2. メンバー
  3. HiromichiOhta

プロフィール

太田　裕道 OHTA, Hiromichi

hiromichi.ohta(at)es.hokudai.ac.jp hiromichi.ohta1971(at)gmail.com

教授室：北キャンパス電子科学研究所 3F 03-108-2
TEL & FAX : 011-706-9428
研究キーワード：酸化物熱電材料, 透明酸化物半導体デバイス, 熱電能電界変調法, 全固体電気化学デバイス, 熱トランジスタ
orcid0000-0001-7013-0343

Materials Science

生年月日 1971年9月21日
血液型 O型
出身地 名古屋市
趣味 ドライブ, フライフィッシング, スノーボード

略歴

1994年3月 埼玉大学工学部を卒業し、1996年3月 名古屋大学大学院 工学研究科 応用化学専攻の修士課程修了後、三洋電機(株)ソフトエナジー技術開発研究所 研究員、HOYA(株)R&Dセンター先端技術研究所 研究員、ERATO細野透明電子活性プロジェクトグループリーダーを経て、2003年に名古屋大学大学院 工学研究科 助教授/准教授、2012年に北海道大学 電子科学研究所 教授となり、現在に至る。博士（工学）（2001年 東京工業大学）

履歴書

学歴

2001年9月　博士（工学）, 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物質科学創造専攻（指導教員：細野秀雄 教授）

1996年3月　修士（工学）, 名古屋大学 大学院工学研究科 応用化学専攻（指導教員：河本邦仁 教授）

1994年3月　学士（工学）, 埼玉大学 工学部 応用化学科（指導教員：三田村孝 教授）

1990年3月　愛知県立 明和高等学校　卒業

職歴

2021年4月 －現在　北海道大学 電子科学研究所, 副所長

2012年9月－現在　北海道大学 電子科学研究所, 教授

2008年10月－2012年3月　科学技術振興機構さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」研究員（兼務）

2003年10月－2012年8月　名古屋大学 大学院工学研究科, 助教授/准教授

2001年－2004年9月　科学技術振興機構細野透明電子活性プロジェクト 電子伝導性制御グループ グループリーダー（HOYAから出向→名大と兼業）

1999年11月－2001年　科学技術振興機構細野透明電子活性プロジェクト 電子伝導性制御グループ 研究員（HOYAから出向）

1998年1月－2003年9月　HOYA㈱ 　R&Dセンター先端技術研究所　InGaZnO4・ITOなどの透明導電性酸化物薄膜の研究に従事

1996年4月－1997年12月　三洋電機㈱　ソフトエナジー技術開発研究所　リチウムイオン電池正極の開発に従事

専門分野

機能性酸化物, エピタキシャル薄膜, 光・電子デバイス, 熱電変換

主要論文

[25] K. Kang, H. Ohta et al., ACS Applied Electronic Materials (2023).

[24] Q. Yang, H. Ohta et al., Advanced Functional Materials 2214939 (2023).

[23] H. Yang, H. Ohta et al., ACS Applied Electronic Materials 4, 5081 (2022).

[22] X. Zhang, H. Ohta et al., ACS Applied Materials Interfaces 14, 33355 (2022).

[21] X. Zhang, H. Ohta et al., ACS Applied Materials Interfaces 13, 54204 (2021).

[20] H.J. Cho, H. Ohta et al., Advanced Materials Interfaces 8, 2001932 (2021).

[19] Y. Takashima, H. Ohta et al., Journal of Materials Chemistry A 9, 274 (2021).

[18] M. Wei, H. Ohta et al., Advanced Electronic Materials 6, 2000100 (2020).

[17] Q. Yang, H. Ohta et al., Advanced Materials Interfaces 6, 1901260 (2019).

[16] Y. Zhang, H. Ohta et al., Nature Communications 9, 2224 (2018).

[15] H. Ohta et al., Advanced Science 4, 1700696 (2017).

[14] T. Katase, H. Ohta et al., Scientific Reports 6, 25819 (2016).

[13] T. Katase, H. Ohta et al., Advanced Electronic Materials 2, 1600044 (2016).

[12] T. Katase, H. Ohta et al., Advanced Electronic Materials 1, 1500063 (2015).

[11] W.S. Choi, H. Ohta, and H.N. Lee, Advanced Materials 26, 6701 (2014).

[10] H. Jeen, H. Ohta, H-N. Lee et al., Nature Materials 12, 1057 (2013).

[9] H. Ohta et al., Advanced Materials 24, 740 (2012).

[8] H. Ohta et al., Nature Communications 1, 118 (2010).

[7] H. Ohta et al., Nature Materials 6, 129 (2007).

[6] H. Ohta et al., Crystal Growth & Design 5, 25 (2005).

[5] K. Nomura, H. Ohta, H. Hosono et al., Nature 432, 488 (2004).

[4] K. Nomura, H. Ohta, H. Hosono et al., Science 300, 1269 (2003).

[3] H. Ohta et al., Advanced Functional Materials 13, 139 (2003).

[2] H. Ohta et al., Applied Physics Letters 77, 475 (2000).

[1] H. Ohta et al., Applied Physics Letters 76, 2740 (2000).

受賞

[4] 第76回（2021年度）日本セラミックス協会　学術賞

[3] 32回（2010年度）応用物理学会優秀論文賞

[2] 第59回（平成16年度）日本セラミックス協会進歩賞

[1] 第8回（2000年春季）応用物理学会講演奨励賞

所属学会

応用物理学会、米国材料学会（MRS）、日本セラミックス協会、日本熱電学会、固体イオニクス学会

主要研究成果

従来比10倍の性能を示す酸化物薄膜トランジスタを実現～次世代の超大型有機ＥＬテレビ開発に必要不可欠なデバイス～（北大電子研、北大院情報、高知工科大）

Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari*, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “Reliable operation in high-mobility indium oxide thin film transistors”, Small Methods 2400578 (2024). (August 3, 2024) (DOI: 10.1002/smtd.202400578)

熱トランジスタの高性能化に成功 ～将来の熱制御技術実現に向けて大きな前進～（北大院情報、北大電子研、阪大産研）

Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Switches with Large Thermal Conductivity Switching Widths”, Adv. Sci. 2401331 (2024). (June 25, 2024) (DOI: 10.1002/advs.202401331)

実用的な熱電材料の単結晶化に成功～毒性元素を使わない熱電変換の実現に向けて大きく前進～（北大院情報、名大院物理、北大電子研、釜山大物理）

Kungwan Kang, Fumiaki Kato, Akitoshi Nakano, Ichiro Terasaki*, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Hyoungjeen Jeen*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Thermoelectric Properties of Freestanding Ba1/3CoO2 Single Crystalline Films”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 5749-5754 (2023). (October 16, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c01129)

熱伝導率を制御するトランジスタ、実用化へ王手　～熱の伝わり方を電気スイッチで切り替える技術に向けた大きな前進～（北大院情報、北大電子研、釜山大物理、東大総研）

Qian Yang, Hai Jun Cho, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Jinghuang Lin, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Adv. Funct. Mater. 202214939 (2023). (February 21st, 2023) (DOI: 10.1002/adfm.202214939)

超高解像度テレビ用材料の高い電子移動度の起源を解明―100 cm2/Vsを超える超高移動度の透明酸化物薄膜トランジスタ実現に向けた大きな前進―（北大電子研、北京交通大、江蘇大）

Hui Yang*, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, and Hiromichi Ohta*, “Thermopower Modulation Analyses of High-mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 4, 5081-5086 (2022). (September 29, 2022) (DOI: 10.1021/acsaelm.2c01210)

高温・空気中で安定した性能を示す実用的な熱電変換材料を発見　～再現性良く実用レベルの高性能を示す酸化物熱電材料～（北大電子研、北大院情報、産総研）

Xi Zhang#, Yuqiao Zhang#*, Liao Wu, Akihiro Tsuruta, Masashi Mikami, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Ba1/3CoO2: A thermoelectric oxide showing a reliable ZT of ~0.55 at 600℃ in air”, ACS Appl. Mater. Interfaces (2022). (July 12, 2022) (DOI: 10.1021/acsami.2c08555)

電気スイッチ一つで絶縁体を高温超伝導体に！～電解液を使わない全固体超伝導素子の開発に大きな前進～(北大電子研、北大院情報、東大総研)

Xi Zhang*, Gowoon Kim, Qian Yang, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Switch of Superconductor-Metal-Insulators”, ACS Appl. Mater. Interfaces 13, 54204-54209 (2021). (November 4, 2021) (DOI: 10.1021/acsami.1c17014)

多結晶よりも熱が伝わりにくい単結晶を発見 ～低熱伝導材料を設計するための指針～(北大電子研、北大院情報、東大総研、産総研、国立陽明交通大学、慶応大)

Hai Jun Cho, Yuzhang Wu, Yu-Qiao Zhang, Bin Feng, Masashi Mikami, Woosuck Shin, Yuichi Ikuhara, Yu-Miin Sheu, Keiji Saito, and Hiromichi Ohta, “Anomalously Low Heat Conduction in Single-Crystal Superlattice Ceramics Lower Than Randomly Oriented Polycrystals”, Adv. Mater. Interfaces (2021). (February 16, 2021) (DOI: 10.1002/admi.202001932)

過去最高の室温熱電変換性能指数を示す酸化物を実現 ―安定で実用的な熱電変換材料の実現に大きな期待―（北大院情報、北大電子研、東大総研）

Yugo Takashima, Yu-qiao Zhang*, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Layered cobalt oxide epitaxial films exhibiting thermoelectric ZT = 0.11 at room temperature”, J. Mater. Chem. A 9, 274 – 280 (2021). (October 13, 2020) (DOI: 10.1039/D0TA07565E)

深紫外線を透過する透明なトランジスタを実現 ～全く新しいバイオセンサー～ （北大院情報、北大電子研）
Mian Wei#, Lizhikun Gong#, Dou-dou Liang#, Hai Jun Cho*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Operating Mechanism of Deep-UV Transparent Semiconducting SrSnO3-based Thin Film Transistor”, Adv. Electron. Mater. 6, 2000100 (2020).

情報記憶素子の仕組みをのぞきみた！～次世代情報記憶素子の開発を加速～（北大院情報、北大電子研、釜山大学校）
Qian Yang, Hai Jun Cho, Hyoungjeen Jeen*, and Hiromichi Ohta*, “Macroscopic visualization of fast electrochemical reaction of SrCoOx oxygen sponge”, Adv. Mater. Interfaces 6, 1901260 (2019).

電子をギュッと閉じ込めて熱電材料の性能を倍増 ～熱電材料を高性能化する理論を実証～ （北大院情報、東大総研、京大院工、台湾国立交通大、北大電子研）
Yuqiao Zhang, Bin Feng, Hiroyuki Hayashi, Cheng-Ping Chang, Yu-Miin Sheu, Isao Tanaka, Yuichi Ikuhara & Hiromichi Ohta*, “Double thermoelectric power factor of a 2D electron system”, Nature Communications 9, 2224 (2018).

青色LED材料を活かして、熱を電気に変換 ～高性能な熱電材料のための新しい材料設計指針～ （北大電子研、北大量集セ、SKKU、産総研）
Hiromichi Ohta*, Sung Wng Kim, Shota Kaneki, Atsushi Yamamoto, and Tamotsu Hashizume*, “High thermoelectric power factor of high-mobility two-dimensional electron gas”, Advanced Science 4, 1700696 (2017).

窓ガラスをメモリーに変えるデバイス （北大電子研、名大）
T. Katase, T. Onozato, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “A transparent electrochromic metal-insulator switching device with three-terminal transistor geometry”, Scientific Reports 6, 25819 (2016).

情報記憶容量を大幅に向上できるデバイス （北大電子研）
T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device with leakage-free electrolyte”, Advanced Electronic Materials 2, 1600044 (2016)

オンデマンド赤外線＆導電率制御デバイス （北大電子研、東大）
T. Katase, K. Endo, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Room-temperature-protonation-driven on-demand metal-insulator conversion of a transition metal oxide”, Advanced Electronic Materials 1, 1500063 (2015)

まるでスポンジのように酸素を脱挿入することができる酸化物薄膜を作製 （オークリッジ国立研究所、アルゴンヌ国立研究所、ノースウエスタン大、北大電子研）
H. Jeen,W-S. Choi, M. D. Biegalski, C. M. Folkman, I-C. Tung, D. D. Fong, J. W. Freeland, D. Shin, H. Ohta, M. F. Chisholm and H-N. Lee, “Reversible redox reactions in an epitaxially stabilized SrCoOx oxygen sponge”, Nature Materials 12, 1057 (2013)

試料１個で熱電材料の性能を最適化（熱電能電界変調法） （JSTさきがけ、名大、JFCC、東大、東工大）
H. Ohta, T. Mizuno, S. Zheng, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, H. Hosono, “Unusually Large Enhancement of Thermopower in an Electric Field Induced Two-Dimensional Electron Gas”, Advanced Materials 24, 740-744 (2012)

水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作ることに成功 （JSTさきがけ、名大、JFCC、東大、東工大）
H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal”, Nature Communications 1, 118 (2010)

人工宝石SrTiO3の極薄（厚さ0.4ナノ㍍）層に局在化した電子が巨大な熱起電力を発生することを発見 （JST-CREST、JST-ERATO細野プロジェクト、名大、東大、東工大）
H. Ohta, S-W. Kim, Y. Mune, T. Mizoguchi, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, Y. Nakanishi, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Thermoelectric Seebeck coefficient of a Two-dimensional Electron Gas in SrTiO3“, Nature Materials 6, 129 (2007)

1cm2のエピ膜を剥がして張り替え （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
H. Ohta, A. Mizutani, K. Sugiura, M. Hirano, H. Hosono, K. Koumoto, “Surface Modification of Glass Substrates for Oxide Heteroepitaxy: Pasteable Three-Dimensionally Oriented Layered Oxide Thin Films”, Advanced Materials 18, 1649 (2006)

透明な有機薄膜トランジスタを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, “Transparent Organic Thin-Film Transistor with a Laterally Grown Non-Planar Phthalocyanine Channel”, Advanced Materials 16, 312 (2004)

透明で曲げられる高性能薄膜トランジスタを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T, Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors”, Nature 432, 488 (2004)

高性能透明薄膜トランジスタを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor”, Science 300, 1269 (2003)

複雑な結晶構造を有する層状酸化物を簡単に単結晶薄膜化できる「反応性固相エピタキシャル成長法」を開発 （JST-ERATO細野プロジェクト、東大、JFCC、東工大）
H. Ohta, K. Nomura, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, T. Suzuki, Y. Ikuhara, H. Hosono, “Single-crystalline films of InGaO3(ZnO)m (m=integer) homologous phase grown by reactive solid-phase epitaxy”, Advanced Functional Materials 13, 139 (2003)

透明酸化物半導体pnヘテロ接合で初の電流注入紫外発光ダイオードを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、分子研、東工大）
H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, H. Hosono, “Current injection emission from a transparent p-n junction composed of p-SrCu2O2 / n-ZnO”, Applied Physics Letters 77, 475 (2000)

スーパーITO （JST-ERATO細野プロジェクト、HOYA、東工大）
H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, and H. Hosono, “Highly electrically conductive indium-tin-oxide thin films epitaxially grown on yttria-stabilized zirconia (100) by pulsed-laser deposition”, Applied Physics Letters 76, 2740–2742 (2000)

原著論文 (238)

