tanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Carrier transport and electronic structure in amorphous oxide semiconductor, a-InGaZnO4”, Thin Solid Films 486, 38 (2005).
  10. T. Kamiya, K. Ueda, H. Hiramatsu, H. Kamioka, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Two-dimensional electronic structure and multiple excitonic states in layered oxychalcogenide semiconductors, LaCuOCh (Ch = S, Se, Te): Optical properties and relativistic ab intio study”, Thin Solid Films 486, 98 (2005).
  11. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe”,Thin Solid Films 445, 304 (2003).
  12. H. Ohta, M. Kamiya, T. kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, Thin Solid Films 445, 317 (2003).
  13. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiy, M. Hirano, and H. Hosono, “Electron transport in InGaO3(ZnO)m (m=integer) studied using single-crystalline thin films and transparent MISFETs”, Thin Solid Films 445, 322 (2003).
  14. H. Ohta, K. Nomura. H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 747, 257 (2003).
  15. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of transparent p-type (La1-xSrxO)CuS thin films by an rf sputtering technique”, Thin Solid Films 411, 125 (2002).
  16. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Novel film growth technique of single crystalline In2O3(ZnO)m(m=integer) homologous compound”, Thin Solid Films 411, 147 (2002).
  17. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono, Key Eng. Mater. 214-215, 75 (2002).
  18. M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of highly conductive deep ultraviolet transparent β-Ga2O3 thin film”, Thin Solid Films 411, 134 (2002).
  19. H. Ohta, M. Orita, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, Proceedings of CIMTEC 2002 10th International Ceramics Congress and 3rd Forum on New Materials, Ed. By P. Vincenzini Part D, 983 (2002).
  20. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 666, F3.15.1 (2001).
  21. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, H. Kawazoe and H. Tanji, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 623, 253 (2000).
  22. H. Ohta, H. Tanji, M. Orita, H. Hosono and H. Kawazoe, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 570, 309 (1999).
特許
  1. 特許5910072号 “固体電解質、固体電解質の製造方法および電気化学デバイス”、太田裕道、青木則之(2015年1月16日登録)ソニー株式会社(特願2011-282589)
  2. 特許5680916号 “電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法”、太田裕道、小出浩貴、高木利哉、藤本隆史(2015年1月16日登録)名古屋大学、東京応化工業(特願2010-206380)
  3. 特許5429661号 “電磁気素子用絶縁膜の製造方法”、旭 良司、佐伯優美、太田裕道(2013年12月13日登録)豊田中央研究所、名古屋大学(特開2011-35274)
  4. 特許5035857号 “低抵抗ITO薄膜及びその製造方法”、太田裕道、折田政寛(2012年7月13日登録) HOYA株式会社(特開2009-108420)
  5. 特許4998897号 “熱電変換材料及びその製造方法”、太田裕道、河本邦仁、宗 頼子(2012年5月25日登録) 名古屋大学(WO2007/059766)
  6. 特許4872050号 “熱電素子”、旭 良司、増岡優美、太田裕道、栗田大佑(2011年12月2日登録)株式会社豊田中央研究所、名古屋大学(特開2009-117430)
