酸化物半導体初のpnヘテロ接合紫外発光ダイオードです。東工大 川副・細野グループが発見したp型透明酸化物半導体の一つであるSrCu₂O₂をp型層と、古くから知られる紫外発光材料であるn型酸化物半導体ZnOを超平坦ITO上にヘテロエピタキシャル成長させて作製しました。発光の閾値電圧は約3 Vであり、発光の中心波長は382 nmです。この成功を契機に透明酸化物半導体デバイスの研究が大きく進展しました。（ERATO細野透明電子活性プロジェクト）