  1. Binjie Chen, Jinghuang Lin, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “Unusual crystal orientation in hexagonal HoFeO3 multiferroic films and the effect on magnetism”, Cryst. Growth Des. 24, 8439-8444 (2024). (October 3, 2024) (DOI: 10.1021/acs.cgd.4c00930)
  2. Lizhikun Gong, Atsushi Taguchi, Weikun Zhou, Ren Mitsuya, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “Ferroelectric BaTiO3 Freestanding Sheets for Ultra-High-Speed Light-Driven Actuator”, ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 54146-54153 (2024). (September 27, 2024) (DOI: 10.1021/acsami.4c10044)
  3. Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari*, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “Reliable operation in high-mobility indium oxide thin film transistors”, Small Methods 2400578 (2024). (August 3, 2024) (DOI: 10.1002/smtd.202400578)
  4. Yuzhang Wu, Yusaku Magari*, Prashant Ghediya, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta*, “High-mobility and High-reliability Coexistence in Zn-incorporated Amorphous In2O3-based Thin-Film Transistors”, Jpn. J. Appl. Phys. 63, 076504 (2024). (July 25, 2024) (DOI: 10.35848/1347-4065/ad5ee6)
  5. Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Switches with Large Thermal Conductivity Switching Widths”, Adv. Sci. 11, 2401331 (2024). (June 25, 2024) (DOI: 10.1002/advs.202401331)
  6. Hao-Bo Li*, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Kohei Shimoyama, Chengchao Zhong, Keiji Shimoda, Azusa N. Hattori, Kunihiko Yamauchi, Ikutaro Hamada, Hiromichi Ohta*, Hidekazu Tanaka*, “Wide-range thermal conductivity modulation based on protonated nickelate perovskite oxides”, Appl. Phys. Lett. 124, 191901 (2024). (May 8, 2024) (DOI: 10.1063/5.0201268)
  7. Lizhikun Gong, Ko Marunouchi, Akira Chikamatsu, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “Large tensile-strained BaTiO3 films grown on lattice-mismatched La-doped BaSnO3 bottom electrode”, CrystEngComm 26, 2765 (2024). (April 24, 2024) (DOI: 10.1039/D4CE00197D)
  8. Ko Marunouchi, Lizhikun Gong, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “High-concentration doping effects of aliovalent Al and Ga on ferroelectric properties of BaTiO3 Films”, Thin Solid Films 796, 140339 (2024). (April 16, 2024) (DOI: 10.1016/j.tsf.2024.140339)
  9. Hao-Bo Li*, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Kohei Shimoyama, Chengchao Zhong, Keiji Shimoda, Azusa N. Hattori, Kunihiko Yamauchi, Ikutaro Hamada, Hiromichi Ohta*, Hidekazu Tanaka*, “Wide-range thermal conductivity modulation based on protonated nickelate perovskite oxides”, accepted for publication
  10. Yaoming Liu, Binjie Chen, Yosuke Hamasaki, Lizhikun Gong, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “Magnetic Phase Transition-Induced Modulation of Ferroelectric Properties in Hexagonal RFeO3 (R = Tb and Ho)”, ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 17832–17837 (2024). (April 1, 2024) (DOI: 10.1021/acsami.4c02475)
  11. Morito Namba, Hiroshi Takatsu, Hao-Bo Li, Kantaro Murayama, Ryo Terada, Qian Yang, Takahito Terashima, Hiromichi Ohta, and Hiroshi Kageyama*, “Pure Fluorine Intercalation into Brownmillerite Oxide Thin Films by using Ionic Liquid Gating”, Chem. Mater. 36, 2076-2084 (2024). (February 7, 2024) (DOI: 10.1021/acs.chemmater.3c03178)
  12. Binjie Chen*, Jinghuang Lin, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “High-Mobility Rutile SnO2 Epitaxial Films Grown on (1-100) α-Al2O3”, J. Ceram. Soc. Jpn. 131, 640 (2023). (October 1, 2023) (DOI: 10.2109/jcersj2.23035)
  13. Kungwan Kang, Fumiaki Kato, Akitoshi Nakano, Ichiro Terasaki*, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Hyoungjeen Jeen*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Thermoelectric Properties of Freestanding Ba1/3CoO2 Single Crystalline Films”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 5749-5754 (2023). (October 16, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c01129)
  14. Rui Yu, Lizhikun Gong, Hiromichi Ohta, Tsukasa Katayama*, “Ferroelectricity, high permittivity, and tunability in millimeter-size crack-free Ba1–xSrxTiO3 flexible epitaxial sheets”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 5234–5239 (2023). (September 14, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c00963)
  15. Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, and Hiromichi Ohta*, “Significant Reduction in the Switching Time of Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 4233 (2023). (July 24, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c00512)
  16. Zhiping Bian*, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors with Strontium Cobaltite – Strontium Ferrite Solid Solutions as the Active Layers”, ACS Appl. Mater. Interfaces 15, 23512-23517 (2023). (May 3, 2023) (DOI:10.1021/acsami.3c03660)
  17. Lizhikun Gong, Rui Yu, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “Synthesis and transparent conductivity of crack-free La:BaSnO3 epitaxial flexible sheet”, Dalton Trans 52, 6317 (2023) (April 17, 2023) (DOI: 10.1039/d3dt01097j)
  18. Binjie Chen*, Chuchu Yang, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Suppression of Strain Relaxation in VO2/TiO2 Multilayered Films”, ACS Appl. Electron. Mater.5, 2433-2438 (2023). (April 5, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c00246)
  19. Atsushi Tsurumaki-Fukuchi*, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, and Yasuo Takahashi, “Direct Imaging of Ion Migration in Amorphous Oxide Electronic Synapses with Intrinsic Analog Switching Characteristics”, ACS Appl. Mater. Interfaces 15, 16842-16852 (2023). (March 23, 2023) (DOI: 10.1021/acsami.2c21568)
  20. Qian Yang, Hai Jun Cho, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Jinghuang Lin, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Adv. Funct. Mater. 33, 2214939 (2023). (February 21, 2023) (DOI: 10.1002/adfm.202214939) Press release
  21. Prashant Ghediya*, Hui Yang, Takashi Fujimoto, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, and Hiromichi Ohta*, “Improved Electron Transport Properties of Zn-rich In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors”, J. Phys. Chem. C 127, 2622-2627 (2023). (January 25, 2023) (DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c07442)
  22. Sheng-Ying Chou, Hiroshi Masai*, Masaya Otani, Hiromichi V. Miyagishi, Gentaro Sakamoto, Yusuke Yamada, Yusuke Kinoshita*, Hitoshi Tamiaki, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Tomoki Kondo, Akinobu Nakada, Ryu Abe, Takahisa Tanaka, Ken Uchida, and Jun Terao*, “Efficient electrocatalytic H2O2 evolution utilizing electron-conducting molecular wires spatially separated by rotaxane encapsulation”, Appl. Catal. B: Environmental (2023). (January 9, 2023) (DOI: 10.1016/j.apcatb.2023.122373)
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  38. Takayoshi Katase*, Xinyi He, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Takaki Onozato, Keisuke Ide, Bin Feng, Tetsuya Tohei, Hidenori Hiramatsu, Hiromichi Ohta, Yuichi Ikuhara, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya*, “Breaking of thermopower – conductivity trade-off in LaTiO3 film around Mott insulator to metal transition”, Adv. Sci. 2102097 (2021). (October 21, 2021) (DOI: 10.1021/advs.202102097)
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  48. Yuqiao Zhang*, Hai Jun Cho, Kenyu Sugo, Masashi Mikami, Sungmin Woo, Myung-Chul Jung, Yao-Hua Zhuang, Bin Feng, Yu-Miin Sheu*, Woosuck Shin, Woo Seok Choi, Myung Joon Han, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Low thermal conductivity of SrTiO3−LaTiO3 and SrTiO3-SrNbO3 thermoelectric oxide solid solutions”, J. Am. Ceram. Soc. 104, 4075-4085 (2021). (March 26, 2021) (DOI: 10.1111/jace.17797)
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  63. Kohei Fujiwara*, Miho Kitamura, Daisuke Shiga, Yasuhiro Niwa, Koji Horiba, Tsutomu Nojima, Hiromichi Ohta, Hiroshi Kumigashira, and Atsushi Tsukazaki, “Insulator-to-Metal Transition of Cr2O3 Thin Films via Isovalent Ru3+ Substitution”, Chem. Mater. 32, 5272 (2020). (May 27, 2020) (doi: 10.1021/acs.chemmater.0c01497)
  64. Mian Wei#, Lizhikun Gong#, Dou-dou Liang#, Hai Jun Cho*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Operating Mechanism of Deep-UV Transparent Semiconducting SrSnO3-based Thin Film Transistor”, Adv. Electron. Mater. 6, 2000100 (2020). (June 15, 2020) (doi: 10.1002/aelm.202000100) Press release
  65. M. Timpel, M. V. Nardi, B. Wegner, G. Ligorio, L. Pasquali, M. Pätzel, S. Hecht, H. Ohta, and N. Koch, “Oligothiophene-based Phosphonates for Interfacial Engineering of Ultraflat Transparent Conductive Oxides”, Adv. Mater. Interfaces 7, 1902114 (2020). (May 4, 2020) (doi:10.1002/admi.201902114)
  66. Dou-dou Liang*, Yu-qiao Zhang, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Electric field thermopower modulation analyses of the operation mechanism of transparent amorphous SnO2 thin-film transistor”, Appl. Phys. Lett. 116, 143503 (2020). (April 8, 2020) (DOI: 10.1063/5.0003153)
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  68. Tomoya Oshikiri, Hiroki Sawayanagi, Keisuke Nakamura, Kosei Ueno, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, and Hiroaki Misawa*, “Arbitrary control of the diffusion potential between a plasmonic metal and a semiconductor by an angstrom-thick interface dipole layer”, J. Chem. Phys. 152, 934705 (2020). (January 17th, 2020) (DOI: 10.1063/1.5134900)
  69. Mian Wei, Anup Sanchela, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho*, and Hiromichi Ohta*, “High electrical conducting deep-ultraviolet-transparent oxide semiconductor La-doped SrSnO3 exceeding ~3000 S cm−1”, Appl. Phys. Lett. 116, 022103 (2020). (January 13th, 2020) (DOI: 10.1063/1.5128410)
  70. Tingting Yao, Yixiao Jiang, Chunlin Chen*, Xuexi Yan, Ang Tao, Lixin Yang, Chuihong Li, Kenyu Sugo, Hiromichi Ohta, Hengqiang Ye, Yuichi Ikuhara, and Xiuliang Ma*, “Ferroelectric oxide thin film with an out-of-plane electrical conductivity”, Nano Lett. 20, 1047 (2020). (December 26th 2019) (DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b04210)
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  81. Kyeong Tae Kang, Chang Jae Roh, Jinyoung Lim, Taewon Min, Jun Han Lee, Kyoungjun Lee, Tae Yoon Lee, Seunghun Kang, Daehee Seol, Jiwoong Kim, Hiromichi Ohta, Amit Khare, Sungkyun Park, Yunseok Kim, Seung Chul Chae, Yoon Seok Oh, Jaekwang Lee, Jaejun Yu, Jong Seok Lee, and Woo Seok Choi*, “Room-temperature ferroelectric ferromagnet in 1D tetrahedral chain network”, Adv. Mater. 31, 1808104 (2019). (DOI: 10.1002/adma.201808104) Frontispiece
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    Inside Back Cover
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47. 太田裕道, “過去最高の室温熱電変換性能を示す酸化物の実現”, クリーンエネルギー 30 (3), 46-49 (2021). (2021.3.10)

46. 太田裕道, “エレクトロクロミック素子の開発最前線－遷移金属酸化物の多彩な物性変化を利用してー”, 學士會会報 947, 81-85 (2021). (2021.3.1)

45. Takayoshi Katase and Hiromichi Ohta, “Surface charge accumulation and electrochemical protonation of transition metal oxides using water-infiltrated nanoporous glass”, Semiconductor Science and Technology 34, 123001 (2019). (DOI: 10.1088/1361-6641/ab51b2)

44. Yuqiao Zhang and Hiromichi Ohta, “Electron sandwich doubles the thermoelectric power factor of SrTiO3”, Phys. Status Solidi A 216, 1800832 (2019). (DOI: 10.1002/pssa.201800832) Back cover

43. 太田裕道, 張 雨橋, “薄い電子層を絶縁体でサンドイッチ：熱電変換特性を高める方法”, 車載テクノロジー 6[5], 26 (2019)

42. T. Katase and H. Ohta, “Oxide-based optical, electrical, and magnetic properties switching devices with water-incorporated gate insulator”, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 090501 (2019). (DOI: 10.7567/1347-4065/ab02a5)

41. 太田裕道, “特別記事・注目をあびるエレクトロクロミック材料とその可能性－窓ガラスがメモリーとして利用可能に－”, 工業材料（日刊工業新聞社）, 65 [1], 78-82 (2017).

40. I. Terasaki, R. Okazaki, and H. Ohta, “Search for non-equilibrium thermoelectrics”, Scripta Mater. 111, 23–28 (2016)(DOI:10.1016/j.scriptamat.2015.04.033)

39. 太田裕道, “ナノ構造熱電材料の開発動向”, 高分子 2014年11月号 (2014).

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33. 太田裕道, “水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作製”, 名大トピックス 213, 6–7 (2011).

32. 太田裕道, “たかが水、されど水－水の電気分解を利用して絶縁体を大きな熱電効果を示す金属に－”, 現代化学 480, 23–28 (2011).

31. 太田裕道, 溝口照康, 幾原雄一, “誘電体TiO2/SrTiO3ヘテロ界面の構造と電子状態”, マテリアルインテグレーション 22, 38–42 (2009).

30. H. Ohta, K. Sugiura, and K. Koumoto, “Recent Progress in Oxide Thermoelectric Materials -p-type Ca3Co4O9 and n-type SrTiO3 –”, Inorg. Chem. 47, 8429–8436 (2008).

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27.　太田裕道, “酸化物人工超格子　量子サイズ効果による熱起電力増強”, 電気学会誌 128, 290–292 (2008).

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25. 杉浦健二, 太田裕道, “反応性固相エピタキシャル成長法”, 機能材料 28, 27–33 (2008).

24. 石田行章, 藤森　淳, 太田裕道, 細野秀雄, “熱電コバルト酸化物のキャリア・エントロピーの光電子分光による直接観測”, 固体物理 43, 343–350 (2008).

23. H. Ohta, “Two-dimensional thermoelectric Seebeck coefficient of the SrTiO3 based superlattices”, phys. stat. sol. (b) 245, 2363–2368 (2008).

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20. 太田裕道, “脱・重金属！！ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える”, 化学 62, 31–34 (2007).

19. 太田裕道, “誘電体チタン酸ストロンチウム結晶に閉じ込めた電子の巨大熱起電力”, 機能材料 27, 69–74 (2007).

18. 太田裕道, “酸化物熱電変換材料-誘電体中に閉じ込められた二次元電子の巨大熱起電力-“, セラミックス 42, 592–595 (2007).

17. 太田裕道, “毒性物質を使わない高性能酸化物熱電材料の開発”, 熱電学会誌 3, 2–4 (2007).

16. H. Ohta, “Reactive Solid-Phase Epitaxy: A powerful method for epitaxial film growth of complex layered oxides”, J. Ceram. Soc. Jpn. 114, 147 (2006).

15. 野村研二, 太田裕道, 神谷利夫, 細野秀雄, “自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用”, 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集 日本金属学会, 222 (2006).

14. 太田裕道, 野村研二, 平松秀典, 平野正浩, 細野秀雄, “反応性固相エピタキシャル成長法”, リガクジャーナル 37, 3–10 (2006).

13. 太田裕道, 太田慎吾, 河本邦仁, “特集 世界の熱電変換研究 n型酸化物熱電変換材料の設計指針～ペロブスカイト型SrTiO3～”, マテリアルインテグレーション 18, 2–6 (2005).

12. 野村研二, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄, “透明酸化物半導体を用いた透明電界効果トランジスタ”, マテリアルインテグレーション 18[2] (2005).

11. 太田裕道, “第3章 透明酸化物半導体の高品質薄膜成長”, 機能材料 25, 22–29 (2005).

10. H. Ohta and H. Hosono, “Transparent Oxide Optoelectronics”, Mater. Today 7, 42–51 (2004).

9. 神谷利夫, 太田裕道, 平松秀典, 上岡隼人, 野村研二, “透明酸化物半導体とデバイスへの展開”, オプトロニクス 2004年10月号, 128–139 (2004).

8. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, “High-Quality Epitaxial Film Growth of Transparent Oxide Semiconductors”, J. Ceram. Soc. Jpn. 112[S], S602–S609 (2004).