  7. 特許4762911号 “熱電変換材料及び熱電変換材料の製造方法”、細野秀雄、平野正浩、太田裕道、河本邦仁(2011年6月17日登録) 科学技術振興機構、名古屋大学(WO2006/054550)
  8. 特許4755770号 “基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置”、折田政寛、太田裕道、平野正浩、細野秀雄、田 昭治、片桐俊郎、三村 宗(2011年6月3日登録) 科学技術振興機構(特開2002-280306)
  9. 特許第4620046号 “薄膜トランジスタ及びその製造方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年11月5日登録) 科学技術振興機構(WO2005/088726)
  10. 特許第4568828号 “アモルファス酸化物薄膜”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年8月20日登録) 科学技術振興機構(特開2010-219538)
  11. 特許第4568827号 “アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二(2010年8月20日登録) 科学技術振興機構(特開2010-212696)
  12. 特許第4480809号 “酸化インジウム薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 (2010年3月26日登録)HOYA株式会社(特開2000-286410)
  13. 特許第4397511号 “低抵抗ITO薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 (2009年10月30日登録)HOYA株式会社(特開2001-089846)
  14. 特許第4397451号 “透明導電性薄膜及びその製造方法”, 折田政寛、太田裕道 (2009年10月30日登録)HOYA株式会社(特開2000-285737)
  15. 特許第4298194号 “自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法”, 細野秀雄、植田和茂、折田政寛、太田裕道、平野正浩 (2009年4月24日登録) 科学技術振興機構(特開2003-137692)
  16. 特許第4237861号 “高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法”, 太田裕道, 折田政寛, 細野秀雄, 川副博司(2008年12月26日登録) HOYA株式会社(特開2000-281495)
  17. 特許第4170454号 “透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法”, 森田 清, 太田裕道, 細野秀雄, 川副博司(2008年8月15日登録) HOYA株式会社 (特開2000-044236)
  18. 特許第4164563号 “酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩, (2008年8月8日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2004-119525)
  19. 特許第4164562号 “ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩(2008年8月8日登録) 独立行政法人科学技術振興機構, HOYA株式会社(特開2004-103957)
  20. 特許第4083486号 “LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 平野正浩, 折田政寛, 太田裕道, 平松秀典, 植田和茂 (2008年2月22日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2003-318201)
  21. 特許第4083396号 “紫外透明導電膜とその製造方法”, 折田政寛, 太田裕道, 平野正浩, 細野秀雄(2008年2月22日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-093243)
  22. 特許第4014473号 “超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩(2007年9月21日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2004-091253)
  23. 特許第3969959号 “透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法”, 細野秀雄, 植田和茂, 太田裕道, 平野正浩(2007年6月15日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-261294)
  24. 特許第3824289号 “透明導電性薄膜”, 折田政寛, 太田裕道 (2006年7月7日登録) HOYA株式会社(特開2000-090745)
  25. 特許第3717632号 “電池の製造方法”, 藤井孝則, 前田紫織, 太田裕道, 中川 弘, 児玉康伸, 西本好宏, 園崎 勉, 中根育朗, 寺司和生, 生川 訓 (2005年9月9日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-308240)
  26. 特許第3588225号 “薄型密閉電池”, 西本好宏、太田裕道、前田紫織、中川 弘、児玉康伸、山崎幹也、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2004年8月20日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-289698)
  27. 特許第3531865号 “超平坦透明導電膜およびその製造方法”, 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄 (2004年3月12日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2002-025349)
