共同プレス発表:SiO2の熱伝導率が基板で制御できる

日本語版
電子機器内の熱流を自在に制御できるメカニズムを発見 -次世代デバイスの性能向上と省エネ化に期待-
https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2025/04/press20250414-03-thermal.html
https://www.hokudai.ac.jp/news/pdf/250414_pr2.pdf
タイトル:Controlling thermal conductivity of amorphous SiOx films through structural engineering utilizing the single crystal substrate surfaces
著者:Katelyn A. Kirchner, Sohei Ogasawara, Melbert Jeem, Hiromichi Ohta, Akihiro Suzuki, Hiroo Tajiri, Tomoyuki Koganezawa, Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Junji Nishii, John C. Mauro, Yasutaka Matsuo & Madoka Ono*
*責任著者:東北大学大学院工学研究科 応用物理学専攻 教授 小野 円佳
掲載誌:Nano Letters
DOI:10.1021/acs.nanolett.5c00646
※SiO2薄膜の熱伝導率計測は当研究室で実施されました。