7. 平松秀典, 太田裕道, 植田和茂, 平野正浩, 細野秀雄, “自然超格子構造を有する透明半導体―エピタキシャル成長と光・電子物性―”, 月刊ディスプレイ 2003年5月号，78–83 (2003).

6. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, and H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Journal of Modern Physics B 16, 173–181 (2002).

5. H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, and M. Hirano, “Frontier of transparent conductive oxide thin films”, Vacuum 66, 419–425 (2002).

4. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Frontier of transparent oxide semiconductors”, Solid State Electron. 47, 2261–2267 (2003).

3. 太田裕道, 折田政寛, 平野正浩, 細野秀雄, “p-SrCu2O2/n-ZnOヘテロ接合LEDの作製と近紫外発光”, 表面科学 22, 419–424 (2001).

2. 太田裕道, 折田政寛, 平野正浩, 細野秀雄, “透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発”, セラミックス 36, 4, 285–288 (2001).

1. 折田政寛, 太田裕道, 細野秀雄, “透明酸化物半導体の新しい展開”, 表面 38, 28–36 (2000).

著　書 (18)

18. Yu-qiao Zhang and Hiromichi Ohta, “2D thermoelectrics”, 2D Nanomaterials for Energy Applications (1st Edition) (Elsevier) (November 1st, 2019).

17. Hiromichi Ohta, Chapter 5 “Electric Field Thermopower Modulation of 2D Electron Systems” in Thermoelectric Thin Films: Materials and Devices, Ed. Paolo Mele, Dario Narducci, Michihiro Ohta, Kaniskha Biswas, Juan Morante, Shrikant Saini, Tamio Endo, (Springer, 2019).

16. 太田裕道, 小野里尚記, 第2編 エレクトロクロミック材料の応用】 第11 章 酸化物エレクトロクロミック材料を用いたメモリデバイスの開発「エレクトロクロミックデバイスの開発最前線」樋口昌芳監修, シーエムシー出版

15. Hiromichi Ohta and Hidenori Hiramatsu, 10.Fabrication, characterization, and modulation of functional nanolayers, Nanoinformatics, Ed. Isao Tanaka, Springer (26 Feb. 2018)

14. Hiromichi Ohta, Chapter 4.3 Thermoelectrics in “Metal Oxide-Based Thin Film Structures (1st Edition) Formation, Characterization and Application of Interface-based Phenomena”, Ed. Nini Pryds, Vicenzo Esposito (ISBN 9780128111666), ELSEVIER (to be published September 2017)

13. 太田裕道、透明導電膜の技術（改訂3版） 6章5節 「パルスレーザー堆積法」(2014)（ISBN 978-4-274-21522-3）

12. 太田裕道、サーマルマネジメント 第4章 各分野における熱制御事例「電界効果を利用した熱電材料評価手法の開発」、エヌ・ティー・エス (2011).

11. H. Ohta and K. Koumoto, Chapter 10 Thermoelectric oxides: films and heterostructures, Multifunctional Oxide Heterostructures, (Eds.) E. Y. Tsymbal, E. R. A. Dagotto, C-B. Eom, and R. Ramesh, Oxford (2012).

10. 太田裕道、セラミック機能化ハンドブック 第3章 電子・磁性材料 第2節 熱電材料、エヌ・ティー・エス (2011).

9. H. Ohta, Chapter 14 Junctions, Handbook of Transparent Conductors, 1st Edition, (Eds.) D. S. Ginley, H. Hosono, and D. C. Paine, Springer-Verlag (2010).

8. 太田裕道、「核生成、結晶成長、スピノーダル分解、エピタキシャル成長、導電性材料、固体撮像材料」、無機材料必須300-原理・物性・応用、守吉佑介 編、三共出版 (2008).

7. 太田裕道、「第2章第4節3 酸化物超格子」、熱電変換技術ハンドブック、梶川武信 監修、エヌ・ティ・エス (2008)

6. 太田裕道、透明導電膜の技術（改訂2版） 6章5節 「パルスレーザー堆積法」(2007).

5. 太田裕道、「2.3.1 核生成・成長」、名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシング」、三共出版 (2007).

4. 太田裕道、透明酸化物機能材料とその応用 第2章 「透明p型導電性酸化物とpn接合デバイス」、シーエムシー出版 (2006).

3. 太田裕道、環境調和型新材料シリーズ「熱電変換材料の技術戦略」 3章3節 構造・形態制御 「エピタキシャル薄膜」、日本セラミックス協会・日本熱電学会編 (2005).

2. 太田裕道、細野秀雄、「第３章 p型透明酸化物半導体とpnヘテロ接合発光ダイオード」、エレクトロニクス材料・技術シリーズ 透明導電膜の新展開II、シーエムシー出版，41–50 (2002).

1. 太田裕道、細野秀雄、「透明導電膜～ITOを中心に～」、新訂判・薄膜作製応用ハンドブック、3, 4 (2002).

招待講演 (128)

128. Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari1, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta, “Improvement in the Reliability for Polycrystalline Indium Oxide based Thin-Film Transistors by Epitaxial Passivation Layers”, The 31st International Display Workshops (IDW ’24), Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, December 4-6, 2024 (Invited).

127. 太田裕道, “全固体電気化学熱トランジスタの開発”, 金属学会 2024年秋期(第175回)講演大会, 大阪大学豊中キャンパス（大阪）, 2024年9月17日-20日（招待講演）

126. 太田裕道, “機能性酸化物の「機能」を引き出す薄膜成長とデバイス応用の可能性”, 応用物理学会 2024年(令和6年)秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場（新潟県新潟市）, 2024年9月16日-20日（分科内招待講演）

125. Hiromichi Ohta, “Oxide-based Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, NANO KOREA 2024, KINTEX, Korea, July 3-5, 2024 (Invited).

124. Hiromichi Ohta, “Functional oxide thin films: From materials to devices”, Korean-Japanese Scientists Joint Seminar, UNIST, Korea, June 27-29, 2024 (Invited).

123. Hiromichi Ohta, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Department Colloquium at Institut für Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany, June 11th, 2024 (Invited).

122. Hiromichi Ohta, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistor based on Oxygen Sponge SrCoOx (2 < x < 3)”, 2024 MRS Spring Meeting, Seattle, WN, April 22-26, 2024 (Invited).

121. Hiromichi Ohta, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, MRM2023/IUMRS-ICA2023 (Symposium A-4), Kyoto, December 11-16, 2023. (Invited)

120.  Hiromichi Ohta, “A thermoelectric oxide, Ba1/3CoO2”, 14th ISAJ Annual Symposium (Integrated Science for a Sustainable Society), Hokkaido University, Sapporo, November 14, 2023 (Plenary).

119. Hiromichi Ohta, “Functional oxide thin film growth and application – An introduction –”, Global Scholar Seminar for Emerging Semiconductor, Emerging Display, Automobile, and Energy, Hanyang University, Korea, October 19, 2023 (Invited).

118. Hiromichi Ohta, “SrCoOx-based solid-state electrochemical thermal transistors”, International Conference on Condensed Matter and Device Physics (ICCMDP-2023), Gandhinagar, September 27-29, 2023 (Invited).

117. 太田裕道, “全固体電気化学熱トランジスタ：遷移金属酸化物の熱伝導率を電気的に切替える固体スイッチ”, 第84回 応用物理学会秋季学術講演会「イオントロニクスにおける酸化物・カルコゲナイトの新機能」, 熊本城ホールほか3会場, 2023年9月19日-23日 (Invited).

116. Hiromichi Ohta, “Film Growth of Functional Oxide Thin Films and Their Applications towards Optoelectronics and Thermoelectrics”, Lecture at Jiangsu University, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China, May 29-31, 2023 (Invited).

115. Hiromichi Ohta, “Thermoelectric Oxide Thin Films”, 2022 Asian Conference on Nanoscience & Nanotechnology (AsiaNANO 2022), BEXCO, Busan, Korea, November 9-11, 2022 (Invited).

114. Hiromichi Ohta, “Thermoelectric Properties of Conducting Oxide Thin Films”, Physics Seminar in Pusan National University, online, 27th May, 2022 (Invited).

113. 太田裕道, ” (学術賞受賞講演) 電子伝導性酸化物の薄膜化と熱電特性に関する研究”, 日本セラミックス協会 2022年 年会, オンライン, 2022年3月10日-12日.

112. Hiromichi Ohta, Qian Yang, Hyoungjeen Jeen, “Solid-State Electrochemical Control of Physical Properties for Transition Metal Oxide Epitaxial Films with Perovskite-Related Crystal Structures”, The American Ceramic Society 2022 Conference on Electronic Materials and Applications (EMA 2022), Orlando, FL (Hybrid), January 19-21, 2022 (Invited).

111. Hiromichi Ohta, “Thermoelectric Energy Conversion using Metal Oxide Thin Films”, The 22nd RIES-HOKUDAI International Symposium, December 5-7, 2021. (Invited)

110. 太田裕道, “反応性固相エピタキシャル成長法＋イオン交換法 ―層状酸化物エピタキシャル薄膜を作る方法―”, 第82回 応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム「固相における秩序とは何か：機能を生み出す秩序の概念展開」（世話人：山本哲也 教授（高知工科大））, 2021.9.11 (Invited)

109. 太田裕道, “導電性酸化物薄膜の熱電変換特性”, 日本学術振興会 R025委員会 ８月研究会「エナジーハーベスティングデバイスの新材料・新構造・新プロセス（熱電変換，太陽電池）」, 2021.8.23 (Invited)

108. 太田裕道, “金属酸化物薄膜の熱電能・熱伝導”, 第68回応用物理学会春季学術講演会　シンポジウム「ニューノーマル時代のDXを進めるIoT用創エネルギー材料・デバイス研究の新展開」, online, March 18, 2021 (Invited)

107. Hiromichi Ohta, “Electron transport properties of wide bandgap transparent oxide semiconductor, BaSnO3-SrSnO3“, The 12th International Workshop on Oxide Surfaces: IWOX-XII, Lake Placid, NY, USA, January 5-10, 2020 (Plenary)

106. Hiromichi Ohta, “Single Crystalline Film Growth of Layer Structured Oxides and Their Phonon Transports””, 2019 MRS Fall Meeting, Hynes Convention Center, Boston, MA, December 1-6, 2019 (Invited)

105. 太田裕道, “透明酸化物半導体BaSnO3–SrSnO3の電子輸送―エピタキシャル薄膜と薄膜トランジスタ―”, 日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会, 岡山大学津島キャンパス（岡山県岡山市）2019年9月11日-13日 (基調講演)

104. Hiromichi Ohta, Yuqiao Zhang, “Double enhancement of thermoelectric power factor in SrTiO3 based electron sandwitch”, 4th Functional Oxide Thin Films for Advanced Energy and Information Technology Conference, Torres Vedras, Portugal, July 17-20, 2019 (Invited)

103. Hiromichi Ohta, “Electron Transport Properties of Transparent Oxide Semiconductor, BaSnO3–SrSnO3: Epitaxial Films and Thin Film Transistors”, EM-NANO 2019, Shinshu University, Nagano, June 19-22, 2019 (Invited)

102. 太田裕道, “熱電変換材料としての金属酸化物の可能性”, 第5回大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム, 秋葉原UDX, 東京, 2019年3月15日(Invited)

101. 太田裕道, “熱電材料の二次元薄膜化と特性向上”, 日本学術振興会161委員会 研究会, Hotel & Resort KYOTO-MIYAZU, 京都府宮津市, 2019年1月24日-25日 (Invited)

100. Hiromichi Ohta, “Electric field thermopower modulation measurements of two-dimensional electron gas”, International mini-workshop on Nonequlibrium transport and phase transition in novel materials, Nanoya Univ., Nagoya, 26th November, 2018 (Invited)

99. Hiromichi Ohta, “Double thermoelectric powerfactor of a 2D electron system”, the International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2018), Jeju, South Korea, 11th-14th November, 2018 (Invited)

98. Hiromichi Ohta, “Development of three-terminal electrochromic device using water electrolysis”, IUMRS-ICEM 2018, Daejeon, South Korea, 19th-24th August, 2018 (Invited)

97. Hiromichi Ohta, “Thermopower of 2D electron systems”, The 2018 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2018), Sun Moon Lake, Taiwan, August 16-19, 2018 (Invited)

96. 太田裕道, “捨てられている熱を電気に変える熱電変換材料”, 国立大学共同利用・共同研究拠点協議会 知の拠点セミナー, 京都大学東京オフィス（東京都・千代田区）, 2018年7月20日

95. Hiromichi Ohta, “Double enhancement of thermoelectric power factor in two-dimensional electron system”, the 16th International Nanotech Symposium & Nano-Convergence Exhibition, NANO KOREA 2018, KINTEX, Ilsan, Korea, July 10-13, 2018 (Invited)

94. Hiromichi Ohta, “Electric field thermopower modulation of two-dimensional electron gas”, The 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices – TFT Technologies and FPD Materials – (AM-FPD 18), Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan, 3rd-6th July, 2018 (Invited)

93. 太田裕道, “二次元電子層のSeebeck効果－人工超格子と電界誘起二次元電子ガス－”, 物性談話会, 名古屋大学, 愛知県名古屋市, 2018年6月14日（招待講演）

92. Hiromichi Ohta, “TBA”, Joint International Symposium in NCTU, National Chiao Tung University, Taiwan, 18th-20th May, 2018 (Invited)

91. Hiromichi Ohta, “Thermopower of two-dimensional electron system”, Physics Seminar in Pusan National University, Busan, Korea, 30th April, 2018 (Invited)

90. 太田裕道, “二次元電子系の熱電ゼーベック効果”, 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 西早稲田キャンパス（東京都, 新宿区）, 2018年3月17日-20日（招待講演）

89. 太田裕道, “水を使った機能性酸化物の光・電気・磁気特性切替え”, 平成29年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会, 室蘭工業大学, 北海道室蘭市, 2018年3月8日-9日（招待講演）

88. 太田裕道, “半導体薄膜の熱電特性”, 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会, 北海道大学 百年記念会館（北海道, 札幌市）, 2018年2月28日-3月1日（招待講演）

87. H. Ohta and A. Sanchela, “Thermopower of oxide heterostructure”, ICAMD2017 (The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices), Jeju, Korea, 5-8 December, 2017 (Invited)

86. 太田裕道, “薄膜トランジスタの熱電能で電子状態を調べる（仮題）”, 第14回 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2017年10月20日－21日（招待講演）

85. 太田裕道, “未定”, 日本金属学会 2017年 秋期講演大会, 北海道大学, 札幌, 2017年9月6日―8日（基調講演）

84. H. Ohta, “Electric Field Modulation of Thermopower in Two-dimensional Electron Gas”, IUMRS-ICAM 2017, Kyoto University, Kyoto, Japan, 27th August – 1st September, 2017 (Invited)

83. H. Ohta, “Electrochemical function modulation of oxides using three-terminal thin film transistor structure with water infiltrated insulator”, 3rd Functional Oxide Thin Films for Advanced Energy and Information Technology Conference, Rome, Italy, July 05-08, 2017 (Invited)

82. 太田裕道, “導電性酸化物薄膜の物性改質方法”, 第64回応用物理学会春季学術講演会（合同セッションK, シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」）, パシフィコ横浜, 神奈川, 2017年3月14日-17日（招待講演）

81. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of two dimensional electron gas in SrTiO3”, International conference on Advances in Functional Materials (ICAFM2017),  Anna University, Chennai, India, 6-8, January 2017 (Invited)

80. H. Ohta and W. S. Choi, “Unusually large thermopower of nanostructured oxides”, ENGE 2016 (International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment), Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, South Korea, Nov. 6-9, 2016 (Invited) 国際共同研究・ 物質デバイス領域共同研究拠点

79. 太田裕道, 金木奨太, 橋詰 保, “熱電能電界変調法：AlGaN/GaN-MOSHEMT”, 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）, 2016年9月13日-16日（分科内招待講演） 専攻内共同研究

78. H. Ohta, T. Katase, “Electro-chemical redox switching of functional oxide thin films using water-infiltrated nanoporous glass”, International Workshop on Oxide Surfaces (IWOX-X), Dalian, China, 10-15 January, 2016 Keynote

