サファイア基板上のVO2/TiO2薄膜の室温における金属-絶縁体転移に関する論文がAdvanced Electronic Materials誌に掲載されました。

Binjie Chen*, Gowoon Kim, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta*, “Room Temperature Insulator-to-Metal Transition of VO₂ / TiO₂ Epitaxial Bilayer Films Grown on M-plane Sapphire Substrates”, Adv. Electron. Mater. 2100687 (2021). (October 19, 2021) (DOI: 10.1002/aelm.202100687)