  28. 特許第3398638号 “発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法”, 細野秀雄、太田裕道、折田政寛、河村賢一、猿倉信彦、平野正浩 (2003年2月14日登録) 独立行政法人科学技術振興機構(特開2001-210864)
  29. 特許第3378761号 “ポリマー電解質電池”, 山崎幹也、前田紫織、太田裕道、中川 弘、児玉康伸、西本好宏、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2002年12月6日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-284125)
  30. 特許第3354430号 “固体電解質電池及びその製造方法”, 中川 弘、太田裕道、前田紫織、児玉康伸、山崎幹也、西本好宏、園崎 勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川 訓 (2002年9月27日登録) 三洋電機株式会社(特開平10-284126)
報道
  1. 「熱電材料 名大などが新評価法 電界効果トランジスタ活用」、日刊工業新聞(2012年 1月 9日)
  2. 「温度差使う熱電効果 名大、起電力を5倍に 薄膜トランジスタ型で」、日経産業新聞(2012年 1月 5日)
  3. 「名古屋大大学院 熱電材料の性能1試料で最適化 電界効果利用 新評価手法を開発」、電波新聞(2012年 1月 4日)
  4. 「JST・名大、排熱を電気エネルギーに変換する熱電材料の評価手法を開発」、環境ビジネス(2011年12月29日)
  5. 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、Yahoo! ニュース(2011年12月28日)
  6. 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、マイナビニュース(2011年12月28日)
  7. 「工場や車の廃熱→電気に変換材料低コスト製造-名大など、水を使う技術開発」、中日新聞(2010年11月17日)
  8. 「絶縁体から高熱電性能-名大、金属シート作製」、日刊工業新聞(2010年11月17日)
  9. 「熱を電気に。新材料」、NHKおはよう日本(2010年11月17日)
  10. 「熱を電気に変換する金属材料を開発」、NHKおはよう東海(2010年11月17日)
  11. 「名大など、水の電気分解利用し絶縁体から熱電材料を作製–JST課題解決型基礎研究の一環として実施」、Tech-On !(2010年11月17日)
  12. 「JSTと名古屋大学 新熱電材料実用化へ 希少金属使わずに特性発現」、鉄鋼新聞(2010年11月24日)
  13. 「簡単・安価に熱電材料 水を利用し絶縁体から作製 名大・太田准教授ら」、科学新聞(2010年12月3日)
  14. 「水の電気分解を利用して大きな熱電効果を示す材料を作ることに成功! 希少・毒性金属を含まない、安価・簡便な熱電材料の創製へ」、JSTニュース 2011年1月号
  15. 「水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作製」、名大トピックス (印刷中)
  16. 「絶縁体からの高熱電性能 名大、金属シート作製」、セラミックス 2011年4月号(トピックス欄)
  17. 「熱電材料の結晶構造解明」、日経産業新聞(2009年2月4日)
  18. 「チタン酸ストロンチウム 伝導しない電子 仕組み解明 理研がSpring-8で」、日刊工業新聞(2008年2月5日)
  19. 「伝導/非伝導の2面性・・・ 酸化物半導体のナゾ解明 理研 共鳴光電子分光法で」、化学工業日報(2008年2月4日)
  20. 「酸化物半導体 伝導制御 仕組み解明 理研、新材料開発に」、日経産業新聞(2008年2月9日)
  21. 「発電の仕組み 熱電材料で解明 東大など 設計・開発に一役」、日経産業新聞(2007年11月2日)
  22. 「人工ダイヤの原料+熱=発電、名大などのグループ発見」、朝日新聞(2007年1月22日)
  23. 「普及材料から熱電変換素子、発電性能2倍、名大など研究チーム開発」、読売新聞(2007年1月22日)
  24. 「排ガスの熱から発電」に道、高効率の熱電変換材料、名大、東工大グループ開発」、毎日新聞(2007年1月22日)
  25. 「身近な物質から熱電変換材料」、日本経済新聞(2007年1月22日)
  26. 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物から作成」、日経産業新聞(2007年1月22日)
  27. 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物結晶で開発」、日刊工業新聞(2007年1月22日)
  28. 「「熱電変換」で新材料を開発 高効率、無害化を実現 可能性幅広く 体温で携帯充電も 名古屋大研究チーム」、電気新聞(2007年1月23日)
  29. 「高効率熱電変換材を開発 チタン酸ストロンチウム使用 1度C差で800マイクロボルト 名大-東工大―東大」、化学工業日報(2007年1月22日)
  30. 「人工宝石の原料に熱を加えて発電!」、月刊化学2007年3月号化学掲示板
  31. 「安価なSrTiO3で従来材を上回る熱電変換効率を実現」、日経マイクロデバイス2007年3月号
  32. 「温度差発電の性能を大幅に向上させる新材料」、企業実務2007年4月号
  33. 「世界初、人と地球にやさしい材料で熱電変換材料を開発」、学士会報U7 2007年3月号
  34. 「ベールを脱いだ最強の熱電材料、SrTiO3ナノ結晶」、週刊ナノテク2007年4月2日号
  35. 「“熱を電気に変える”-廃エネルギーの再資源化で注目されている熱電変換材料。ありふれた酸化物である「チタン酸ストロンチウム」を使って高い効率を示す熱電変換材料の開発に成功」、JSTニュース2007年5月号
  36. 「ありふれた酸化物を使った高効率熱電変換材料の開発に成功」、科研費NEWS 2007年Vol. 1(創刊号)
  37. 「身近な物質で電気を作ろう ナノテク人工宝石で熱電発電」、コスモ石油TERRE 11号 2007 SUMMER WIND
  38. 「Oxide put waste heat to work」, Materials Today (Research News) 10, 15 (2007).
