プロフィール

丸野内 洸 MARUNOUCHI, ko

komarunouchi(at)eis.hokudai.ac.jp

居室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-106
TEL : 011-706-9433 / FAX : 011-706-9432
研究キーワード:酸フッ化物薄膜
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略歴

2023年4月 北海道大学大学院 情報科学院 情報エレクトロニクスコース 入学、現在に至る

2023年3月 北海道大学 工学部 電気電子工学コース 卒業(指導教員:片山 司 准教授)

2019年4月 北海道大学 入学

原著論文 (1)

[1] Ko Marunouchi, Lizhikun Gong, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama*, “High-concentration doping effects of aliovalent Al and Ga on ferroelectric properties of BaTiO3 Films”, Thin Solid Films 796, 140339 (2024). (April 16, 2024) (DOI: 10.1016/j.tsf.2024.140339)

学会発表 (5)

[1] 丸野内洸, 龔李治坤, 太田裕道, 片山司, “BaTiO3薄膜の強誘電特性へのGa及びAl置換効果”, 第58回応用物理学会北海道支部/第19回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 室蘭工業大学(北海道札幌市), 2023.1.7-8.

[2] 丸野内洸,龔 李治坤,太田裕道,片山 司, “BaTiO3薄膜の強誘電特性へのGa及びAl置換効果”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス+オンライン, 2023年3月15日-18日

[3] Ko Marunouchi, Lizhikun Gong, Hiromichi Ohta, and Tsukasa Katayama, “Al and Ga doping effects on ferroelectric and dielectric properties of BaTiO3 epitaxial films”, The Mini-Workshop on Functional Materials Science (Organizers’ meeting), Sapporo, Japan, December 1-2, 2023. (Poster)

[4] 丸野内 洸, 太田裕道, 片山 司, “反応性固相エピタキシャル成長法によるPb2MO3F薄膜(M = Fe, In)の合成”, 第59回 応用物理学会北海道支部 / 第20回 日本光学会北海道支部 合同学術講演会, 北海道大学, 札幌市, 2024.1.6 – 7.

[5] 丸野内 洸, 近松 彰, 太田裕道, 片山 司, “反応性固相エピタキシャル成長法によるPb2MO3F薄膜(M = Fe, In)の合成”, 2024年 第71回 応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス,東京, 2024年3月22日-25日.