メンバー

スタッフSTAFF

教授
hiromichiohta
太田 裕道OHTA, Hiromichi
hiromichi.ohta(at)es.hokudai.ac.jp

教授室: 北キャンパス電子科学研究所 3F 03-108-2
TEL & FAX : 011-706-9428
研究キーワード:熱電変換, 光・電気・磁気記憶デバイス, 透明酸化物半導体, 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法

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PROFILE
准教授
山ノ内160217
山ノ内 路彦YAMANOUCHI, Michihiko
m-yama(at)es.hokudai.ac.jp

准教授室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-108-1
TEL : 011-706-9430
研究キーワード:スピントロニクスデバイス

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PROFILE
助教
HaiJunCho
ジョ ヘジュンCHO, Hai Jun
joon(at)es.hokudai.ac.jp

助教室: 北キャンパス電子科学研究所 3F 03-107
TEL & FAX : 011-706-9432
研究キーワード: 時間領域サーモリフレクタンス(TDTR), 熱伝導率, 界面熱伝導, 振動結合状態, 原子シミュレーション

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PROFILE
博士研究員
sanchela2
サンチェラ アナップ クマールSANCHELA, ANUP KUMAR
anup.sanchela(at)es.hokudai.ac.jp

居室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-106
TEL : 011-706-9433 / FAX : 011-706-9432
研究キーワード:透明酸化物半導体, 熱電変換

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PROFILE
中国政府「国家建設高水平大学公派研究生」(情報科学研究科 博士課程)
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張 雨橋ZHANG, Yu-Qiao
eva_005(at)126.com

居室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-106
TEL : 011-706-9433 / FAX : 011-706-9432
研究キーワード:熱電変換, 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法

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PROFILE
学振特別研究員DC1(情報科学研究科 博士課程)
onozato
小野里 尚記ONOZATO, Takaki
takaki_onozato6(at)eis.hokudai.ac.jp

居室:北キャンパス電子科学研究所 3F 03-106
TEL : 011-706-9433 / FAX : 011-706-9432
研究キーワード:光・電気・磁気記憶デバイス, 熱電変換, 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法

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PROFILE

学生STUDENT

  • Wei_spare
    魏 冕
    透明酸化物半導体
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    小山田 達郎
    スピントロニクスデバイス
  • image1
    根津 有希央
    光・電気・磁気記憶デバイス
  • sdr
    呉 宇璋
    熱電変換
  • takeshisato
    佐藤 壮
    熱電変換
  • koichi_sato
    佐藤 晃一
    スピントロニクスデバイス
  • sugo
    須郷 堅雄
    熱電変換