  39. 「廃エネルギーの再資源化へ向け実用化に大きく前進する熱電変換材料」、OHM 2007年9月号
  40. 日経BP net ECOマネジメント「熱を電気に変える高効率材料の発見」2007年10月4日(前編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/03/,後編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/04/index.shtml)
  41. 「脱・重金属!! ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える」、化学2007年12月号
  42. 「熱で発電する宝石」、学研 大人の科学マガジン Vol. 18
  43. 「人工宝石の熱電発電」、青森テレビ 正直先生のエネルギー講座 2008年2月10日放送
  44. 「温度差で発電、材料は人工ダイヤ」、JAF Mate 2007年4月号
  45. NHKワールド(ラジオ)17ヵ国の言語(アラビア語、ベンガル語、ビルマ語、中国語、英語、フランス語、ヒンディー語、インドネシア語、ハングル、ペルシャ語、ポルトガル語、ロシア語、スペイン語、スワヒリ語、タイ語、ウルドゥー語、ベトナム語)で紹介 2008年5月12日放送
  46. 高橋タクミ、”CO2や廃熱から新資源を実現に向けて進む技術研究”、「ナノちゃんのまんがサイエンスルーム」、朝日小学生新聞(2009年2月4日)
  47. 「透明で曲がるトランジスタ 東工大チームが開発」、朝日新聞(2004年11月25日)
  48. 「ペットボトル素材に透明トランジスター 東工大チーム開発」、読売新聞(2004年11月25日)
  49. 「曲げられるディスプレー材料 プラスチックを基板に」、毎日新聞(2004年11月25日)
  50. 「透明で曲がるトランジスタ 科技機構と東工大 ディスプレーに応用」、日本経済新聞(2004年11月25日)
  51. 熱気球欄 「酸化物半導体を使って透明で高速なトランジスタを開発 科学技術振興事業団プロジェクト」、東京新聞(2003年5月23日)
  52. 「紫外線の発光ダイオード-セラミックスを使用-」、日本経済新聞(2000年3月27日)
  53. 「超低抵抗性、超平たん性 ITO膜で両立 科技振興事業団・細野プロ」、日刊工業新聞(2000年10月24日)
受賞
  1. 第1回新化学技術研究奨励賞, 太田裕道, “大きな熱電効果を示す極薄酸化物半導体の開発”
  2. 平成23年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 水野 拓, “SrTiO3二次元電子ガスの巨大熱電能電界変調”, 2011年12月3日
  3. 薄膜材料デバイス研究会 第8回研究集会 ベストペーパーアワード, 水野 拓, S. Zheng, 加藤丈晴, 幾原雄一, 安部勝美, 雲見日出也, 野村研二, 細野秀雄, 太田裕道, “酸化物半導体SrTiO3に電界誘起された二次元電子ガスの巨大熱電能変調”(口頭, 注目講演), 2011年11月4日-5日
  4. 薄膜材料デバイス研究会 第7回研究集会 ベストペーパーアワード, 小出浩貴, 長尾有記, 河本邦仁,加藤丈晴, 幾原雄一, 高崎裕加, 梅村知也, 太田裕道, “新しい透明酸化物半導体薄膜トランジスタ:In2MgO4“(口頭), 2010年11月5日-6日
  5. 科研費特定領域「機能元素のナノ材料科学」第3回若手の会 最優秀賞(増本賞), 内田光亮, 2010年7月31日
  6. 第32回(2010年度)応用物理学会優秀論文賞 K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, K. Koumoto, “Thermal Stability of Giant Thermoelectric Seebeck Coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 Superlattices at 900 K”, Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008)
  7. 2009年度 日本化学会 東海支部 支部長賞, 吉川 陽, 2010年3月
  8. 平成20年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 吉川 陽, “ゲート絶縁膜/SrTiO3結晶界面における電解誘起二次元電子層の巨大熱起電力”, 2009年12月6日