77. H. Ohta, T. Katase, K. Endo, Y. Suzuki, “Electro-chemical modulation of functional properties for oxide thin films using water-infiltrated nanoporous glass”, CEMS Topical Meeting on Oxide Interfaces 2015, RIKEN, Wako, 5 November, 2015 Invited

76. H. Ohta, “Water electrolysis induced modification of functional oxides −Thermoelectric properties−”, IUMRS-ICAM 2015, Jeju island, Korea, 2015年10月25日-29日

75. 太田裕道, “熱電変換材料って何？”, 日本化学会秋季事業 第5回CSJ化学フェスタ2015, タワーホール船橋, 東京, 2015年10月13日-15日

74. 太田裕道, “水の電気分解を利用した機能性酸化物ナノ層創製”, 日本金属学会 2015年秋期講演大会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 2015年9月16日-18日（公募シンポジウムの基調講演）

73. H. Ohta, “Development of oxide-based nanostructured thermoelectric materials”, 4th International Symposium on Energy Challenges and Mechanics -working on small scales”, Scotland, UK, 2015年8月11日-13日 (Invited)

72. H. Ohta, “Two-dimensional giant thermopower –SrTiO3-based superlattices and transistors-“, The American Ceramic Society’s 11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications (CMCEE-11), Vancouver, Canada, 2015年6月14日-19日

71. H. Ohta, “Thermoelectric effect of extremely thin electron doped SrTiO3“, The 1st IOP-RIES Joint Workshop, Hokkaido Univ., 2015年3月23日

70. H. Ohta, “Thermopower enhancement of two-dimensional electron gas in oxide semiconductors”, The American Ceramic Society’s Electronic Materials and Applications 2015 (EMA2015), Orlando, Florida USA, 2015年1月21日-23日

69. 太田裕道、「酸化物薄膜作製におけるパルスレーザー堆積法とその応用」、3次元造形＆薄膜実践セミナー、東京工業大学、 東京、2014年9月26日

68. 太田裕道、片瀬貴義、「水電気分解を利用した酸化物の熱電能変調」、第75回 応用物理学会秋季学術講演会（シンポジウム：固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス：化学とデバイスの融合）、北海道大学、札幌、2014年9月17日-20日

67. H. Ohta, “Epitaxial Film Growth and Application of Functional Oxides”, HOKUDAI-NCTU Joint Symposium on Nano, Photo and Bio Sciences, RIES, Hokkaido University, Japan, 10-11 September 2014

66. 太田裕道、「 酸化物半導体に蓄積された二次元電子ガス －熱電能を中心に－」、統合物質創製化学推進事業第５回若手研究会、休暇村支笏湖、2014年6月20日～21日

65. H. Ohta, “Electric Field Modulation of a Thermoelectric Material”, Thermec 2013, Las Vegas, USA, 2013年12月2日-6日

64. 太田裕道、「 酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長」、酸化物アライアンス第11回研究会(第5回公開講演会)「透明導電膜のサイエンス」、産総研つくば中央、2013年5月24日

63. H. Ohta, “Two dimensional thermoelectric effect”, Distinguished Lecture Series for 2012 fall semester in Sungkyunkwan University, Korea, 2012年12月12日

62. H. Ohta, “Electric field thermopower modulation of 2DEG in oxide semiconductor based field effect transistors”, MRS 2012 Fall Meeting, Boston, MA, 2012年11月26日～11月30日

61. H. Ohta, “Unusually large thermopower enhancement in an electric field induced two-dimensional electron gas”, E-MRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg, France, 2012年5月14日-18日

60. H. Ohta, “Electric-Field Thermopower Modulation Method”, Japan-Finland March Meeting for the future in thermoelectrics, Nagoya University, 2012年3月13日-14日

59. 太田裕道、「高分解能X線回折法による金属酸化物薄膜の分析」、第240回Ｘ線分析研究懇談会、名古屋大学、2011年12月2日

58. 太田裕道、「温度差で発電する熱電材料-酸化物の挑戦」、超精密加工専門委員会第62回研究会（高度エネルギー変換材料）、大阪ガーデンパレス（大阪）、2011年7月13日

57. 太田裕道、「水の電気分解を利用したSrTiO3の金属化と熱電能」、第55回固体イオニクス研究会「遷移金属複合酸化物：新しい合成法、物質、物性」、京都国際会館（京都）、2011年1月26日

56. 太田裕道、「酸化物半導体における熱電能のゲート電界変調」、第5回KEK連携研究会「熱電変換材料と新規機能物質」、筑波大学（つくば）、2010年12月18日

55. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電能」、第19回強相関コアセミナー、産総研つくば中央（つくば）、2010年12月17日

54. Kyu Hyoung Lee、宗 頼子、太田裕道、河本邦仁、「優秀論文賞受賞記念講演」 Thermoelectric Seebeck Effect of SrTiO3、第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、9月17日

53. H. Ohta, “Electric Field Modulation of Thermopower for SrTiO3“, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日～9日

52. Hiromichi Ohta, Kenji Sugiura, Kunihito Koumoto, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano and Hideo Hosono, “Heteroepitaxy of Complex Oxides With Natural Superlattice Structure”, MRS 2010 spring meeting, San Francisco, CA, 2010年4月5日～9日

51. 太田裕道、「酸化物の熱電現象」、（社）日本磁気学会 第36回化合物新磁性材料研究会「熱電材料と場の理論」、東京大学物性研究所本館6階、2月24日

50. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウムの熱電特性-バルク、人工超格子、トランジスタ-」、応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会研究例会 エネルギーハーベスト技術-熱電変換、振動発電の実力と展望-、機械振興会館（東京）、12月21日

49. 太田裕道、「熱電変換 -薄膜によるアプローチ」、日本表面科学会主催 第30回表面科学セミナー「グリーンテクノロジー、表面科学の新たな挑戦」、東京理科大学 森戸記念館（東京）、2009年11月12日

48. 太田裕道、「SrTiO3結晶中に閉じ込められた極薄電子層の巨大熱起電力」、粉体粉末冶金協会平成21年度秋季大会、名古屋国際会議場（名古屋）、2009年10月27日

47. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck effect of SrTiO3 – Electron doped bulks, superlattices and field effect transistors”, The 16th Workshop on Oxide Electronics, Tarragona (Spain), 2009年10月6日

46. 太田裕道、「金属酸化物による熱電変換 －エピタキシャル薄膜によるアプローチ－」、第70回応用物理学会学術講演会（『機能性酸化物研究グループ・合同セッション：ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス・応用電子物性分科会』企画「社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来」）、2009年9月8日、富山大学（富山）

45. 太田裕道、「SrTiO3の熱電特性」、日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 第45回研究会、2009年7月17日、アイビーホール青学会館

44. 太田裕道、「熱電変換：極薄チタン酸ストロンチウム二次元電子の魅力」、フィラー研究会 第147回フィラー研究会、2009年7月9日、エル大阪

43. Hiromichi Ohta, Akira Yoshikawa, Daisuke Kurita, Kunihito Koumoto, Ryoji Asahi, Yumi Masuoka, Kenji Nomura, and Hideo Hosono, “Electric Field Induced Giant Thermopower of Two-dimensional Electron Gas at the Gate Insulator/SrTiO3 Heterointerface”, 2009 MRS spring meeting, San Francisco, CA, 2009年4月13日～17日

42. 太田裕道、「SrTiO3結晶に閉じ込められた二次元電子の巨大熱電効果」、日本化学会第89春季年会、平成21年3月27日～30日、日本大学理工学部船橋キャンパス

41. 太田裕道、「人工宝石チタン酸ストロンチウムによる熱電変換の可能性」、日本ファインセラミックス協会主催 第23回JFCAテクノフェスタ、メルパルク東京（東京）、2009年1月26日

40. H. Ohta, “Thermoelectric Seebeck coefficient of two-dimensional electron layer in SrTiO3 crystal”, Villa Conference on Complex Oxide Heterostructures, Orange Tree Villa, Clermont, FL, 2008年11月2日～6日

39. 太田裕道、「チタン酸ストロンチウム超格子の作製と熱電変換材料への応用」、東海ものづくり創生協議会主催 平成20年度第2回技術シーズ発表会、ミッドランドスクエア会議室（名古屋）、2008年10月23日

38. H. Ohta, “Enhancement of thermoelectric performance using 2DEG”, Shandong University Seminar (organized by Prof. Wang Chunlei), Shandong University（山東大学・中国）, 2008年10月22日

37. Kunihito Koumoto and Hiromichi Ohta, “SrTiO3-based superlattices for thermoelectric energy conversion”, Materials Science & Technology 2008 Conference and Exhibition, David Lawrence Convention Center, Pittsburgh, Pennsylvania, 2008年10月5日～9日

36. H. Ohta, “Giant Thermopower of Two Dimensionally Confined Electrons in Dielectric Oxides”, Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp. Joint Symposium, 名古屋大学（名古屋）、2008年9月10日～12日

35. H. Ohta, “Two-dimensional thermoelectric Seebeck coefficient of electron doped SrTiO3”, The 7th Korea-Japan Conference on Ferroelectricity, チェジュ大学 (韓国), 2008年8月6日～9日

34. 太田裕道、「熱電変換材料としての金属酸化物の可能性」、応用物理学会東海支部第12回基礎セミナー、名古屋大学（名古屋）、2008年3月7日

33. 太田裕道、杉浦健二、「層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性」、平成19年度 東京工業大学応用セラミックス研究所ワークショップ「酸化物エピタキシーの表面界面制御と機能開発」、東京工業大学（横浜）、2008年1月28日～29日

32. 太田裕道、「ありふれた酸化物を使った熱電変換材料の開発」、東海化学工業会セミナー「元素を駆使した光・電子材料の研究開発」、栄ガスビル（名古屋）、2007年12月6日

31. H. Ohta, “Two-dimensional Seebeck Effect in SrTiO3 Superlattices”, 7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology, Shanghai (China), 2007年11月13日

30. Hiromichi Ohta and Kunihito Koumoto, “Development of thermoelectric oxide based on SrTiO3”, 1st International Forum on Advanced Materials, Shanghai (China), 2007年11月10日

29. H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Mune, Y. Ikuhara, K. Koumoto, “Enhanced Seebeck coefficient of quantum confined electrons in the SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, The 7th France-Japan Workshop on Nanomaterials, Strasbourg (France), 2007年10月24日

28. H. Ohta, “Development of SrTiO3-based thermoelectric thin film with two dimensional electrons”, The 14th International Workshop on Oxide Electronics, Jeju (Korea), 2007年10月8日

27. 太田裕道、金 聖雄、宗 頼子、溝口照康、野村研二、太田慎吾、野村隆史、中西由貴、幾原雄一、平野正浩、細野秀雄、河本邦仁、「熱電変換材料としての誘電体チタン酸ストロンチウム－誘電体超格子に閉じ込められた二次元電子ガスの巨大熱起電力－」、第4回日本熱電学会学術講演会、2007年8月29日－30日、大阪大学（吹田）

26. H. Ohta, “Enhanced Seebeck coefficient of two-dimensionally confined electrons in a SrTiO3 unit cell layer”, International Symposium on Nano-Thermoelectrics, Osaka （Japan）, 2007年6月11日－12日

25. H. Ohta, “Giant thermoelectric response of two-dimensional electrons confined within a unit cell layer of SrTiO3”, The 5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-5), 湘南国際村（神奈川）、2007年5月21日～22日

24. 太田裕道、「熱電変換材料としてのチタン酸ストロンチウムの可能性」、平成18年度第3回熱電変換材料研究会、広島市産業振興センター（広島）、2007年3月23日

23. 太田裕道、「金属酸化物の薄膜作製技術・熱電特性」、北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科セミナー、北陸先端科学技術大学院大学（石川）、2006年11月21日

22. 太田裕道、河本邦仁、「熱を電気に変える石ころ：原子レベルの制御技術によって作られた金属酸化物薄膜」、テクノフェア名大2006、名古屋大学、2006年10月27日

21. 太田裕道、「透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発」、日本セラミックス協会2006年年会、東京大学駒場キャンパス（東京）、（進歩賞受賞記念講演）

20. H. Ohta, S-W. Kim, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Seebeck effect originating from 2DEG at the TiO2/SrTiO3 heterointerface”, the 2005 MRS Fall Meeting, Boston (USA), 2005年11月27日～12月2日

19. H. Ohta, S. Ohta, and K. Koumoto, “Large Thermoelectric Response of Ti-containing Perovskite Oxides”, SSTE-1; a special symposium on the 4th China International Conference on High-Performance Ceramics, China, 2005年10月23日～26日

18. 太田裕道、「高分解能薄膜Ｘ線回折によるエピタキシャル薄膜の結晶性評価」、平成17年度応用物理学会東海支部第7回基礎セミナー「薄膜の評価技術」、2005年9月29日～30日

17. 太田裕道、太田慎吾、杉浦健二、河本邦仁、「酸化物熱電変換材料のエピタキシャル薄膜成長」、日本セラミックス協会第18回秋季シンポジウム、大阪府立大学（大阪）、2005年9月27日～29日

16. 太田裕道、「透明酸化物半導体の高品質エピタキシャル薄膜成長と光電子デバイス」、日本セラミックス協会東海支部第31回東海若手セラミスト懇話会、犬山（愛知）、2005年6月16日～17日

15. 太田裕道、「反応性固相エピタキシャル成長法-デバイス品質の酸化物自然超格子を作るための必殺技-」、第9回ガラス表面研究討論会、東京工業大学（東京）、2005年2月8日

14. 太田裕道、「透明酸化物半導体エピタキシャル薄膜成長とデバイス開発」、人工結晶工学会新材料・新技術分科会平成15年度第1回講演会、2004年3月3日

13. 太田裕道、「透明酸化物半導体の光・電子デバイス」、平成15年度東北大学金属材料研究所ワークショップ「コンビナトリアル固体化学の新展開と酸化物半導体」、2004年1月23日～24日

12. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Epitaxial Growth and Application of Transparent Oxide Semiconductors”, 204th Meeting of the Electrochemical Society, Olando, USA, 2003年10月12日～16日

11. H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Single-crystalline film growth techniques of transparent oxide semiconductors” 、PacRim 2003、名古屋国際会議場（名古屋）、2003年9月29日～10月2日

10. H. Ohta, H. Hiramatsu, M. Orita, M. Hirano, K. Nomura, K. Ueda, H. Hosono, T. Suzuki, Y. Ikuhara, “Reactive Solid-Phase Epitaxy – A magical way to fabricate single-crystalline thin films of complex oxides with superlattice structure ?”, 2002 MRS Fall Meeting, Boston, USA, 2002年12月2日～6日

9. H. Ohta, K. Nomura, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Single crystal films of In2O3(ZnO)m (m=integer) natural super lattice grown by novel solid-state diffusion technique”, The International Conference On Metallurgical Coatings And Thin Films ICMCTF 2002, San Diego, California, USA , 2002年4月22日～26日

8. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル薄膜成長」、2002年電気化学秋季大会、東京、2002年9月12日～13日

7. 太田裕道、「透明酸化物半導体を用いた近紫外発光ダイオードの開発」、第7回セラミックス・プラザ8 (日本セラミックス協会中国四国支部主催), 岡山, 2002年11月15日

6. 太田裕道、「透明酸化物半導体のエピタキシャル成長と光・電子デバイスへの応用」、産総研・セラミックス研究部門講演会、名古屋、2002年12月16日

5. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, “Improvement of UV-light emission for P-N heterojunction LED composed of p-SrCu2O2 and n-ZnO”, MRS 2001 spring meeting, San Francisco, California, USA, 2001年4月16日～20日

4. H. Ohta, M. Orita, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, “Epitaxial growth of transparent conductive oxides”, International Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT 2001 MRS-Singapore, Singapore, Singapore, 2001年7月1日～6日

3. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「透明酸化物半導体のヘテロp-n接合による紫外発光ダイオード」、日本セラミックス協会第12回フォトニクス討論会, 東京, 2001年8月24日

2. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、「透明酸化物ヘテロp-n接合への電流注入による室温紫外発光」、2001年春季第48回応用物理学関連連合講演会、東京、2001年3月28日～31日

1. 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄、「初めて実現した酸化物紫外発光ダイオード：p-SrCu2O2/n-ZnO」、第285回蛍光体同学会、2000年

プロシーディングス (23)

23. T. Katase, K. Endo, and H. Ohta, “Electrolysis-induced protonation of VO2 thin film transistor for the metal-insulator phase modulation”, Proc. SPIE 9749, Oxide-based Materials and Devices VII, 974916, 974916 (2016).(doi:10.1117/12.2222255)

22. H. Ohta, Y. Mune, K. Koumoto, T. Mizoguchi, and Y. Ikuhara, “Critical thickness for giant thermoelectric Seebeck coefficient of 2DEG confined in SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 superlattices”, Thin Solid Films 516, 5916 (2008). 