過去の在籍者ALMNI

  • 教職員 (助教、博士研究員) [ -2018.3 ]
    • 片瀬貴義 (助教)  [ 2013.4-2017.3 ] 現 東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所(旧 応用セラミックス研究所)・准教授(2017.4.1-)
    • 片山翔太 (博士研究員)  [ 2015.4-2016.3 ] 研究テーマ「Reactive solid-phase epitaxial growth and electrical conductivity of NaxMnO2 and NaxMnO2·nH2O」 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法
    • 李 寧 (博士研究員)  [ 2013.4-2013.12 ] 研究テーマ「Solid-Liquid Phase Epitaxial Growth of Li4Ti5O12 Thin Film」 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法
  • 修士論文 (博士課程進学者を含む) [ -2018.3 ]
    • 2017.3
    • 小野里尚記 「色と導電性の可逆変化を利用する新しいメモリ素子の室温作製」 光・電気・磁気記憶デバイス
    • 鈴木雄喜 「コバルト酸ストロンチウム薄膜を活性層とする磁性・導電性記憶素子の改善」 光・電気・磁気記憶デバイス
    • 2016.3
    • 遠藤賢司 「二酸化バナジウム薄膜のプロトン化を利用したエレクトロクロミック素子に関する研究」 光・電気・磁気記憶デバイス
  • 卒業論文 (修士課程進学者を含む) [ -2018.3 ]
    • 2018.3
    • 佐藤晃一 「SrRuO3/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3酸化物ヘテロ構造における電流誘起有効磁場」 スピントロニクスデバイス
    • 小澤良輔 「強磁性酸化物SrRuO3における電流誘起磁壁移動の温度依存性」 スピントロニクスデバイス
    • 佐藤 壮 「パルスレーザー堆積法によるn型Bi2Te2.7Se0.3薄膜の作製と熱電特性」 熱電変換材料
    • 善正晴紀 「透明酸化物半導体La ドープBaSnO3 薄膜の結晶化と電子輸送特性に及ぼす基板結晶の影響」 透明酸化物半導体
    • 横井直輝 「薄膜用高温熱電特性計測装置の開発」 熱電変換材料
    • 2017.3
    • 根津有希央 「ホモロガス相SrnNbnO3n+2の固相エピタキシャル薄膜成長」 特殊なエピタキシャル薄膜成長方法
    • 小山田達郎 「La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ヘテロ構造における電流誘起有効磁場の観測」 スピントロニクスデバイス
    • 島田 巡 「強磁性酸化物SrRuO3における電流と磁壁の相互作用」 スピントロニクスデバイス
    • 2016.3
    • 蛸島健介 「膜面に対し垂直方向に磁化容易軸を有するLa0.7Sr0.3Mn1-xRuxO3エ ピタキシャル薄膜の作製と評価 -高性能磁壁移動素子を目指して-」 スピントロニクスデバイス
    • 2015.3
    • 坂上朗康 「強磁性La0.67Sr0.33MnO3における局所磁界磁化反転」 スピントロニクスデバイス
    • 鈴木雄喜 「全固体SrCoO3-δ強磁性薄膜トランジスタの作製」 光・電気・磁気記憶デバイス
    • 廣野未沙子 「全固体エレクトロクロミックWO3薄膜トランジスタの作製」 光・電気・磁気記憶デバイス
    • 2014.3
    • 遠藤賢司 「電界+水素化によるVO2薄膜の絶縁体-金属転移と熱電能変調」 光・電気・磁気記憶デバイス
    • 小林祐輔  「SrTiO3単結晶薄膜の巨大熱電能変調」 熱電変換材料
  • 外国人研究員 (短期滞在) [ -2018.3 ]
    • TAM, Jason (カナダ・トロント大学, ERB, Uwe 教授) [2018.3.19-2018.4.19 ]
    • ZHANG, Jianbing (中国・清華大学, Pu Yu 教授) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [2018.3.4-18]
    • AHN, Eunyoung (韓国・釜山大学校, JEEN, Hyoung Jeen 助教)[2018.1.14-22]
    • KIM, Gowoon (韓国・釜山大学校, JEEN, Hyoung Jeen 助教)[2018.1.14-29]
    • LEE, Joonhyuk (韓国・釜山大学校, JEEN, Hyoung Jeen 助教) [2017.9.10-9.23 ]
    • KIM, Gowoon (韓国・釜山大学校, JEEN, Hyoung Jeen 助教) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [2017.9.10-9.23 ]
    • LEE, Soogil (韓国・KAIST) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [ 2017.9.10-9.23 ]
    • TAM, Jason (カナダ・トロント大学, ERB, Uwe 教授) JSPSサマープログラム [ 2017.6.20-2017.8.21 ]
    • KIM, Eun Sung (韓国・成金館大学校, KIM, Sung Wng 教授) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [ 2016.10.23-2016.11.5 ]
    • WOO, Sungmin (韓国・成金館大学校, CHOI, Woo Seok 准教授) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [ 2016.10.16-20.16.10.29 ]
    • CHIU, Shao Pin (台湾・台湾交通大学, LIN, Juhn-Jong 教授) 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス [ 2016.9.25-2016.10.8 ]