  9. 平成19年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 最優秀講演賞, 宗 頼子, “SrTiO3人工超格子に閉じ込められたニ次元電子ガスの巨大熱起電力の起源”, 2008年12月4日
  10. 平成19年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 中西由貴, “BaTiO3/SrTiO3:Nb 超格子の量子サイズ効果と電子輸送特性”, 2008年12月4日
  11. 平成19年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 栗田大佑, “SrTiO3チャネル電界効果トランジスタのSeebeck係数”, 2008年12月4日
  12. 2007 MRS Fall Meeting Symposium U Poster Award, Yoriko Mune, Hiromichi Ohta, Teruyasu Mizoguchi, Yuichi Ikuhara, and Kunihito Koumoto, “Origin of Giant Seebeck Coefficient for High Density 2DEGs Confined in the SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 Superlattices”, 26-30 Nov. 2007
  13. 第1回(2007年)日本熱電学会欧文論文賞, P. Zhu, T. Takeuchi, H. Ohta, W-S. Seo and K. Koumoto, Preparation and Thermoelectric Properties of NaxCoO2/Co3O4 Layered Nano-Composite, Mater. Trans. Vol.46, No.7, pp.1453-1455 (2005).
  14. 日本セラミックス協会東海支部 第34回東海若手セラミスト2007年夏期セミナー 優秀講演賞, 宗 頼子, “量子サイズ効果による二次元電子ガスの巨大熱起電力”, 2007年6月28日-29日
  15. 平成18年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 最優秀講演賞, 杉浦健二, 2006年12月9日
  16. 平成18年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 加藤恵介, 2006年12月9日
  17. 平成18年度 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会 優秀講演賞, 水谷篤史, 2006年12月9日
  18. 2006年度 日本熱電学会 講演奨励賞, 杉浦健二, 太田裕道, 野村研二, 平野正浩, 細野秀雄, 河本邦仁, “トポタクティック反応を用いた高品質Ca3Co4O9エピタキシャル薄膜の作製”, 2006年8月22日-23日
  19. 第20回(2006年春季)応用物理学会 講演奨励賞, 杉浦健二, “反応性固相エピタキシャル成長法による高品質Ca3Co4O9エピタキシャル薄膜の作製” (名大院工1,JST CREST2,JST ERATO -SORST3,東工大フロンティア4:太田裕道1,2,野村研二3,平野正浩3,細野秀雄3,4,河本邦仁1,2)
  20. 第59回(平成16年度)日本セラミックス協会 進歩賞, 太田裕道, “透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発”, 2006年5月27日
  21. 薄膜材料デバイス研究会 第2回研究集会 ベストペーパーアワード, 野村研二, 高木章宏, 神谷利夫, 太田裕道, 平野正浩, 細野秀雄, “アモルファス酸化物半導体の材料探索と高性能透明フレキシブルTFT の室温作製”,(口頭), 2005年11月4日-5日
  22. Best Oral Paper Award, 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-3), Hiromichi Ohta, Masao Kamiya, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, 10-11 April 2003
  23. 第8回(2000年春季)応用物理学会講演奨励賞, 太田裕道, “p-SrCu2O2/n-ZnOワイドバンドギャップp-n接合ダイオードの試作とEL発光”, (科技団1,分子研2,東工大3)折田政寛1),河村賢一1),猿倉信彦1)2),平野正浩1),細野秀雄1)3)