21. T, Katase, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Fabrication of ScAlMgO4 epitaxial thin films using ScGaO3(ZnO)m buffer layers and its application to lattice-matched buffer layer for ZnO epitaxial growth”, Thin Solid Films 516, 5842 (2008). 

20. Y. Mune, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-05 (2008). 

19. Y. Nakanishi, H. Ohta, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, and K. Koumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1044, U09-06 (2008). 

18. K. Sugiura, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric performance of epitaxial thin films of layered cobalt oxides grown by reactive solid-phase epitaxy with topotactic ion-exchange methods”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 308 (2007). 

17. K-H. Lee, Y-F. Wang, S-W. Kim, H. Ohta, and K. Koumoto, “Thermoelectric properties of Ruddlesden-Popper phase n-type semiconducting oxides: La-, Nd-, and Nb-doped Sr3Ti2O7”, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 4, 326 (2007). 

16. Y. Ogo, K. Nomura, H. Yanagi, H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth and structure of heteroepitaxial thin films of homologous compounds RAO3(MO)m by reactive solid-phase epitaxy: Applicability to a variety of materials and epitaxial template layers”, Thin Solid Films 496, 64 (2006). 

15. Y. Takeda, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Growth of epitaxial ZnO films on lattice-matched buffer layer: Application of InGaO3(ZnO)6 single-crystalline thin film”, Thin Solid Films 486, 28 (2005). 

14. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Tanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Carrier transport and electronic structure in amorphous oxide semiconductor, a-InGaZnO4”, Thin Solid Films 486, 38 (2005). 

13. T. Kamiya, K. Ueda, H. Hiramatsu, H. Kamioka, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Two-dimensional electronic structure and multiple excitonic states in layered oxychalcogenide semiconductors, LaCuOCh (Ch = S, Se, Te): Optical properties and relativistic ab intio study”, Thin Solid Films 486, 98 (2005). 

12. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, “Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe”,Thin Solid Films 445, 304 (2003). 

11. H. Ohta, M. Kamiya, T. kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, Thin Solid Films 445, 317 (2003). 

10. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiy, M. Hirano, and H. Hosono, “Electron transport in InGaO3(ZnO)m (m=integer) studied using single-crystalline thin films and transparent MISFETs”, Thin Solid Films 445, 322 (2003). 

9. H. Ohta, K. Nomura. H. Hiramatsu, T. Suzuki, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, Y. Ikuhara, and H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 747, 257 (2003).

8. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of transparent p-type (La1-xSrxO)CuS thin films by an rf sputtering technique”, Thin Solid Films 411, 125 (2002).

7. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, “Novel film growth technique of single crystalline In2O3(ZnO)m(m=integer) homologous compound”, Thin Solid Films 411, 147 (2002). 

6. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono, Key Eng. Mater. 214-215, 75 (2002). 

5. M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Preparation of highly conductive deep ultraviolet transparent β-Ga2O3 thin film”, Thin Solid Films 411, 134 (2002). 

4. H. Ohta, M. Orita, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, Proceedings of CIMTEC 2002 10th International Ceramics Congress and 3rd Forum on New Materials, Ed. By P. Vincenzini Part D, 983 (2002). 

3. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 666, F3.15.1 (2001). 

2. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, H. Kawazoe and H. Tanji, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 623, 253 (2000). 

1. H. Ohta, H. Tanji, M. Orita, H. Hosono and H. Kawazoe, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 570, 309 (1999).

特　許 (35)

35. 太田裕道, 曲 勇作, ゲディア プラシャント ラマニクラル, 定平 光, コン ヒョンジュン, “水素化酸化インジウム膜形成用のセラミックターゲットとその製造方法、およびセラミックターゲットを用いた薄膜トランジスタの製造方法”, 特願2024-150613, 2024年9月2日出願

34. 太田裕道, 曲勇作, ジョンアロン, 卞 志平, 吉村充生, “熱トランジスタ”, 特願2024-018066, 2024年2月8日出願

33. 太田裕道, 曲 勇作, ゲディア プラシャント ラマニクラル, “薄膜トランジスタ”, 特願2023-185660, 2023年10月30日出願

32. 太田裕道, 楊 倩, ジョ ヘジュン, “熱トランジスタ”, 特願2021-164181, 2021年10月5日 出願（特開2023-055209）

31. 特許第6629241号 “スイッチング装置”, 太田裕道, 片瀬貴義, 鈴木雄喜（2019年12月13日登録）国立大学法人北海道大学（特願2016-568732）

30. 特許5910072号 “固体電解質、固体電解質の製造方法および電気化学デバイス”、太田裕道、青木則之（2015年1月16日登録）ソニー株式会社（特願2011-282589）

29. 特許5680916号 “電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法”、太田裕道、小出浩貴、高木利哉、藤本隆史（2015年1月16日登録）名古屋大学、東京応化工業（特願2010-206380）

28. 特許5429661号 “電磁気素子用絶縁膜の製造方法”、旭 良司、佐伯優美、太田裕道（2013年12月13日登録）豊田中央研究所、名古屋大学（特開2011-35274）

27. 特許5035857号 “低抵抗ＩＴＯ薄膜及びその製造方法”、太田裕道、折田政寛（2012年7月13日登録）　ＨＯＹＡ株式会社（特開2009-108420）

26. 特許4998897号 “熱電変換材料及びその製造方法”、太田裕道、河本邦仁、宗 頼子（2012年5月25日登録）　名古屋大学（WO2007/059766）

25. 特許4872050号 “熱電素子”、旭 良司、増岡優美、太田裕道、栗田大佑（2011年12月2日登録）株式会社豊田中央研究所、名古屋大学（特開2009-117430）

24. 特許4762911号 “熱電変換材料及び熱電変換材料の製造方法”、細野秀雄、平野正浩、太田裕道、河本邦仁（2011年6月17日登録）　科学技術振興機構、名古屋大学（WO2006/054550）

23. 特許4755770号 “基板回転・加熱装置並びにこれを用いた成膜装置及び分析装置”、折田政寛、太田裕道、平野正浩、細野秀雄、田 昭治、片桐俊郎、三村 宗（2011年6月3日登録）　科学技術振興機構（特開2002-280306）

22. 特許第4620046号 “薄膜トランジスタ及びその製造方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二（2010年11月5日登録）　科学技術振興機構（WO2005/088726）

21. 特許第4568828号 “アモルファス酸化物薄膜”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二（2010年8月20日登録）　科学技術振興機構（特開2010-219538）

20. 特許第4568827号 “アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法”, 細野秀雄、平野正浩、太田裕道、神谷利夫、野村研二（2010年8月20日登録）　科学技術振興機構（特開2010-212696）

19. 特許第4480809号 “酸化インジウム薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 （2010年3月26日登録）HOYA株式会社（特開2000-286410）

18. 特許第4397511号 “低抵抗ＩＴＯ薄膜及びその製造方法”, 太田裕道、折田政寛 （2009年10月30日登録）HOYA株式会社（特開2001-089846）

17. 特許第4397451号 “透明導電性薄膜及びその製造方法”, 折田政寛、太田裕道 （2009年10月30日登録）HOYA株式会社（特開2000-285737）

16. 特許第4298194号 “自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法”, 細野秀雄、植田和茂、折田政寛、太田裕道、平野正浩 （2009年4月24日登録）　科学技術振興機構（特開2003-137692）

15. 特許第4237861号 “高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法”, 太田裕道, 折田政寛, 細野秀雄, 川副博司（2008年12月26日登録）　HOYA株式会社（特開2000-281495）

14. 特許第4170454号 “透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法”, 森田　清, 太田裕道, 細野秀雄, 川副博司（2008年8月15日登録）　HOYA株式会社　（特開2000-044236）

13. 特許第4164563号 “酸化物半導体ＰＮ接合デバイス及びその製造方法”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩, （2008年8月8日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2004-119525）

12. 特許第4164562号 “ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ”, 太田裕道, 細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩（2008年8月8日登録）　独立行政法人科学技術振興機構, HOYA株式会社（特開2004-103957）

11. 特許第4083486号 “ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 平野正浩, 折田政寛, 太田裕道, 平松秀典, 植田和茂 （2008年2月22日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2003-318201）

10. 特許第4083396号 “紫外透明導電膜とその製造方法”, 折田政寛, 太田裕道, 平野正浩, 細野秀雄（2008年2月22日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2002-093243）

9. 特許第4014473号 “超平坦ｐ型酸化物半導体ＮｉＯ単結晶薄膜の製造方法”, 細野秀雄, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩（2007年9月21日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2004-091253）

8. 特許第3969959号 “透明酸化物積層膜及び透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオードの作製方法”, 細野秀雄, 植田和茂, 太田裕道, 平野正浩（2007年6月15日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2002-261294）

7. 特許第3824289号 “透明導電性薄膜”, 折田政寛, 太田裕道 （2006年7月7日登録）　HOYA株式会社（特開2000-090745）

6. 特許第3717632号 “電池の製造方法”, 藤井孝則, 前田紫織, 太田裕道, 中川　弘, 児玉康伸, 西本好宏, 園崎　勉, 中根育朗, 寺司和生, 生川　訓 （2005年9月9日登録）　三洋電機株式会社（特開平10-308240）

5. 特許第3588225号 “薄型密閉電池”, 西本好宏、太田裕道、前田紫織、中川　弘、児玉康伸、山崎幹也、園崎　勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川　訓 （2004年8月20日登録）　三洋電機株式会社（特開平10-289698）

4. 特許第3531865号 “超平坦透明導電膜およびその製造方法”, 太田裕道、折田政寛、平野正浩、細野秀雄 （2004年3月12日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2002-025349）

3. 特許第3398638号 “発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法”, 細野秀雄、太田裕道、折田政寛、河村賢一、猿倉信彦、平野正浩 （2003年2月14日登録）　独立行政法人科学技術振興機構（特開2001-210864）

2. 特許第3378761号 “ポリマー電解質電池”, 山崎幹也、前田紫織、太田裕道、中川　弘、児玉康伸、西本好宏、園崎　勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川　訓 （2002年12月6日登録）　三洋電機株式会社（特開平10-284125）

1. 特許第3354430号 “固体電解質電池及びその製造方法”, 中川　弘、太田裕道、前田紫織、児玉康伸、山崎幹也、西本好宏、園崎　勉、藤井孝則、中根育朗、寺司和生、生川　訓 （2002年9月27日登録）　三洋電機株式会社（特開平10-284126）

報　道

プレスリリース　従来比10倍の性能を示す酸化物薄膜トランジスタを実現～次世代の超大型有機ＥＬテレビ開発に必要不可欠なデバイス～（北海道大学、高知工科大学）2024年7月2日

Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari*, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “Reliable operation in high-mobility indium oxide thin film transistors”, Small Methods 2400578 (2024). (August 3, 2024) (DOI: 10.1002/smtd.202400578)

[1] “8K有機EL TV画面を駆動可能 高電子移動度の酸化物TFT”, EE Times Japan (2024.08.09), [2] “北大ら，安定性の高い酸化物薄膜トランジスタを実現”, オプトロニクスオンライン (2024.08.08), [3] “実用レベルの酸化物薄膜トランジスタを発表――超大型8K有機ELテレビ開発を後押し　北海道大学と高知工科大学”, Fabcross for エンジニア (2024.08.08), [4] “性能が従来比10倍の酸化物薄膜トランジスタ～次世代の超大型有機ELテレビに～”, アドコム・メディア (2024.08.07), [5] “北大、TFTの電子移動度を10倍に向上　8K有機ディスプレー向け”, 日刊工業新聞 電子版 (2024.08.14), [6] “TFTの電子移動度10倍に 北大、8K有機ELディスプレー向け”, 日刊工業新聞 21面 (2024.08.14), [6] “北大、従来⽐10倍の性能を⽰す酸化物薄膜トランジスタを実現”, 半導体Times (2024.08.07), [7] “「薄膜トランジスタ」電子移動度10倍に、北大などが成功した意義”, Yahoo!ニュース (2024.08.18), [8] “「薄膜トランジスタ」電子移動度10倍に、北大などが成功した意義”, 日刊工業新聞 ニュースイッチ (2024.08.18), [9] “8K有機EL TV画面を駆動可能　高電子移動度の酸化物TFT”, EE Times Japan (2024.08.09), [10] “「薄膜トランジスタ」電子移動度10倍に、北大などが成功した意義”, Gooニュース (2024.08.18), [11] “北大と高知工科大が従来比10倍の性能の実用レベルのTFT　次世代超大型8K有機ELテレビ開発を加速”, 電波新聞 (2024.08.23), [12] ”北大など、電子移動度が10倍の酸化物TFT　大型OLEDに”, NIKKEI Tech Foresight (2024.08.28), [13] “Development of oxide thin-film transistors (TFTs) with ten times higher performance than current TFTs — Stability improvement while maintaining high electron mobility”, Science Japan (JST) (2024.10.29), [14] “北海道大学和高知工科大学开发出性能比以往高10倍的氧化物薄膜晶体管，为新一代超大型有机EL电视开辟道路”, 客観日本 (2024.10.03)

プレスリリース　熱トランジスタの高性能化に成功 ～将来の熱制御技術実現に向けて大きな前進～（北海道大学、大阪大学）2024年7月2日

Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Switches with Large Thermal Conductivity Switching Widths”, Adv. Sci. 2401331 (2024). (June 25, 2024) (DOI: 10.1002/advs.202401331)

[1] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, 日刊工業新聞（2024.07.04）, [2] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, ニュースイッチ by 日刊工業新聞 (2024.07.04), [3] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北⼤、廃熱の高⾼度利用⽤提案”, 日刊工業新聞電子版 (2024.07.04), [4] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, Yahooニュース (2024.07.05), [5] “北海道大学ら、熱トランジスタの高性能化に成功”, EE Times Japan (2024.07.05), [6] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, マイナビニュース (2024.07.03), [7] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, gooニュース (2024.07.05), [8] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, BIGLOBEニュース (2024.07.03), [9] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, exciteニュース (2024.07.05), [10] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, マピオン (2024.07.03), [11] “全固体熱トランジスタの制御幅3.5倍…北大、廃熱の高度利用提案”, dmenuニュース(2024.07.05), [12] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発”, Rakuten Infoseek News (2024.07.05), [13] “北大など、高性能な全固体熱トランジスタ　廃熱利用に”, NIKKEI Tech Foresight  (2024.07.17), [14] “熱の伝わりやすさを制御”, 日本経済新聞 (2024.7.30), [15] “熱の伝わりやすさを制御、廃熱利用目指す　北大など”, 日本経済新聞オンライン (2024.07.30), [16] “平和な用途に”, 日刊工業新聞 (2024.07.08)

プレスリリース　実用的な熱電材料の単結晶化に成功～毒性元素を使わない熱電変換の実現に向けて大きく前進～（北海道大学, 名古屋大学）2023年10月20日

Kungwan Kang, Fumiaki Kato, Akitoshi Nakano, Ichiro Terasaki*, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Hyoungjeen Jeen*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Thermoelectric Properties of Freestanding Ba1/3CoO2 Single Crystalline Films”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 5749-5754 (2023). (October 16, 2023) (DOI: 10.1021/acsaelm.3c01129)

