プロフィール
卒業論文
- 2024.3
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定平 光
- 「高移動度酸化物薄膜トランジスタ用の水酸化インジウムPLDターゲットの開発」 修士課程進学
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陳 荻文
- 「酸化物熱電材料Ba1/3CoO2の600℃以上における性能劣化の起源」 修士課程進学
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三津谷怜
- 「単結晶BiFeO3自立膜の作製」 修士課程進学
- 2023.3
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齊藤 侑
- 「Fe ドープZr 酸フッ化物の抵抗変化特性」
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辰巳祥平
- 「Ba1/3CoO2焼結体の作製と熱電特性」
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丸野内洸
- 「BaTiO3薄膜の強誘電特性へのGa及びAl置換効果」 修士課程進学
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吉村充生
- 「全固体熱トランジスタ特性に及ぼす固体電解質厚さの影響」 修士課程進学
- 2022.3
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小林竜也
- 「R3+OF (R = Sc, Y)酸フッ化物薄膜の合成手法の検討」
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佐藤理央
- 「六方晶ErFeO3エピタキシャル薄膜の強誘電性と磁気特性」
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劉 耀名
- 「Optoelectronic properties of rutile SnO2 epitaxial films grown on M-plane sapphire substrate」 修士課程修了
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吉田健吾
- 「透明酸化物半導体LaドープBaSnO3薄膜の熱伝導率」
- 2021.3
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大倉拓真
- 「固体電気化学反応を利用したSrFeOx薄膜の導電率変調」 電気化学材料・デバイス 生体情報工学コースの修士課程進学
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権 寧河
- 「Heat Conduction of Natural Oxide Superlattice InGaO3(ZnO)m Single-Crystalline Film」 サーマルマネジメント 東京大学大学院新領域創成科学研究科の修士課程進学
- 2020.3
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井口璃音
- 「エレクトロクロミック素子用アモルファスIr0.15Sn0.85O2薄膜の作製と評価」 電気化学材料・デバイス
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酒井貴樹
- 「Pt/SrRuO3/SrTiO3におけるスピン軌道トルクと磁壁の相互作用に関する研究」 スピントロニクスデバイス ナノ電子デバイス学研究室にて修士課程修了
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藤本卓嗣
- 「低LaドープBaSnO3薄膜の微細構造と電子輸送特性に及ぼす熱処理の影響」 透明酸化物半導体 修士課程修了
- 2019.3
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橋本大輝
- 「強磁性酸化物La1-xSrxMnO3 (x = 0.33, 0.45)薄膜におけるプレーナーホール効果」 スピントロニクスデバイス
- 2018.3
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佐藤晃一
- 「SrRuO3/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3酸化物ヘテロ構造における電流誘起有効磁場」 スピントロニクスデバイス 修士課程修了
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小澤良輔
- 「強磁性酸化物SrRuO3における電流誘起磁壁移動の温度依存性」 スピントロニクスデバイス
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佐藤 壮
- 「パルスレーザー堆積法によるn型Bi2Te2.7Se0.3薄膜の作製と熱電特性」 熱電変換材料
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善正晴紀
- 「透明酸化物半導体La ドープBaSnO3 薄膜の結晶化と電子輸送特性に及ぼす基板結晶の影響」 透明酸化物半導体
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横井直輝
- 「薄膜用高温熱電特性計測装置の開発」 熱電変換材料
- 2017.3
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根津有希央
- 「ホモロガス相SrnNbnO3n+2の固相エピタキシャル薄膜成長」 固相エピタキシャル成長法 修士課程修了
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小山田達郎
- 「La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ヘテロ構造における電流誘起有効磁場の観測」 スピントロニクスデバイス 修士課程修了
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島田 巡
- 「強磁性酸化物SrRuO3における電流と磁壁の相互作用」 スピントロニクスデバイス
- 2016.3
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蛸島健介
- 「膜面に対し垂直方向に磁化容易軸を有するLa0.7Sr0.3Mn1-xRuxO3エ ピタキシャル薄膜の作製と評価 －高性能磁壁移動素子を目指して－」 スピントロニクスデバイス
- 2015.3
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坂上朗康
- 「強磁性La0.67Sr0.33MnO3における局所磁界磁化反転」 スピントロニクスデバイス
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鈴木雄喜
- 「全固体SrCoO3-δ強磁性薄膜トランジスタの作製」 電気化学材料・デバイス 修士課程修了
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廣野未沙子
- 「全固体エレクトロクロミックWO3薄膜トランジスタの作製」 電気化学材料・デバイス
- 2014.3
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遠藤賢司
- 「電界＋水素化によるVO2薄膜の絶縁体－金属転移と熱電能変調」 電気化学材料・デバイス 修士課程修了
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小林祐輔
- 「SrTiO3単結晶薄膜の巨大熱電能変調」 熱電変換材料