[1] “高性能熱電材料「Ba1/3CoO2」の単結晶化に成功――サファイア基板上から単結晶膜を剥離　北海道大学ら”, fabcrossエンジニア, 2023.10.24 [2] “熱電変換材料としての実用化に一歩　北大などの研究Gが実用的な発電材料の単結晶化に成功”, 文教速報デジタル版, 2023.10.25

プレスリリース　熱伝導率を制御するトランジスタ、実用化へ王手～熱の伝わり方を電気スイッチで切り替える技術に向けた大きな前進～（北海道大学）2023年2月22日

Qian Yang, Hai Jun Cho, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen, Jinghuang Lin, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Adv. Funct. Mater. 202214939 (2023). (February 21, 2023) (DOI: 10.1002/adfm.202214939) Open Access

[1]”北大，全固体電気化学熱トランジスタを開発”, Optronics Online [2] “北大、熱伝導率を電気スイッチで切り替え　全固体熱トランジスタ開発”, 日刊工業新聞（電子版） [3] “熱伝導率を制御する全固体電気化学熱トランジスタを作製　北海道大学”, fabcross for エンジニア [4] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, マイナビニュース [5] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Mapionニュース [6] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, ニュースイッチ [7] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, Yahoo!ニュース [8] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, NEWSPICKS [9] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, gooニュース [10] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, dmenuニュース [11] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Science Daily  [12] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Nano Werk [13] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, EurekAlert! [14] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Bioengineer.org [15] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Technewsboy [16] “Scientists Develop Solid-State Electrochemical Thermal Transistor”, NEWS AZI [17] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Today Headline [18] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, NewsBeezer [19] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, VERVE TIMES [20] “Scientists make solid-state thermal transistor”, Compound Semiconductor Magazine [21] “Solid-State Thermal Transistor: The Future of Thermal Management Technology”, AZO MATERIALS [22] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Lab Manager [23] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, RealClear Science [24] “Developed Solid State Electrochemical Thermal Transistor”, Optimum Physics [25] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, One Eye News [26] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, KNOWLEDIA [27] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, AlphaGalileo [28] “Solid-State Electrochemical Thermal Transistor Without Using Liquid”, Semiconductor Engineering [29] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Plato Data Intelligence [30] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, NEWS BREAK [31] “Scientists develop solid-state thermoelectric transistors”, News 7F [32] “Hokkaido University: Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Targeted News Service [33] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Newsbit [34] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Eurasia Review [35] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Tech Xplore [36] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, asiaresearchnews [37] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Mirage News [38] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Techstreet Now [39] “Tranzystor termiczny, jakiego jeszcze nie było. Wykorzystuje się go częściej, niż myślisz”, Chip.pl [40] “Transistor thermique à semi-conducteurs démontré | Alerte Eurek !”, Posts US News [41] “Criado primeiro transstor trmico de estado slido”, Vision Art News [42] “浅析固态热晶体管开启热管理技术新时代”, 电子发烧友 [43] “展示了固态热晶体管”, 0XZX [44] “首個固態電化學熱晶體管問世”, 科技日報  [45] “経営ひと言／北海道大学・太田裕道教授「熱を曲げたい」”, 日刊工業新聞（オンライン） [45] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Rakuten Infoseek News [46] “北海道大学などが全固体電気化学熱トランジスタ、熱伝導率を電気制御”, 日経クロステック

プレスリリース　超高解像度テレビ用材料の高い電子移動度の起源を解明―100 cm2/Vsを超える超高移動度の透明酸化物薄膜トランジスタ実現に向けた大きな前進―（北海道大学）2022年10月11日

Hui Yang*, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, and Hiromichi Ohta*, “Thermopower Modulation Analyses of High-mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 4, 5081-5086 (2022). (September 29, 2022) (DOI: 10.1021/acsaelm.2c01210)

[1] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, マイナビニュース, 2022.10.11 [2] “北大，高性能透明酸化物の高電子移動度の起源解明”, オプトロニクスオンライン, 2022.10.11 [3] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, マピオン, 2022.10.11 [4] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, BIGLOBE, 2022.10.11 [5] “北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明”, NEWS PICKS, 2022.10.11 [6] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Mirage, 2022.10.14 [7] “Clarification of material properties for clearly better displays”, AlphaGalileo, 2022.10.14 [8] “Clarification of material properties for clearly better displays”, nanowerk, 2022.10.14 [9] “Analyzing a new material that promises faster, higher resolution displays”, Phys.org, 2022.10.14 [10] “Clarification of material properties for clearly better displays”, ScienceDaily, 2022.10.14 [11] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Day to news.com, 2022.10.15 [12] “Clarification Of Material Properties For Clearly Better Displays”, VerveTimes, 2022.10.15 [13] “Clarification Of Material Properties For Clearly Better Displays”, SWIFT TELECAST, 2022.10.15 [14] “Analyzing A New Material That Promises Faster, Higher Resolution Displays”, SWIFT TELECAST, 2022.10.15 [15] “Clarification of material properties for clearly better displays”, Asia Research News, 2022.10.15 [16] “Clarification of fabric properties for clearly higher shows”, NM PRO News Magazine, 2022.10.16 [17] “Clarify material properties for better presentations with clarity”, precaliga, 2022.10.15 [18] “Clarification of material properties for dramatically better visualizations”, pandora-uk.org, 2022.10.15 [19] “重磅！ITZO电子迁移率是IGZO的5倍以上”, Wit OLED, 2022.10.15 [20] “New Material Offers Faster and Higher Resolution Displays”, AZO Materials, 2022.10.17

プレスリリース　高温・空気中で安定した性能を示す実用的な熱電変換材料を発見　―再現性良く実用レベルの高性能を示す酸化物熱電材料―（北海道大学）（産総研）2022年7月13日

Xi Zhang#, Yuqiao Zhang#*, Liao Wu, Akihiro Tsuruta, Masashi Mikami, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Ba1/3CoO2: A thermoelectric oxide showing a reliable ZT of ~0.55 at 600℃ in air”, ACS Appl. Mater. Interfaces (2022). (July 12, 2022) (DOI: 10.1021/acsami.2c08555)

[1] 日刊工業新聞 (18面), “酸化物系熱電変換材 600℃で安定動作　北大・産総研” (2022.7.13), [2] “Efficient, Stable, and Eco-Friendly Thermoelectric Material Discovered”, (2022.07.13) Lab Manager, [3] “New Eco-Friendly Thermoelectric Material Can Resist Temperatures of 600 °C”, (2022.07.13) AZO Materials, [4] “Scientists discover reliable, stable, and environmentally beneficial thermoelectric material”, (2022.07.13) ThePrint, [5] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) ScienceDaily, [6] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Bioengineer.org, [7] “Scientists discover reliable, stable, and environmentally beneficial thermoelectric material”, (2022.07.13) ANI, [8] “Researchers Synthesize Barium Cobalt Oxide Thermoelectric Converter, Potential Source of Energy Conservation”, (2022.07.13) The Science Times, [9] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Swift Telecast, [10] “Science News | Scientists Discover Reliable, Stable, and Environmentally Beneficial Thermoelectric Material”, (2022.07.13) Latest LY, [11] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Eurek Alert!, [12] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Scienmag, [13] “Efficient, Stable, And Eco-Friendly Thermoelectric Material Discovered — ScienceDaily”, (2022.07.13) Verve Times, [14] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Yark Story, [15] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered — ScienceDaily”, (2022.07.13) News Leaflets, [16] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Flipboard, [17] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) One News Page, [18] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, The blog 101, [19] “Efficient, stable and environmentally friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Short Saveall, [20] “Efficient, Stable, And Eco-Friendly Thermoelectric Material Discovered”, (2022.07.13) Whatsnew2day, [21] “Environment friendly, secure, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Zipponews, [22] “New material revolutionizes the reuse of heat to generate electricity”, (2022.07.13) Tecno Break, [23] “Environment friendly, steady, and eco-friendly thermoelectric materials found”, (2022.07.13) Orlando News Station, [24] “Researchers Discover A Sustainable Thermoelectric Material”, (2022.07.13) electronics foru.com, [25] “Environment friendly, secure, and eco-friendly thermoelectric materials found”, (2022.07.13) TechSardar, [26] “Efficient, stable and environmentally friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) TrainersAdda, [27] “Environment friendly, secure, and eco-friendly thermoelectric materials found”, (2022.07.13) One Day Deals, [28] “EFFICIENT, STABLE, AND ECO-FRIENDLY THERMOELECTRIC MATERIAL DISCOVERED”, (2022.07.13) ITdigitalSeva, [29] “Efficient, stable and environmentally friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Somjournal, [30] “Efficient, stable and environmentally friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Trendradars, [31] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) MondayDaily, [32] “Efficient, stable, and eco-friendly thermoelectric material discovered”, (2022.07.13) Happy Euro Anime, [33] “Scientists discover reliable, stable, and environmentally beneficial thermoelectric material”, (2022.07.13) NewKerala.com, [34] “Environment friendly, secure, and eco-friendly thermoelectric materials found”, (2022.07.13) Frayd US, [35] “Environment friendly, secure, and eco-friendly thermoelectric materials discovered”, (2022.07.13) The movies, [36] 日本経済新聞 電子版, “熱を電気に変換する新材料、高温でも安定動作　北大など”(2022.07.22)

プレスリリース　電気スイッチ一つで絶縁体を高温超伝導体に―電解液を使わない全固体超伝導素子の開発に大きな前進―（北海道大学）2021年11月19日

Xi Zhang*, Gowoon Kim, Qian Yang, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi Ohta*, “Solid-State Electrochemical Switch of Superconductor-Metal-Insulators”, ACS Appl. Mater. Interfaces 13, 54204-54209 (2021). (November 4, 2021) (DOI: 10.1021/acsami.1c17014)

[1] fabcross for エンジニア, “電気スイッチ一つで絶縁体を高超伝導体に繰り返し切り替え――全固体素子で液漏れの心配なし　北海道大” (2021.11.22), [2] マイナビニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [3] エキサイトニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [4] Mapionニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [5] dmenuニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [6] ニュースコレクト, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [7] ニコニコニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [8] じもにゅー北海道, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [9] 楽天Infoseek News, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [10] 気になる車・バイクニュース, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [11] NEWS PICKS, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22), [12] しげろうたろうのブログ, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.23), [13] グノシー, “北大、電気スイッチ1つで絶縁体と超伝導体の繰り返し切り替えに成功” (2021.11.22)

プレスリリース　常識を覆す！多結晶よりも熱が伝わりにくい単結晶を発見—低熱伝導材料を設計するための指針—（北海道大学）2021年2月16日

Hai Jun Cho*, Yuzhang Wu, Yuqiao Zhang, Bin Feng, Masashi Mikami, Woosuck Shin, Yuichi Ikuhara, Yu-Miin Sheu, Keiji Saito, and Hiromichi Ohta*, “Anomalously Low Heat Conduction in Single-Crystal Superlattice Ceramics Lower than Randomly Oriented Polycrystals”, Adv. Mater. Interfaces 2001932 (2021). (February 15, 2021) (DOI: 10.1002/admi.202001932)

[1] OPTRONICS ONLINE, “北大ら，多結晶より熱が伝わりにくい単結晶を発見” (2021.2.16)

プレスリリース　過去最高の室温熱電変換性能指数を示す酸化物を実現—安定で実用的な熱電変換材料の実現に大きな期待—（北海道大学）2020年11月2日

Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides (Hokkaido Univ.) December 23, 2020

Yugo Takashima, Yu-qiao Zhang*, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Layered cobalt oxide epitaxial films exhibiting thermoelectric ZT = 0.11 at room temperature”, J. Mater. Chem. A 9, 274 – 280 (2021). (October 13, 2020) (DOI: 10.1039/D0TA07565E)

[1] fabcross for エンジニア, “過去最高の熱電変換性能指数を示す層状コバルト酸化物を実現――安定で実用的な熱電変換材料として期待　北海道大学” (2020.11.04), [2] マイナビニュース, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [3] ニコニコニュース, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [4] グノシー, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [5] 日本の研究.comニュース, “【注目プレスリリース】金属酸化物における過去最高の室温熱電変換性能指数―安定で実用的な熱電変換材料の実現に大きな期待― / 北海道大学” (2020.11.04), [6] Mapionニュース, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [7] 楽天Infoseek News, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [8] NEWS Collect, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [9] gooニュース, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04), [10] BOGLOBEニュース, “北大、室温において過去最高クラスの熱電変換性能を持つ物質を実現” (2020.11.04),  [11] Phys.org, “Researchers develop layered cobalt oxide with a record-setting thermoelectric figure of merit” (2020.12.23), [12] EurekAlert!, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.22), [13] AZO Materials, “New Layered Cobalt Oxide Exhibits Highest-Ever Thermoelectric Figure of Merit” (2020.12.23), [14] FLORIDA NEWS TIMES, “Researchers are developing layered cobalt oxide with a record thermoelectric figure of merit” (2020.12.24), [15] Newsbeezer.com, “The researchers are developing layered cobalt oxide with a record-breaking thermoelectric figure of merit” (2020.12.24), [16] Asia Research News, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.24), [17] fooshya.com, “Researchers develop layered cobalt oxide with a record-setting thermoelectric determine of advantage” (2020.12.23), [18] BrightSurf Science News, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.22), [19] Science Magazine, “Record-Setting Thermoelectric Figure Of Merit Achieved For Metal Oxides” (2020.12.23), [20] The Human Exposome Project, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.22), [21] ZENITH NEWS, “Researchers develop layered cobalt oxide with a record-setting thermoelectric figure of merit” (2020.12.23), [22] X-MOL, “Layered cobalt oxide epitaxial films exhibiting thermoelectric ZT = 0.11 at room temperature” (2020.10.13), [23] TIMES NEWS EXPRESS, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.22), [24] iEmpresarial, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.26), [25] Nanotechnology Now, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.29), [26] Health Medicine Network, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides”, [27] Bioengineer.org, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.23), [28] Nanowerk, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.23), [29] Science Codex, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.22), [30] MIRAGE, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.23), [31] AlphaGalileo, “Record-setting thermoelectric figure of merit achieved for metal oxides” (2020.12.23)

プレスリリース　深紫外線を透過する透明なトランジスタを実現　～全く新しいバイオセンサー～ （北海道大学）2020年6月16日

Mian Wei#, Lizhikun Gong#, Dou-dou Liang#, Hai Jun Cho*, and Hiromichi Ohta*, “Fabrication and Operating Mechanism of Deep-UV Transparent Semiconducting SrSnO3-based Thin Film Transistor”, Adv. Electron. Mater. 6, 2000100 (2020). (June 15, 2020) (DOI: 10.1002/aelm.202000100) (# Equally contributed to this work)

[1] OPTRONICS ONLINE, “北大，DUVを透過する透明トランジスタを実現” (2020.6.16), [2] fabcross for エンジニア, “深紫外線を透過する透明な薄膜トランジスタを作製――殺菌灯照射下でも動作可能な新バイオセンサーへの応用に期待　北海道大学” (2020.6.17), [3] e.x.press, “深紫外線線を透過する透明なトランジスタを実現” (2020.6.24)

プレスリリース プレスリリース 温度差で発電する柔らかい電池の開発へ前進！～IoT社会を支えるウェアラブルな電源～（名古屋大学、北海道大学、科学技術振興機構）2020年2月15日

Hisaaki Tanaka,* Kaito Kanahashi, Naoya Takekoshi, Hiroaki Mada, Hiroshi Ito,* Yukihiro Shimoi, Hiromichi Ohta, Taishi Takenobu*, “Thermoelectric properties of a semicrystalline polymer doped beyond the insulator-to-metal transition by electrolyte gating”, Science Adv. 6, eaay8065 (2020). (February 15th, 2020) (DOI: 10.1126/sciadv.aay8065)

[1] Yahoo!ニュース, “導電性高分子、半導体と金属の境で熱電変換性能が最大に フレキシブルなIoT電源に道” (2020.2.18), [2] OPTRONICS ONLINE, “名大ら，導電性高分子における熱電変換機構を解明” (2020.2.17), [3] 日本経済新聞（プレスリリース）, “名大と北大、電気を流すプラスチックで熱電変換性能の上限を決めるメカニズムの解明に成功” (2020.2.17), [4] fabcrossエンジニア, “導電性高分子の熱電変換性能を決定するメカニズムを解明――フレキシブルな電池の開発へ前進　名大ら” (2020.2.18), [5] マイナビニュース, “導電性高分子、半導体と金属の境で熱電変換性能が最大に フレキシブルなIoT電源に道” (2020.2.18), [6] ITmedia, “温度差で発電する“やわらかい電池”の実現へ前進、性能上限の仕組みを解明” (2020.2.19), [7] TechEyesOnline, “温度差で発電する“やわらかい電池”の実現へ前進、性能上限の仕組みを解明” (2020.2.19), [8] JPubb, “温度差で発電する柔らかい電池の開発へ前進～ＩｏＴ社会を支えるウェアラブルな電源～” (2020.2.19), [9] 財経新聞, “温度差で発電するウェアラブルな電池　名大などが高性能化の条件を導出” (2020.2.21), [10] BIGLOBEニュース, “温度差で発電するウェアラブルな電池　名大などが高性能化の条件を導出” (2020.2.21), [11] 電波新聞, “名大と北大、産総研導電性高分子の熱電変換性能上限を決めるメカニズム解明” (2020.2.21)

プレスリリース 情報記憶素子の仕組みをのぞきみた！～次世代情報記憶素子の開発を加速～ （北海道大学、釜山大学校） 2019年11月8日

Qian Yang, Hai Jun Cho, Hyoungjeen Jeen*, and Hiromichi Ohta*, “Macroscopic Visualization of Fast Electrochemical Reaction of SrCoOx Oxygen Sponge”, Advanced Materials Interfaces 1901260 (2019). (DOI: 10.1002/admi.201901260) (October 23, 2019)

[1] OPTRONICS ONLINE, “北大ら, 電気化学酸化反応を可視化”, 2019年11月11日, [2] Fabcross for エンジニア, “熱電特性と導電性原子間力顕微鏡観察を組み合わせた新可視化手法を開発――次世代情報記憶素子の開発を加速　北海道大学ら”, 2019年11月11日, [3] EE Times Japan, “北海道大学と釜山大学校：情報記憶素子用材料の電気化学酸化反応を可視化 – 熱電特性の計測と導電性原子間力顕微鏡観察を組み合わせ -“, 2019年11月12日

プレスリリース 電子をギュッと閉じ込めて熱電材料の性能を倍増 ～熱電材料を高性能化する理論を実証～ （北海道大学、東京大学、京都大学、台湾・国立交通大学） 2018年6月20日

Y. Zhang, B. Feng, H. Hayashi, C-P. Chang, Y-M. Sheu, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and H. Ohta*, “Double thermoelectric power factor of a 2D electron system”, Nature Communications 9, 2224 (2018).

[1] 日刊工業新聞，「電子閉じ込めで熱電変換向上 北大」, 2018年6月21日 27面, [2] OPTRONICS ONLINE, “北大、熱電変換材料の性能を2倍にできることを実証”, 2018年6月21日, [3] Fabcross for エンジニア, “熱電材料の性能を従来比2倍に増強―北大、電子を狭い空間に閉じ込め熱電材料を高性能化する理論を実証”, 2018年6月22日, [4] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, I Connect 007, June 20, 2018, [5] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, Chem Europe.com, June 21, 2018, [6] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, Tech Explorist, June 20, 2018, [7] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, Photonics Online, June 20, 2018, [8] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, Spinoff.com, June 20, 2018, [9] “Electron Sandwich Doubles Thermoelectric Performance”, Phys.org, June 20, 2018, [10] “Artificial Superlattice Yields Higher Voltage and Improves Thermoelectric Conversion Rate”, AZO Materials, June 21, 2018, [11] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, EurekAlert!, June 20, 2018, [12] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, Science Daily, June 20, 2018, [13] “交通大學與北海道大學跨校合作 研發電子三明治使熱電性能倍增”, National Chiao Tung University, June 20, 2018, [14] “Electron sandwich doubles the thermoelectric performance!”, Device & Materials Engineering, Nature Research, June 20, 2018, [15] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, Science & Technology Research News, June 20, 2018, [16] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, Revolution Green, June 21, 2018, [17] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance, BrightSurf.com, June 20, 2018, [18] “Electron sandwich doubles thermoelectric efficiency (News)”, PressCute.com, June 20, 2018, [19] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, Green Car Congress, June 25, 2018, [20] “Electron sandwich doubles thermoelectric performance”, Innovations Report, June 20, 2018, [21] “Artificial Superlattice Yields Higher Voltage and Improves Thermoelectric Conversion Rate”, Converter News, June 21, 2018, [22] “Tech: Electron sandwich doubles thermoelectric performance — (Report)”, TuniseSoir News, June 20, 2018

プレスリリース 青色LED材料を活かして、熱を電気に変換 ～高性能な熱電材料のための新しい材料設計指針～ （北海道大学、韓国・成均館大学校、産総研） 2017年11月27日 （説明用PPT）

H. Ohta*, S.W. Kim, S. Kaneki, A. Yamamoto, and T. Hashizume*, “High thermoelectric power factor of high-mobility two-dimensional electron gas”, Advanced Science 4, 1700696 (2017).

[1] “北海道大学ほか 高効率な熱電変換材料 窒化ガリ由来で発見”, 日刊産業新聞 朝刊 12面, 2017年11月21日 [2] “Method for recycling waste energy with 2D electron gas developed”, Electronics 360, November 20, 2017 [3] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Science Daily, November 20, 2017 [4] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Technology Breaking News, November 20, 2017 [5] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, EurekAlert!, November 20, 2017 [6]  “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Phys.org, November 20, 2017 [7] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Science Newsline, November 20, 2017 [8] “Reusing waste energy with 2D electron gas”, Humanitarian News, November 20, 2017 [9] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Physics News, November 20, 2017 [10] “Reusing waste energy with 2D electron gas”, EnviromentGuru, November 20, 2017 [11] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, The Expanding Universe, November 20, 2017 [12] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, 15 Minute News, November 20, 2017 [13] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Parallel State, November 20, 2017 [14] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, My News, November 20, 2017 [15] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, HiTechDays, November 20, 2017 [16] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, News Locker, November 20, 2017 [17] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, telezkope, November 20, 2017 [18] “Reusing waste energy with 2-D electron gas”, Energy Daily, November 23, 2017 [19] “青色LEDの材料を活かして、熱を電気に高効率に変換！：北海道大学/産業技術総合研究所ほか”, つくばサイエンスニュース, 2017年11月24日 [20] “青色LED材料を活かして、熱を電気に変換”, J-Net 21, 2017年11月27日 [21] “北大と産総研など、半導体二次元電子ガスが熱電変換材料に比べ2～6倍も大きな熱電変換出力因子を示すことを発見”、日本経済新聞（プレスリリース）、2017年11月27日 [22] “産総研, GaNを用いた高効率熱電変換に成功”, OPTRONICS ONLINE, 2017年11月27日 [23] “北大と産総研など、半導体二次元電子ガスが大きな熱電変換出力因子を示すことを発見”, fabcross for エンジニア, 2017年11月28日 [24] “青色LED材料を活かして熱電材料を高性能化、北大など（森元美稀）”, 日経テクノロジーonline, 2017年11月29日 [25] “青色LED材料を活かして、熱を電気に変換”, “科学技術書・理工学書”読書室－SBR－（科学技術研究者 勝 未来), 2017年11月29日 [26] “北大ら、性能を高める熱電材料の設計指針を示す（馬本隆綱, EE Times Japan）”, EE Times Japan, 2017年11月29日 [27] “北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍（早川厚志 ） “, マイナビニュース, 2017年12月1日 [28] “北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍”, exciteニュース, 2017年12月1日 [29] “青色LED材料を活かして熱電材料を高性能化、北大など”, エネ速, 2017年11月29日 [30]”北大、青色LED材料を活かして熱を電気に変換- 最先端熱電変換材料の2〜6倍”, gooニュース, 2017年12月1日 [31] “北大など 青色ＬＥＤ材料で熱を電気に効率変換”, 日本経済新聞（電子版）, 2017年12月3日

取材対応（2017年6月23日）

日経産業新聞 「解剖先端拠点」で, 「北大電子科学研究所 異分野融合、独創性光る」の記事の中で, 当研究室で行っている研究内容についても紹介された, 2017年7月11日

プレスリリース 窓ガラスがメモリーになる？ －新しい情報表示・記憶装置の開発に成功－（北海道大学） 2016年5月16日（説明用PPT）

T. Katase, T. Onozato, M. Hirono, T. Mizuno, and H. Ohta, “A transparent electrochromic metal-insulator switching device with three-terminal transistor geometry”, Scientific Reports 6,  25819 (2016).

[1]”窓ガラスがメモリーに？ 新しい情報表示・記憶装置開発”、科学新聞（2016年5月27日） [2]”北大、新しい記憶装置を開発－窓ガラスに文字や絵の表示・記憶が可能に”、日刊工業新聞（2016年6月1日） [3] “北大，エレクトロクロミック表示・記憶装置を開発”、月刊OPTRONICS online（2016年5月24日） [4]”窓ガラスがメモリーに？北海道大学、記憶装置を開発”、大学ジャーナルオンライン（2016年5月21日）

プレスリリース 絶縁体を電気が流れる磁石に ―情報記憶容量の大幅向上に新たな道―（北海道大学） 2016年3月30日 （説明用PPT）

T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device with leakage-free electrolyte”, Advanced Electronic Materials 2, 1600044 (2016).

[1]  “Double memory storage with magnetic and electric signals”, COSMOS Magazine, 12 July, 2016 [2] “磁電雙穩態材料倍增儲存容量”, EET Taiwan, 12 July, 2016 [3] “New Device Could Double USB Storage Capacity”, Electronics 360, 11 July, 2016 [4] “Hitting The Magnetic Switches”, Tom’s Hardware, July 9, 2016 [5] “The switch that could double USB memory”, Space Daily, 6 July 2016 [6] “The switch that could double USB memory”, RtoZ.org, July 3, 2016 Youtube [7] “The Switch That Could Double USB Memory”, Technobahn, 2 July, 2016 [8] “The Switch That Could Double USB Memory”, Science Newsline Technology, 2 July, 2016 [9] “A New Method to Double USB Memory”, Iscanews, July 2, 2016 [10] “The switch that could double USB memory”, News Dog, July 2, 2016 [11] “Switching States To Deliver Double USB Memory”, Crazy Engineers, July 2, 2016 [12] “The switch that could double USB memory”, new electronics, 1 July, 2016 [13] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, truemag, 28 June, 2016 [14] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”, gizmag, June 28, 2016 [15] “The switch that could double USB memory”, Science Daily, June 24, 2016 [16] “The switch that could double USB memory”, Phys.org, 24 June, 2016 [17] 「記憶媒体 容量2倍に 北大教授ら開発 スマホに応用可」、読売新聞（2016年4月16日 朝刊 26面 北海道版）PDF [18] 「絶縁体の酸化物 電気流れる磁石に 北大電子研が成果」、科学新聞（2016年4月8日 6面）[19] 「北大、レーザー堆積法で電気／磁気メモリーを開発」、月刊OPTRONICS online（2016年3月31日） [20] 「電気・磁化の両方で記憶 北大・新メモリーを開発」、化学工業日報（2016年3月30日）[21] 「北大が新しい記憶装置を開発」、北海道放送HBCニュース（2016年3月30日）PDF

プレスリリース オンデマンド赤外線＆電流制御デバイスを実現（北海道大学、東京大学） 2015年6月26日

T. Katase, K. Endo, T. Tohei, Y. Ikuhara, and H. Ohta, “Room-temperature-protonation-driven on-demand metal-insulator conversion of a transition metal oxide”, Advanced Electronic Materials 1, 1500063 (2015).

[1] 「北大，赤外線のみをスイッチングする薄膜を開発」、月刊OPTRONICS online（2015年6月30日）

プレスリリース 試料１個で熱電材料の性能を最適化することに成功－高性能な熱電材料探索を加速－（科学技術振興機構、名古屋大学） 2012年12月28日

H. Ohta, T. Mizuno, S. Zheng, T. Kato, Y. Ikuhara, K. Abe, H. Kumomi, K. Nomura, and H. Hosono, “Unusually large enhancement of thermopower in an electric field induced two-dimensional electron gas”, Advanced Materials 24, 740-744 (2012).

[1] 「熱電材料 名大などが新評価法 電界効果トランジスタ活用」、日刊工業新聞（2012年 1月 9日） [2] 「温度差使う熱電効果 名大、起電力を５倍に 薄膜トランジスタ型で」、日経産業新聞（2012年 1月 5日） [3] 「名古屋大大学院 熱電材料の性能１試料で最適化 電界効果利用 新評価手法を開発」、電波新聞（2012年 1月 4日） [4] 「JST・名大、排熱を電気エネルギーに変換する熱電材料の評価手法を開発」、環境ビジネス（2011年12月29日） [5] 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、Yahoo! ニュース（2011年12月28日） [6] 「名大など、電界効果を利用した熱電材料の性能最適化手法を開発」、マイナビニュース（2011年12月28日）

プレスリリース 水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作ることに成功－希少・毒性金属を含まない安価・簡便な熱電材料創製に新たな道－（科学技術振興機構、名古屋大学、東京大学、東京工業大学） 2010年11月17日

H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara and H. Hosono, “Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal”, Nature Communications 1, 118 (2010).

[1] 「工場や車の廃熱→電気に変換材料低コスト製造－名大など、水を使う技術開発」、中日新聞（2010年11月17日） [2] 「絶縁体から高熱電性能－名大、金属シート作製」、日刊工業新聞（2010年11月17日） [3] 「熱を電気に。新材料」、NHKおはよう日本（2010年11月17日） [4] 「熱を電気に変換する金属材料を開発」、NHKおはよう東海（2010年11月17日） [5] 「名大など、水の電気分解利用し絶縁体から熱電材料を作製–JST課題解決型基礎研究の一環として実施」、Tech-On !（2010年11月17日） [6] 「JSTと名古屋大学 新熱電材料実用化へ 希少金属使わずに特性発現」、鉄鋼新聞（2010年11月24日） [7] 「簡単・安価に熱電材料 水を利用し絶縁体から作製 名大・太田准教授ら」、科学新聞（2010年12月3日） [8] 「水の電気分解を利用して大きな熱電効果を示す材料を作ることに成功! 希少・毒性金属を含まない、安価・簡便な熱電材料の創製へ」、JSTニュース 2011年1月号 [9] 「水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作製」、名大トピックス （印刷中）[10]「絶縁体からの高熱電性能 名大、金属シート作製」、セラミックス 2011年4月号（トピックス欄）

プレスリリース 酸化物半導体の謎”伝導電子が伝導しない？”機構を解明-金属の原子軌道と酸素の原子軌道の結合が、そのメカニズムだった-（理化学研究所、高輝度光科学研究センター、名古屋大学） 2008年1月31日

Y. Ishida, R. Eguchi, M. Matsunami, K. Horiba, M. Taguchi, A. Chainani, Y. Senba, H. Ohashi, H. Ohta, and S. Shin, “Coherent and Incoherent States of Electron-doped SrTiO3”, Physical Review Letters 100, 056401 (2008).

[1]「チタン酸ストロンチウム 伝導しない電子 仕組み解明 理研がSpring-8で」、日刊工業新聞（2008年2月5日） [2]「伝導／非伝導の２面性・・・ 酸化物半導体のナゾ解明 理研 共鳴光電子分光法で」、化学工業日報（2008年2月4日）[3]「酸化物半導体 伝導制御 仕組み解明 理研、新材料開発に」、日経産業新聞（2008年2月9日）

プレスリリース 熱電材料として有望なCa0.33CoO2（カルシウムコバタイト）中のCa原子およびCa空孔の直接観察 （ＪＦＣＣ）2009年1月22日

R. Huang, T. Mizoguchi, K. Sugiura, H. Ohta, K. Koumoto, T. Hirayama and Y. Ikuhara, “Direct observations of Ca ordering in Ca0.33CoO2thin films with different superstructures”, Applied Physics Letters 93, 181907 (2008).

[1] 「熱電材料の結晶構造解明」、日経産業新聞（2009年2月4日）

・・・・・（東京大学、名古屋大学、科学技術振興機構、東京工業大学）

Y. Ishida, H. Ohta, A. Fujimori, and H. Hosono, “Temperature dependence of the chemical potential in NaxCoO2: Implications for the large thermoelectric power”, Journal of the Physical Society of Japan 76, 103709 (2007).

[1] 「発電の仕組み 熱電材料で解明 東大など 設計・開発に一役」、日経産業新聞（2007年11月2日）

プレスリリース ありふれた酸化物から巨大な熱起電力を発現する材料の開発に成功―熱電変換材料の実用化に大きな前進―（科学技術振興機構、名古屋大学、東京大学、東京工業大学）2007年1月22日

H. Ohta, S-W. Kim, Y. Mune, T. Mizoguchi, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, Y. Nakanishi, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, “Giant Thermoelectric Seebeck coefficient of a Two-dimensional Electron Gas in SrTiO3”, Nature Materials 6, 129–134 (2007).

[1] 「人工ダイヤの原料＋熱＝発電、名大などのグループ発見」、朝日新聞（2007年1月22日） [2] 「普及材料から熱電変換素子、発電性能２倍、名大など研究チーム開発」、読売新聞（2007年1月22日） [3] 「排ガスの熱から発電」に道、高効率の熱電変換材料、名大、東工大グループ開発」、毎日新聞（2007年1月22日） [4] 「身近な物質から熱電変換材料」、日本経済新聞（2007年1月22日）[5] 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物から作成」、日経産業新聞（2007年1月22日）[6] 「高効率の熱電変換材料、名大など、酸化物結晶で開発」、日刊工業新聞（2007年1月22日） [7] 「「熱電変換」で新材料を開発 高効率、無害化を実現 可能性幅広く 体温で携帯充電も 名古屋大研究チーム」、電気新聞（2007年1月23日） [8] 「高効率熱電変換材を開発 チタン酸ストロンチウム使用 １度Ｃ差で８００マイクロボルト 名大－東工大―東大」、化学工業日報（2007年1月22日） [9] 「人工宝石の原料に熱を加えて発電！」、月刊化学2007年3月号化学掲示板 [10] 「安価なSrTiO3で従来材を上回る熱電変換効率を実現」、日経マイクロデバイス2007年3月号 [11] 「温度差発電の性能を大幅に向上させる新材料」、企業実務2007年4月号 [12] 「世界初、人と地球にやさしい材料で熱電変換材料を開発」、学士会報U7 2007年3月号 [13] 「ベールを脱いだ最強の熱電材料、SrTiO3ナノ結晶」、週刊ナノテク2007年4月2日号 [14] 「“熱を電気に変える”－廃エネルギーの再資源化で注目されている熱電変換材料。ありふれた酸化物である「チタン酸ストロンチウム」を使って高い効率を示す熱電変換材料の開発に成功」、JSTニュース2007年5月号 [15] 「ありふれた酸化物を使った高効率熱電変換材料の開発に成功」、科研費NEWS 2007年Vol. 1（創刊号） [16] 「身近な物質で電気を作ろう ナノテク人工宝石で熱電発電」、コスモ石油TERRE 11号 2007 SUMMER WIND [17] 「Oxide put waste heat to work」, Materials Today (Research News) 10, 15 (2007).  [18] 「廃エネルギーの再資源化へ向け実用化に大きく前進する熱電変換材料」、OHM 2007年9月号 [19] 日経BP net ECOマネジメント「熱を電気に変える高効率材料の発見」2007年10月4日（前編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/03/, 後編 http://premium.nikkeibp.co.jp/em/ecolabo/04/index.shtml） [20] 「脱・重金属!! ありふれた金属酸化物で廃熱を電気に変える」、化学2007年12月号 [21] 「熱で発電する宝石」、学研 大人の科学マガジン Vol. 18 [22] 「人工宝石の熱電発電」、青森テレビ 正直先生のエネルギー講座 2008年2月10日放送 [23] 「温度差で発電、材料は人工ダイヤ」、JAF Mate 2007年4月号 [24] NHKワールド（ラジオ）17ヵ国の言語（アラビア語、ベンガル語、ビルマ語、中国語、英語、フランス語、ヒンディー語、インドネシア語、ハングル、ペルシャ語、ポルトガル語、ロシア語、スペイン語、スワヒリ語、タイ語、ウルドゥー語、ベトナム語）で紹介 2008年5月12日放送 [25] 高橋タクミ、”CO2や廃熱から新資源を実現に向けて進む技術研究”、「ナノちゃんのまんがサイエンスルーム」、朝日小学生新聞（2009年2月4日）

プレスリリース 透明で曲げられる高性能トランジスタを実現－ フレキシブルなディスプレイへのブレークスルー ―（科学技術振興機構、東工大）2004年11月22日

K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T, Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors”, Nature 432, 488–492 (2004).

[1] 「透明で曲がるトランジスタ 東工大チームが開発」、朝日新聞（2004年11月25日） [2] 「ペットボトル素材に透明トランジスター 東工大チーム開発」、読売新聞（2004年11月25日） [3] 「曲げられるディスプレー材料 プラスチックを基板に」、毎日新聞（2004年11月25日） [4]「透明で曲がるトランジスタ 科技機構と東工大 ディスプレーに応用」、日本経済新聞（2004年11月25日）

プレスリリース 高性能透明トランジスターを実現―透明酸化物半導体：InGaO3(ZnO)5膜を用いて―（科学技術振興事業団、東京工業大学） 2003年5月22日

K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor”, Science 300, 1269–1272 (2003).

[1] 「酸化物半導体を使って透明で高速なトランジスタを開発 科学技術振興事業団プロジェクト」、東京新聞（熱気球欄） （2003年5月23日）

記事投げ込み（科学技術振興事業団）

H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, and H. Hosono, “Current injection emission from a transparent p-n junction composed of p-SrCu2O2/n-ZnO”, Applied Physics Letters 77, 475–477 (2000).

[1]「紫外線の発光ダイオード－セラミックスを使用－」、日本経済新聞（2000年3月27日）

取材対応（科学技術振興事業団）

H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, and H. Hosono, “Highly electrically conductive indium-tin-oxide thin films epitaxially grown on yttria-stabilized zirconia (100) by pulsed-laser deposition”, Applid Physics Letters 76, 2740–2742 (2000).

[1]「超低抵抗性、超平たん性 ITO膜で両立 科技振興事業団・細野プロ」、日刊工業新聞（2000年10月24日）

研究費獲得実績 (18)

18. 日本学術振興会　令和5(2023)年度二国間交流事業共同研究・セミナー（NRF韓国）　JPJSBP220238801　第4回 機能材料科学ワークショップ　2023年6月18日－21日, 釜山, 韓国

17. 科学研究費補助金　基盤研究（A)　22H00253 全固体熱トランジスタの創製（研究代表者）　2022年4月1日～2026年3月31日

16. 第35回（平成31年度）公益財団法人 村田学術振興財団 研究会(学会)助成（The 3rd Workshop on Functional Materials Science, 2019.12.18-20）

15. 科学研究費補助金　新学術領域研究（研究領域提案型）領域番号6103 「機能コアの材料科学」（領域代表者：松永克志 教授・名古屋大学）19H05791 界面制御による高機能薄膜材料創製（研究代表者）　2019年度～2023年度（実績報告書）

14. 平成30年度 日本学術振興会 二国間交流事業（韓国との共同研究）「エネルギー応用に向けた層状遷移金属酸化物の機能化」2018年4月～2020年3月

13. 三菱財団 平成29年度 自然科学部門 助成金「色・導電率を切替え可能な三端子型WO3薄膜トランジスタの低電圧・高速動作に向けた材料改質」 2017年10月～2018年9月

12. 科学研究費補助金　基盤研究（A)　17H01314 熱電材料の高ZT化に向けたナノ周期平行平板構造の熱伝導率解明（研究代表者）　2017年4月1日～2021年3月31日（実績報告書）

11. 旭硝子財団 2017年度 ステップアップ助成「半導体界面に蓄積された二次元電子ガスの熱電能電界変調」 2017年度～2019年度

10. 旭硝子財団 平成26年度研究助成金「超微細熱電材料用汎用熱電能計測装置の開発」平成26年度～平成27年度（成果報告書）

9. 科学研究費補助金　新学術領域研究（研究領域提案型）領域番号2505 「ナノ構造情報のフロンティア開拓－材料科学の新展開」（領域代表者：田中 功 教授・京都大学）25106007 原子層制御による新しい材料機能探索（研究代表者）　平成25年度～平成29年度（実績報告書）（領域全体の成果報告）

8. 科学研究費補助金　基盤研究（B)　26287064 光ドープされた伝導体の電子輸送特性（研究代表者：寺崎一郎・名古屋大学・教授）　平成26年4月1日～平成30年3月31日（研究分担者）

7. 科学研究費補助金　基盤研究（A)　25246023 酸化物半導体一次元電子ガスの電界誘起と超巨大熱電能変調（研究代表者）　平成25年4月1日～平成29年3月31日（実績報告書）

6. 科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）22360271 酸化物薄膜トランジスタにおける巨大熱電能の電界変調と赤外線センサー応用（研究代表者）　平成22年4月1日～平成25年3月31日　（実績報告書）

5. 科学研究費補助金　特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」　公募研究　22015009 電界誘起二次元電子層の可視化（研究代表者）　平成22年4月1日～平成24年3月31日（実績報告書）

4. 科学技術振興機構　戦略的創造研究推進事業　さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」 電界誘起二次元伝導層の熱起電力と制御（研究代表者）　平成20年10月1日～平成24年3月31日　（事後評価）

3. 科学研究費補助金　特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」　公募研究　20047007 誘電体ヘテロ界面に蓄積された二次元電子ガスの電子状態と量子サイズ効果の起源（研究代表者）　平成20年4月1日～平成22年3月31日（実績報告書）

2. 科学研究費補助金 若手研究（Ａ） 18686054 二次元電子ガスを有する酸化物超格子の作製と熱電変換物性　（研究代表者）　平成18年4月1日～平成21年3月31日　（実績報告書）

1. NEDO産業技術研究助成事業費助成金（ID 05A23509d） 局在化した二次元電子ガスを有する誘電体人工超格子の作製と熱電変換材料への応用（研究代表者）　平成18年1月1日～平成20年12月31日（成果報告書）
 

受　賞 (8)

  1. 第76回（2021年度）日本セラミックス協会　学術賞　受賞題目 “電子伝導性酸化物の薄膜化と熱電特性に関する研究”
  2. 平成26年度北海道大学研究総長賞-優秀賞
  3. 第１回新化学技術研究奨励賞, 太田裕道, “大きな熱電効果を示す極薄酸化物半導体の開発”
  4. 第32回（2010年度）応用物理学会優秀論文賞 K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, K. Koumoto, “Thermal Stability of Giant Thermoelectric Seebeck Coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 Superlattices at 900 K”, Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008)
  5. 第1回（2007年）日本熱電学会欧文論文賞, P. Zhu, T. Takeuchi, H. Ohta, W-S. Seo and K. Koumoto, Preparation and Thermoelectric Properties of NaxCoO2/Co3O4 Layered Nano-Composite, Mater. Trans. Vol.46, No.7, pp.1453-1455 (2005).
  6. 第59回（平成16年度）日本セラミックス協会　進歩賞　受賞題目 “透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発”
  7. Best Oral Paper Award, 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-3), Hiromichi Ohta, Masao Kamiya, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO”, 10-11 April 2003
  8. 第8回（2000年春季）応用物理学会講演奨励賞, 太田裕道, “p-SrCu2O2/n-ZnOワイドバンドギャップp-n接合ダイオードの試作とEL発光”, （科技団1，分子研2，東工大3）折田政寛1），河村賢一1），猿倉信彦1）2），平野正浩1），細野秀雄1）3）

担当講義

電子材料学特論（北海道大学 大学院情報科学院）（2024, 2023, 2022, 2021, 2020, 2019）

電子デバイス工学（北海道大学 工学部 2年生）（2024, 2023, 2022, 2021, 2020, 2019, 2018, 2017, 2016, 2015）

電気電子工学実験I（北海道大学 工学部 3年生）（2024, 2023, 2022, 2021, 2020, 2019, 2018, 2017, 2016）

光電子物性学特論（北海道大学 大学院情報科学研究科）（2019, 2018, 2017, 2016, 2015）

化学Ⅰ（北海道大学 全学教育科目）（2024, 2021, 2017, 2014）

ナノマテリアル特論（北海道大学 大学院情報科学研究科）（2015, 2014）

バイオマテリアル特論（北海道大学 大学院情報科学研究科）（2013）

応用物性工学（北海道大学 工学部 3年生）（2014, 2013, 2012）

無機化学序論（名古屋大学 全学教育科目）（2011, 2010, 2009, 2008, 2007）

無機合成化学（名古屋大学 工学部応用化学科）（2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005）

分析化学実験（名古屋大学 工学部応用化学科）（2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004）

無機・物理化学演習（名古屋大学 工学部応用化学科）（2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005）

無機・物理化学実験（名古屋大学 工学部応用化学科）（2011, 2006, 2005, 2004）

化学実験（名古屋大学 全学教育科目）（2006, 2005）

実験安全学（名古屋大学 工学部応用化学科）（2005）

電気化学（名古屋大学 工学部応用化学科）（2003）

自己紹介

小学生だった頃はとにかく昆虫が大好きで、家の中は見渡す限り飼育ケースが並んでいて、中にはいろんな昆虫がいました。トンボ、蝶、セミなどの幼虫を捕まえてきては、羽化する様子を記録したりすることが日課でした。
高校のときに「化学」がとても好きになって、化学を専門に勉強できる大学に入学しました。大学４年生になると「研究室」に配属されますが、その時はセラミックを専門に勉強できるところに入りました。子供のころに読んでいた漫画「よろしくメカドック」でセラミックを使うと夢のようなエンジンができると書いてあったのがきっかけです。
大学・大学院でセラミックを研究して面白くなったので、就職してからは自動車に関係するセラミックの研究をしようと思い、某自動車メーカーの就職試験を受けたのですが残念ながら不採用でした。困って大学研究室の技官さんに相談したところ三洋電機を勧められ、三洋電機の就職試験を受けて入社しました（1996年）。このときの仕事は、今では当たり前のように使われているリチウムイオン電池の研究開発で、その中でもセラミックに深く関わる仕事をしていましたが、どちらかというと開発に近い業務でした。
もっと研究がしたいと思い始めた時に、学生時代の私の研究発表を知っているHOYA R&Dセンターの研究者から一緒に研究をしようと誘われて、1998年1月にHOYAに転職しました。また、同年10月に東京工業大学の社会人博士課程（指導教員：細野秀雄 教授）に入学し、翌1999年には細野先生が始めた科学技術振興機構の研究プロジェクト（JST-ERATOプロジェクト）に出向することになりました。プロジェクトでは光電子デバイスに関する基礎研究を行いましたが、これがとても面白くて、プロジェクトメンバーで力を合わせて斬新なデバイスをいくつか作ることができました（そのうちのひとつがイグゾーと呼ばれる酸化物半導体薄膜トランジスタです）。
2003年には、縁があって名古屋大学の助教授（准教授）になり、2012年には北海道大学電子科学研究所で教授として研究ができることになりました。

小学生の頃から研究は好きだったので、研究対象が昆虫から固体材料に変わっただけのような気がします。また、父が家具職人（特注品専門）で小さい頃から家具製作プロセスをすぐ近くで見てきた影響なのか、自分しかできない仕事がしたい（目立ちたい）という気持ちを強く持って研究に取り組んでいます。

ちなみに、趣味は、ドライブ、フライフィッシング、スノーボードです。

愛車：Audi A5 Sportbackです。四輪駆動ですが、札幌の雪道（凍った道）が怖いので冬の間は冬眠します。

このお魚、ヤマメです。札幌市内の川ですが、いっぱい釣れます（みんなリリースしています）

札幌国際スキー場での写真

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